环载置面116的喷镀膜116A为两层的情况的局部剖视图。图1OC概念性地表示各层的气孔率的差异。
[0127]具体地讲，图1OC表示由上层喷镀膜116a和下层喷镀膜116b这两层构成聚焦环载置面116的喷镀膜116A的情况。也可以通过改变上述各层的喷镀膜116a、116b的气孔率来改变整个喷镀膜116A的气孔率。在这种情况下，各层的喷镀膜116a、116b既可以由同种材料构成，也可以由不同种材料构成。
[0128]作为由不同种材料构成的情况，例如也可以由PSZ (部分稳定化氧化锆)喷镀膜形成下层喷镀膜116b，在其上形成Al2O3或者Y2O3的喷镀膜并将其作为上层喷镀膜116a。由此，也能够改变整个喷镀膜116A的气孔率。例如，只要增大作为下层喷镀膜116b的PSZ层的气孔率，仅通过保持该状态地形成Al2O3或者Y 203的上层喷镀膜116a，就能够增大整个喷镀膜116A的气孔率。由此，能够省略用于改变Al2O3或者Y2O3的上层喷镀膜116a的气孔率的处理，而且，能够比较容易地增大整个喷镀膜116A的气孔率。
[0129]导热气体供给机构的另一结构例
[0130]接着，参照【附图说明】导热气体供给机构200的另一结构例。图11是表示本实施方式的导热气体供给机构200的另一结构例的剖视图。在上述的图2所示的导热气体供给机构200的结构例中，对以仅向聚焦环124的背面供给第2导热气体的方式构成的情况进行了说明，但在此列举不仅向聚焦环124的背面，还向晶圆W的边缘部的背面供给第2导热气体的情况。
[0131]具体地讲，例如图11所示，也可以使第2气体流路222分支并将其分支流路223朝向晶圆W的边缘部的背面地设置。在这种情况下，基板载置面115的气孔218分开地设置为中心部区域的气孔218a和中心部区域周围的边缘部区域的气孔218b，使第I气体流路212连通于中心部区域的气孔218a，并使自第2气体流路222分支出的分支流路223连通于边缘部区域的气孔218b。由此，能够向中心部区域的气孔218a供给第I导热气体，并向边缘部区域的气孔218b供给第2导热气体。
[0132]采用图11所示的结构，不仅聚焦环124，对于晶圆W的边缘部区域也能够利用第2导热气体相对于中心部区域分开地控制温度，因此，能够直接控制晶圆W的边缘部区域的处理特性。
[0133]以上，参照【附图说明】了本发明的优选实施方式，但不言而喻本发明并不限定于该例子。本领域技术人员能够在权利要求书的范围内想到各种变更例或者修正例，这是显而易见的，这些当然也应理解为属于本发明的技术范围。
[0134]例如在上述实施方式中，作为基板处理装置，举例说明了仅对下部电极重叠、施加两种高频电而生成等离子体的类型的基板处理装置，但并不限定于此，也可以应用于其他的类型、例如仅对下部电极施加I种高频电的类型、分别对上部电极和下部电极施加两种高频电的类型的基板处理装置。
[0135]产业h的可利用件
[0136]本发明能够应用于对半导体晶圆等基板实施等离子体处理的基板处理装置及基板处理方法。
[0137]附图标记说曰月
[0138]100、基板处理装置；102、处理室；104、排气管；105、排气部；106、搬出搬入口 ；108、闸阀；110、载置台；112、绝缘体；114、基座；115、基板载置面；115A、喷镀膜；116、聚焦环载置面；116A、喷镀膜；116a、上层喷镀膜；116b、下层喷镀膜；117、基座调温部；118、温度调节介质室；120、静电吸盘；122、电极；123、直流电源；124、聚焦环；130、上部电极；131、绝缘性遮蔽构件；132、电极板；134、电极支承体；135、气体扩散室；136、气体喷出孔；140、处理气体供给部；142、处理气体供给源；143、气体导入口 ；144、气体供给管；146、质量流量控制器(MFC) ;148、开闭阀；150、电供给装置；152、第I高频电供给机构；154、第I过滤器；156、第I匹配器；158、第I电源；162、第2高频电供给机构；164、第2过滤器；166、第2匹配器；168、第2电源；170、控制部；172、操作部；174、存储部；200、导热气体供给机构；210、第I导热气体供给部；212、第I气体流路；214、第I导热气体供给源；216、压力控制阀(PCV)；218、218a、218b、气孔;220、第2导热气体供给部；222、第2气体流路；223、分支流路；224、第2导热气体供给源；226、压力控制阀(PCV) ;228、气孔；229、第I环状扩散部；232、第2环状扩散部；233、突起部；238、槽部；240、密封部；W、晶圆。
【主权项】
1.一种基板处理装置，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于， 该基板处理装置包括: 载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面； 基座调温机构，其用于调整上述基座的温度； 基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上； 导热气体供给机构，其独立地设有用于向上述基板的背面供给第I导热气体的第I导热气体供给部、用于向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第I导热气体供给部的第I气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路， 其中，上述第I气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述聚焦环载置面的内周侧和外周侧均设有用于密封上述第2导热气体的密封部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述聚焦环载置面的内周侧和外周侧中的一者不设置密封部或两者均不设置密封部。
4.根据权利要求1?3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 在上述聚焦环载置面的表面和上述基板载置面的表面形成喷镀膜； 通过相对于上述基板载置面的喷镀膜的气孔率改变上述聚焦环载置面的喷镀膜的气孔率来控制上述基板的面内处理特性。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 与基座的控制温度范围相应地来决定上述聚焦环载置面的喷镀膜的气孔率。
6.一种基板处理方法，该基板处理方法为基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于， 上述基板处理装置包括: 载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面； 基座调温机构，其用于调整上述基座的温度； 基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上； 导热气体供给机构，其独立地设有用于以目标压力向上述基板的背面供给第I导热气体的第I导热气体供给部、用于以目标压力向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第I导热气体供给部的第I气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路，其中，上述第I气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位， 通过相对于上述第I导热气体的供给压力改变上述第2导热气体的供给压力来控制上述基板的面内处理特性。
7.一种基板处理方法，该基板处理方法为基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于， 上述基板处理装置包括: 载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面； 基座调温机构，其用于调整上述基座的温度； 基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上； 导热气体供给机构，其独立地设有用于以目标压力向上述基板的背面供给第I导热气体的第I导热气体供给部、用于以目标压力向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第I导热气体供给部的第I气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路，其中，上述第I气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位， 通过改变上述第I导热气体和上述第2导热气体的气体种类来控制上述基板的面内处理特性。
【专利摘要】本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。
【IPC分类】H01J37-32, H01L21-683, H01L21-67
【公开号】CN104821268
【申请号】CN201410747792
【发明人】菊池英一郎, 长山将之, 宫井高广
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2011年12月22日
【公告号】CN102569130A, CN102569130B, US20120160808, US20150200080