其上形成像素驱动电路140的第一基板11的表面，并且优选的是，因为其上设置了优良的连接孔12A，所以扁平绝缘膜12由具有高图形精度的材料形成。例如，作为扁平绝缘膜12的形成材料，可以包含诸如聚酰胺的有机材料，或者诸如二氧化娃(S12)的无机材料。
[0106]下电极14还起到反射层的作用，并且理想的是，反射率尽可能高的用于提高发光效率。特别地，在下电极14被用作阳极的情况下，理想的是，下电极14是由具有改善的空穴注入特性的材料形成。作为下电极14的实例，可以包含在堆积方向上具有的厚度(在下文中，简称为厚度)等于或大于10nm以及等于或小于100nm的单一金属元件或金属元件合金，诸如，络(Cr)、金(Au)、钼(Pt)、镲(Ni)、铜(Cu)、钨(W)或银(Ag)。透明传导膜(诸如氧化铟锡(ITO))可以被设置在下电极14的表面上。具有高反射率但是具有由于在表面上存在氧化膜或低功函数(诸如，铝(Al)合金)的空穴注入障碍问题的材料可以通过提供合适的空穴注入层而被用作下电极14。
[0107]电极间绝缘膜15是用于保证下电极14和上电极17之间的绝缘并且将发光区制作为理想形状，并且例如，由感光树脂形成的理想形状。电极间绝缘膜15仅被设置为围绕下电极14，并且从电极间绝缘膜15中暴露的下电极14的区域是发光区。有机层16和上电极17还被设置在电极间绝缘膜15上，但是仅从发光区出现发光。
[0108]有机层16具有空穴注入层16A、空穴传播层16B、发光层16C、电子传播层16D和电子注入层16E从下电极14在其中依次堆积的构造。在以上中，如果需要，可以设置除了发光层16C之外的层。根据发光元件1RUOG和1B各自的发光颜色，有机层16可具有不同的构造。空穴注入层16A是用于提升空穴注入效率并防止泄漏的缓冲层。空穴传播层16B是用于提升传播至发光层16C的空穴传播效率的层。发光层16C是当施加电势并且电子和空穴之间出现再结合时发射光的层。电子传播层16D是用于提升传播至发光层16C的空穴传播效率的层。电子注入层16E是用于提升电子注入效率的层。
[0109]上电极17的厚度约为10nm，并且是由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或钠(Na)的合金形成。在以上中，由于在薄膜状态下导电性高以及吸收小，因此优选的是镁和银合金(Mg-Ag合金)。Mg-Ag合金中的Mg:Ag的比例不受特别限制，但是理想的是，以膜厚度为基础约20:1至1:1的范围内。此外，上电极17的材料可以是铝(Al)和锂(Li)合金(Al-Li合金)。
[0110]上电极17还具有半渗透反射层的功能。即，发光元件10RU0G和1B包括谐振器结构MCl，并且在发光层16C处生成的光由下电极14和上电极17之间的谐振器结构MCl产生共振。谐振器结构MCl使在发光层16C处生成的光产生共振，并且从半渗透反射面P2提取，其中，下电极14与有机层16之间的界面为反射面P1，中间层18与电子注入层16E之间的界面为半渗透反射面P2，以及有机层16为谐振部。以此方式，如果谐振器结构MCl被包括在内，在发光层16C生成的光被多层干扰，从半渗透反射面P2侧提取的连续的光的半值宽度降低，并且然后，可以增加峰值强度。即，在前方方向上的发光强度增加，并且因此，可以提高发光的色纯度。
[0111]在反射面Pl与半渗透反射面P2之间，存在所提取的发光强度变为最大的位置(共振面)。优选的是，反射面Pl与半渗透反射面P2之间的光程LI满足预定条件，以便提尚提取效率。
[0112]如图9中所示，发光元件10RU0G和1B可以是不包括半渗透反射面P2以及在反射面Pl处反射在发光层16C处生成的光，并且在反射的光与在发光层16C处生成的光之间干扰的元件。
[0113]1.2特定的设计实例
[0114]在本实施方式中的显示装置I中，通过改变遮光部24的横向上的尺寸(宽度)，在不执行色彩分离的方向上可以调整视角特性。例如，通过缩小遮光部24的宽度，在第三子像素2B的垂直方向上的视角特性可以变成宽角度，并且可以结合第一子像素2R和第二子像素2G的视角特性。可以调整横向上的视角特性，使得第一子像素2R的第一滤色器23R和第二子像素2G的第二滤色器23G的宽度以及第三子像素2B的第三滤色器23B的宽度变得彼此不相同。
[0115]图10示出了本实施方式中的像素2的设计实例。各部分的尺寸如下。一个像素的间距:9.9 μπι
[0116]LBM_H:3.Ομπι
[0117]LBM_V:0.8μπι
[0118]Lsubpixl_H:6.1ym
[0119]Lsubpix2_H:6.1ym
[0120]Lsubpix3_H:3.8 y m
[0121]Lsubpi!d_v:4.95 u m
[0122]Lsubpix2-V:4.95 y m
[0123]Lsubpix3-V:4.15 um
[0124]例如，在发光元件10RU0G和1B与滤色器23之间的间隙De(图5)之间的关系中的窄间距像素中，并且子像素的开口宽度是1:1，优选的是，在横向上的第一子像素2R的开口宽度Lsubpixl_H与在垂直方向上的第二子像素2G的开口宽度L subpix2_H分别是以下所描述的在横向上的第三子像素2B的开口宽度Lsubpix3_H的一至三倍。
[0125]l〈LSUbpi；d-H〈LSUbpiX3-H〈3
[0126]l〈LSUbpiX2-H〈LSUbpiX3-H〈3
[0127]由于与发射长于第三色光LB的波长的光的第一子像素2R和第二子像素2G相比的显示面板的单元中的干扰，发射波长较短的第三色光LB的第三子像素2B在低角度侧面(低于20度)中具有较高的光提取效率，并且因此，视角特性不是特别好。为了控制该特性，通过降低横向上的第三子像素2B的开口宽度，第一子像素2R、第二子像素2G和第三子像素2B中的每个的视角特性彼此一致，并且因此，色差被提高。
[0128]如果在横向上的遮光部24的宽度Lbm被降低，在垂直方向上的第三子像素2B的视角增加(横向上的视角不受影响)。在本实施方式的像素结构中，由于Lsubpix3_v的开口宽度小于Lsubpixl_v和L subpix2_v的开口宽度，需要通过减少L ?b_h来增加第三子像素2B的视角特性。如果Lbm的值是从公式(3)中获取的值，则在垂直方向上的每个子像素的视角特性彼此一致，并且因此，色差被提高。实际应用中，该值不必完全满足公式(3)，但是可以是基本满足公式⑶的值。
[0129]Lbm_h — L subpix3_HX Lsubpix3_v/Lsubpixl_v
[0130]— L SUbpiX3_H X LSUbpiX3-v/LSUbpiX2_v ….公式(3)
[0131]图11示出了图10中的设计实例中在横向上的像素2的视角特性。图12示出了图10中的设计实例中在垂直方向上的像素2的视角特性。在图11和图12中，示出了 X、Y和Z的白色三刺激值。刺激值X对应于通过第一子像素2R发射的第一色光LR。刺激值Y对应于通过第二子像素2G发射的第二色光LG。刺激值Z对应于通过第三子像素2Β发射的第三色光LB。
[0132]如图10中所示的设计实例中，通过使LBM-V为0.8 μ m，如图12中所示在视角特性中的三刺激值x、Y和Z彼此一致，并且可以看出视角特性的色差降低。此外，在横向上的视角特性中，通过使第三子像素2Β的开口宽度小于如图11中所示的第一子像素2R和第二子像素2G的开口宽度，三刺激值X、Y和Z彼此一致，视角特性的色差降低。
[0133]接下来，图13和图14中示出了遮光部24的宽度值1^_被改变的情况下的垂直方向上的像素2的视角特性。图13示出了图10中示出的设计实例中的遮光部24的宽度Lbm较大(Lbm= 3.8 μ m)的情况下的视角特性，以及图14示出了图10中示出的设计实例中的遮光部24的宽度Lbm较小(Lbm= 0.8ym)的情况下的视角特性。
[0134]在图13中，可以看出通过使遮光部24的宽度Li/变大使在垂直方向上的第三子像素2Β(刺激值Ζ)的视角特性变小。此外，从图14中，可以看出通过使遮光部24的宽度Lbm变小使在垂直方向上的第三子像素2Β(刺激值Ζ)的视角特性变宽。以此方式，由于通过改变遮光部24的宽度1^?而改变限制视角的像素宽度，因此可以调整视角特性。通过将遮光部24的宽度Lbm作为设计参数调整，可以根据像素间距(开口宽度)或发光元件10R、1G和1B之间的间隙DG值以及滤色器23来设定最佳的设计值。
[0135]1.3 效果
[0136]如以上所描述的，根据本实施方式，第一方向(Y方向)上的第三子像素2B的视角受到遮光部24的限制。因此，可以同时实现宽开口和宽视角。
[0137]图15示出了在不设置遮光部(Lbmh和Lbmv= O)的情况下在垂直方向上的像素2的视角特性，作为关于图10中示出的设计实例的比较例。在比较例的结构中，由于没有遮光部24，在垂直方向上的第三子像素2B的开口宽度增加。由于这个原因，在垂直方向上的视角特性中，在白色显示时，在关于显示面的角度看到的图像中，第三子像素2B的刺激值Z相对增加，并且出现蓝色色差。另一方面，在本实施方式的像素2的阵列结构中，由于遮光部24被设置在第三子像素2B中，因此可以控制第三子像素2B的视角特性(刺激值Z)，并且可以降低色差。此外，在横向上的视角特性中，通过使在横向上波长短的第三子像素2B的开口宽度小于其他子像素的开口宽度，在横向上的各个像素的视角特性可以彼此一致，并且然后，可以提高色差。以此方式，在保持极佳的能见度的同时可以实现宽开口(长寿命)和宽视角。
[0138]本文中所描述的效果仅是实例并且不限于此，并且可以有其他效果。以下将描述上述情况也适用于其他实施方式和变形例。
[0139]1.4变形例
[0140]1.4.1第一变形例
[0141]图16示出了第一变形例中的像素2的滤色部的阵列结构的实例。如图16中所示，遮