显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种具有薄膜晶体管基板的显示 面板。
【背景技术】
[0002] 在显示面板的制作工艺中，若要让位于绝缘层上下两侧的导电层导通，会设计通 孔（viaorcontacthole),使上下两侧的导电层能电连接。举例来说，使像素结构中像素 电极与薄膜晶体管的漏极电连接的方法，就是在形成像素电极之前，先进行图案化制作工 艺，于绝缘层中形成通孔，暴露底下的漏极，再镀上像素电极，则像素电极与漏极可通过此 通孔电连接。
[0003] 然而，随着高分辨率显示面板的发展，其结构与制作工艺也越加复杂，不同的导电 层间可能间隔一层以上的绝缘层。由于不同绝缘层的成膜条件不同，在蚀刻形成通孔时，便 容易形成倒角。这样的倒角易使通孔填补不完全，或于镀上导电层时发生断线，影响显示面 板的品质。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种显示面板，具有特定的钝化层设计，能使通孔侧壁的 钝化层接面平缓，避免其上电极层断线的情形。
[0005] 根据本发明的第一方面，提出一种显示面板。显示面板包括薄膜晶体管基板、对向 基板及位于两者之间的显示层。薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、 第一电极层、第一钝化层、第二钝化层及第二电极层。栅极层位于底板之上。栅极介电层位 于栅极层之上。半导体层位于栅极介电层之上。第一电极层位于半导体层之上。第一钝化 层位于第一电极层之上。第二钝化层位于第一钝化层之上，且具有通孔贯穿第一钝化层，以 暴露部分的第一电极层。第二电极层位于第二钝化层之上，并通过通孔与第一电极层电连 接。其中，第一钝化层在通孔侧边具有第一倾角，第二钝化层在通孔侧边具有第二倾角，第 一倾角与第二倾角的角度差小于30度。
[0006] 根据本发明的第二方面，提出一种显示面板。显示面板包括薄膜晶体管基板、对向 基板及位于两者之间的显示层。薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、 第一电极层、第一钝化层、第二钝化层及第二电极层。栅极层位于底板之上。栅极介电层位 于栅极层之上。半导体层位于栅极介电层之上。第一电极层位于半导体层之上。第一钝化 层位于第一电极层之上。第二钝化层位于第一钝化层之上，并具有通孔贯穿第一钝化层，以 暴露部分的第一电极层。第二电极层位于第二钝化层之上，并通过通孔与第一电极层电连 接。其中，第二钝化层为多层钝化膜组成的多层结构，且该第二钝化层在该通孔侧边具有介 于10-80度的一第二倾角。
【附图说明】
[0007] 图1绘示依照本发明一实施例的显示装置的示意图。
[0008] 图2A绘示依照本发明一实施例的薄膜晶体管基板的示意图。
[0009] 图2B绘示图2A的区域A的放大示意图。
[0010] 图3绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管基板的示意图。
[0011] 图4A-图4D绘示图2A及图3中通孔的制造方法的示意图。
[0012] 符号说明
[0013] 1 :显示装置
[0014] 10、11、12 :薄膜晶体管基板
[0015] 100 :底板
[0016] 110:栅极层
[0017] 120:栅极介电层
[0018] 130 :半导体层
[0019] 135 :蚀刻停止层
[0020] 140:第一电极层
[0021] 141 :第一部分
[0022] 142 :第二部分
[0023] 150 :第一钝化层
[0024] 151 :第一边缘
[0025] 160 :有机层
[0026] 161:开口
[0027] 170 :第二钝化层
[0028] 171 :第一钝化膜
[0029] 172 :第二钝化膜
[0030] 173 :第三钝化膜
[0031] 174:第二边缘
[0032] 180:第二电极层
[0033] 190 :通孔
[0034] 191 :通孔侧边
[0035] 200:共同电极层
[0036] 2 :显示面板
[0037] 20 :显示层
[0038] 30 :对向基板
[0039] 40 :背光模块
[0040] 0 1 :第一倾角
[0041] 0 2:第二倾角
[0042] d:距离
【具体实施方式】
[0043] 以下参照所附附图详细叙述本发明的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或 类似的部分。需特别注意的是，附图已经简化以利清楚说明实施例的内容，且附图上的尺寸 比例并非按照实际产品等比例绘制，因此并非作为限缩本发明保护范围之用。
[0044] 请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的显示装置。显示装置1包括显示面板2 及背光模块40。当显示面板2为液晶显示面板时，由薄膜晶体管基板10、显示层20以及对 向基板30组成，显示层为液晶层。显示层20位于薄膜晶体管基板10及对向基板30之间， 可受电压的驱动而改变其透光率。对向基板30相对于薄膜晶体管基板10设计，例如是彩 色滤光片基板，使显示面板2能够显示彩色。值得注意的是，当显示面板2为有机发光二极 管面板时，则可不具有背光模块40,且显示层20为有机发光层。
[0045] 薄膜晶体管基板10为显示面板2的主要元件，其上划分有多个像素区域，每个像 素区域具有对应的薄膜晶体管，可调整位于此区域显示层的透光率。薄膜晶体管基板依其 像素结构的设计不同，分为多种类型，以下以图2A及图2B举例说明。
[0046] 请参照图2A，其绘示依照本发明一实施例的薄膜晶体管基板。图2A的薄膜晶体管 基板11为后通道蚀刻（backchanneletch,BCE)结构，包括底板100、栅极层110、栅极介 电层120、半导体层130、第一电极层140、第一钝化层150(passivationlayer)、第二钝化 层170、第二电极层180及通孔190。
[0047] 如图2A所示，栅极层110位于底板100之上，栅极介电层120位于栅极层110之 上，半导体层130位于栅极介电层120之上。也就是说，栅极介电层120分开栅极层110与半 导体层130。本例中，栅极层位于作为主动层的半导体层130之下，所以称为下栅极（bottom gate)式结构。第一电极层140位于半导体层130之上，并与半导体层130电连接，构成一 薄膜晶体管，并以半导体层130作为薄膜晶体管的主动层。详细的说，第一电极层140被图 案化为分开的第一部分141与第二部分142,第一部分141与半导体层130电连接，形成源 极接触；第二部分142与半导体层130电连接，形成漏极接触。
[0048] 如图2A所示，第一钝化层150形成在第一电极层140上，有机层160形成于第一 钝化层150上，第二钝化层170则形成于有机层160上。共同电极层200形成于第二钝 化层170及有机层160之间。第一钝化层150、第二钝化层170的材质跟半导体层130的 材料有关，例如当半导体层130氧化铟镓锌（IGZ0)为材料时，第一钝化层150可选用氧化 硅（SiOx)，而第二钝化层可选用氮化硅（SiNx)。钝化层150U70具有阻水气、绝缘之类的 特性，可保护薄膜晶体管基板上的其他结构。有机层160的材质例如是压克力或PFA树脂 (Perfluoroalkoxy)，用以加大像素电极（第二电极层180)与信号线（未绘示）的距离， 应用在高分辨率的薄膜晶体管基板中可显著减少两者间信号的耦合干扰。一实施例中， 第一钝化层150与第二钝化层170的厚度约为800-4000A,而有机层160的厚度约为 5000-20000A。值得注意的是，在其他实施例中，薄膜晶体管基板中也可不设置有机层， 或以其他的元件代替，并不限制。
[0049] 如图2A所示，通孔190具有通孔侧边191，并贯穿第一钝化层150、有机层160及 第二钝化层170,以暴露第一电极层140的第二部分142 (漏极接触）。第二电极层180例 如是像素电极，位于第二钝化层170上，并透过通孔190与第一电极层140电连接。值得注 意的是，虽然在薄膜晶体管之上的第一钝化层150及第二钝化层170中间以有机层160间 隔，然第二钝化层170在通孔侧边191直接覆盖在第一钝化层150之上（区域A)。特别注 意的是，由于第一钝化层150及第二钝化层170为不同成分，蚀刻通孔190时会有不同的蚀 刻速率，故在通孔侧边191的第一钝化层150与第二钝化层170不一定能呈同一直线，例如 可呈阶梯状，如图2A所示。
[0050] 请参照图2B，其绘示图2A的区域A(通孔190侧壁）的放大图，为方便说明，此图中 省略部分元件。如图所示，第一钝化层150在通孔侧边191 (图2A)具有第一倾角0 1(taper angle)，第二钝化层170在通孔侧边191具有第二倾角0 2。由于第一钝化层150与第二 钝化层为不同成分，形成通孔时其蚀刻速率会有差异，故第一倾角0 1与第二倾角0 2的值 存在差异，当差异太大的时候便可能会产生倒角，使之后形成的第二电极层180断线。本 实施例将第二钝化层170设计为3层钝化膜结构，依序分别为第一钝化膜171、第二钝化膜 172及第三钝化膜173,并调整于相同蚀刻条件下其蚀刻速