一种多功能的新型AlGaInP结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明一种多功能的新型AlGaInP结构，属于光电子技术领域。
【背景技术】
[0002]LED都是在GaAs基板上生长PN结，不同的温度要求有不同的AlGaInP组分方可与基板GaAs的晶格匹配。LED，发光二极体，在GaAs基板上生长P系列材料，最基本的要求是晶格匹配，以及有源层的掺杂情况。在解决晶格匹配与掺杂问题上，往往是生长不同条件下的单层来抓取晶格匹配度及掺杂情况。一般情况下会至少生长7种结构的单层来抓取材料的晶格匹配度:1.Buffer温度下一种结构:GaAs/GaInP，掺杂元素Te ；2.N层温度下两种结构:GaAs/AlInP，掺杂元素Te ；GaAs/GaInP ;3.MQW层温度下两种结构:GaAs/AlInP ；GaAs/GalnP ；4.P层温度下两种结构:GaAs/AlInP ;掺杂元素Mg ;GaAs/GaInP。现有的技术不仅费时费力，而且造成资源浪费。
【发明内容】
[0003]本发明克服现有技术的不足，所要解决的技术问题是提供一种省时省力省钱的新型AlGaInP结构，外延磊晶生长过程中，在解决晶格匹配与掺杂问题上，通过生长一种单层来替代传统的7种单层，不仅省时、省力，而且还可节约资源。通过这种结构可以同时监控不同材料在不同温度下的晶格匹配度与掺杂情况。这种结构可以广泛应用于半导体行业。
[0004]为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为:一种多功能的新型AlGaInP结构，，所述新型AlGaInP结构为生长一种单层的外延结构，其从下到上依次包括:GaAs基板，Buffer温度惨杂DETe的GaInP层，N温度GaAs层，N温度GaInP层，N温度GaAs层，N温度掺杂DETe的AlInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度GaInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度AlInP层，P温度GaAs层，P温度GaInP层，P温度GaAs层，P温度掺杂CP2Mg的AlInP 层。
[0005]所述Buffer温度掺杂DETe的GaInP层的厚度为2000A，N温度GaAs层的厚度为1000A，N温度GaInP层的厚度为2000A ;N温度GaAs层的厚度为100A #温度掺杂DETe的AlInP层的厚度为2000A，MQW温度GaAs层的厚度为1000A，MQW温度GaInP层的厚度为2000A，MQW温度GaAs层的厚度为100A ；MQff温度AlInP层的厚度为2000A，P温度GaAs层的厚度为1000A，P温度GaInP层的厚度为2000A ；P温度GaAs层的厚度为ΙΟΟΟΑ，P温度掺杂CP2Mg的AlInP层的厚度为2000A。
[0006]与现有技术相比本发明具有以下有益效果。
[0007]通过生长一种单层来替代传统的7种单层，不仅省时、省力，而且还可节约资源。
【附图说明】
[0008]图1为新型AlGaInP结构的生长一种单层的外延结构设计图。
[0009]图2为实施例1中X射线双晶衍射测试打出的图谱①。
[0010]图3为实施例1中电化学C-V测试出的P温度下，AlInP的掺杂量。
[0011]图4为实施例1中X射线双晶衍射测试打出的图谱②。
[0012]图5为实施例1中X射线双晶衍射测试打出的谱图③。
[0013]图6为实施例1中电化学C-V测试出的N温度下，AlInP的掺杂量。
[0014]图7为实施例1中X射线双晶衍射测试打出的谱图⑦。
[0015]图8为实施例1中电化学C-V测试出的Buffer温度下，GaInP的掺杂量。
【具体实施方式】
[0016]以下结合具体实施例对本发明作进一步说明。
[0017]实施例1
一种多功能的新型AlGaInP结构，所述新型AlGaInP结构为生长一种单层的外延结构，其从下到上依次包括:GaAs基板，Buffer温度掺杂DETe的GaInP层，N温度GaAs层，N温度GaInP层，N温度GaAs层，N温度掺杂DETe的Al InP层，MQff温度GaAs层，MQW温度GaInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度AlInP层，P温度GaAs层，P温度GaInP层，P温度GaAs层，P温度掺杂CP2Mg的AlInP层。
[0018]一种多功能的新型AlGaInP结构，所述Buffer温度掺杂DETe的GaInP层的厚度为2000A，N温度GaAs层的厚度为ΙΟΟΟΑ，N温度GaInP层的厚度为2000A ；N温度GaAs层的厚度为1000A ；N温度掺杂DETe的AlInP层的厚度为2000A，MQff温度GaAs层的厚度为1000A，MQW温度GaInP层的厚度为2000A，MQW温度GaAs层的厚度为100A ;MQW温度AlInP层的厚度为2000A，P温度GaAs层的厚度为ΙΟΟΟΑ，P温度GaInP层的厚度为2000A ；P温度GaAs层的厚度为1000A，P温度掺杂CP2Mg的AlInP层的厚度为2000A。
[0019]量测步骤:
1.X射线双晶衍射测试，打出图谱①；
2.电化学C-V测试，测试出P温度下，AlInP的掺杂量；
3.用配置好的蚀刻液A，蚀刻AlInP层；
4.X射线双晶衍射测试，打出图谱②，对比分析图谱，②比①缺少的峰便是P温度下，AlInP的峰；
5.用配置好的蚀刻液B，蚀刻GaAs层；
6.用配置好的蚀刻液C，蚀刻GaInP层；
7.X射线双晶衍射测试，打出谱图③，对比分析图谱，③比②缺少的峰便是P温度下，GaInP的峰；
8.用配置好的蚀刻液B，蚀刻GaAs层；
9.用配置好的蚀刻液A，蚀刻AlInP层；
10.X射线双晶衍射测试，打出谱图④，对比分析图谱，④比③缺少的峰便是MQW温度下，AlInP的峰；
11.用配置好的蚀刻液B，蚀刻GaAs层；
12.用配置好的蚀刻液C，蚀刻GaInP层；
13.X射线双晶衍射测试，打出谱图⑤，对比分析图谱，⑤比④缺少的峰便是MQW温度下，GaInP的峰； 14.用配置好的蚀刻液B，蚀刻GaAs层；
15.电化学C-V测试，测试出N温度下，AlInP的掺杂量；
16.用配置好的蚀刻液A，蚀刻AlInP层；
17.X射线双晶衍射测试，打出谱图⑥，对比分析图谱，⑥比⑤缺少的峰便是N温度下，AlInP的峰；
18.用配置好的蚀刻液B，蚀刻GaAs层；
19.用配置好的蚀刻液C，蚀刻GaInP层；
20.X射线双晶衍射测试，打出谱图⑦，对比分析图谱，⑦比⑥缺少的峰便是N温度下，GaInP的峰，同时分析谱图⑦，有两个峰，一个是强度较大的基板峰，另一个强度较小的峰便是Buffer温度下，GaInP的峰；
21.用配置好的蚀刻液B，蚀刻GaAs层；
22.电化学C-V测试，测试出Buffer温度下，GaInP的掺杂量；
本发明可用其他的不违背本发明的精神或主要特征的具体形式来概述。因此，无论从哪一点来看，本发明的上述实施方案都只能认为是对本发明的说明而不能限制发明，权利要求书指出了本发明的范围，而上述的说明并未指出本发明的范围，因此，在与本发明的权利要求书相当的含义和范围内的任何变化，都应认为是包括在权利要求书的范围内。
【主权项】
1.一种多功能的新型AlGaInP结构，其特征在于，所述新型AlGaInP结构为生长一种单层的外延结构，其从下到上依次包括:GaAs基板，Buffer温度掺杂DETe的GaInP层，N温度GaAs层，N温度GaInP层，N温度GaAs层，N温度惨杂DETe的AlInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度GaInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度AlInP层，P温度GaAs层，P温度GaInP层，P温度GaAs层，P温度掺杂CP2Mg的AlInP层。
2.根据权利要求1所述的一种多功能的新型AlGaInP结构，其特征在于，所述Buffer温度掺杂DETe的GaInP层的厚度为2000A，N温度GaAs层的厚度为ΙΟΟΟΑ，N温度GaInP层的厚度为2000A ；N温度GaAs层的厚度为100A ；N温度掺杂DETe的AlInP层的厚度为2000A，MQff温度GaAs层的厚度为lOOOA，MQff温度GaInP层的厚度为2000A，MQff温度GaAs层的厚度为1000A ；MQW温度AlInP层的厚度为2000A，P温度GaAs层的厚度为ΙΟΟΟΑ，P温度GaInP层的厚度为2000A ；P温度GaAs层的厚度为ΙΟΟΟΑ，P温度掺杂CP2Mg的AlInP层的厚度为2000A。
【专利摘要】本发明一种多功能的新型AlGaInP结构，属于光电子技术领域；所述新型AlGaInP结构为生长一种单层的外延结构，其从下到上依次包括：GaAs基板，Buffer温度掺杂DETe的GaInP层，N温度GaAs层，N温度GaInP层，N温度GaAs层，N温度掺杂DETe的AlInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度GaInP层，MQW温度GaAs层，MQW温度AlInP层，P温度GaAs层，P温度GaInP层，P温度GaAs层，P温度掺杂CP2Mg的AlInP层；通过生长一种单层来替代传统的7种单层，不仅省时、省力，而且还可节约资源。
【IPC分类】H01L33-12, H01L33-06, H01L33-30, H01L33-02
【公开号】CN104868024
【申请号】CN201510147618
【发明人】郭艳
【申请人】山西南烨立碁光电有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年3月31日