提高对准标记对比度的结构及其形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高对准标记对比度的结构及其形成方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制备过程中，需要对晶圆上的薄膜层进行刻蚀、曝光以及扫描等等处理，由于不同的区域需要进行不同的工艺处理，因此，为了能够使设备机台识别晶圆上的不同区域，通常会在晶圆上设有多个对准标记(Alignment mark)，方便设备机台在进行工艺时，先对准晶圆，从而对晶圆上的不同区域进行定位。
[0003]例如，在进行晶圆缺陷扫描时，通常需要先定位，缺陷扫描机台会先对晶圆上的对准标记进行查找定位，在对准之后，才开始对晶圆上的缺陷进行扫描，从而便于确认缺陷位于晶圆上的具体位置；此外，例如，电路修正机台通常采用激光切割金属以进行电路结构的修改或一次性写入代码，为了在正确的地方进行切割，需要对晶圆进行精确定位。因此，设备机台会先找到对准标记，例如L形对准标记，然后依照该对准标记进行晶圆的整体对准及精确定位。
[0004]然而在实际操作中发现，由于晶圆表面存在反射光的缘故，降低了对准标记与周围的对比度，使对准标记不易被识别，导致设备机台较难辨识对准标记进行对准。具体的，请参考图1，图1为现有技术中对准标记的结构剖面示意图；衬底结构10上形成钝化层20及对准标记30，由于钝化层20的表面为氮化硅薄膜，该薄膜对光的反射较强，而对准标记30的表面为铝膜，当光线(光线如图中箭头所示)照射至两者表面时，两者表面均会反射出较强的反射光，导致两者均呈现明亮状态，从而使对准标记30与其周围的钝化层20的对比度下降，不易被识别。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种提高对准标记对比度的结构及其形成方法，能够提高对准标记与周围的对比度，使其较为容易被识别。
[0006]为了实现上述目的，本发明提出了一种提高对准标记对比度的结构，包括:衬底结构、对准标记和钝化孔，所述对准标记形成在所述衬底结构上，所述钝化孔形成在对准标记周围预定间距内。
[0007]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述预定间距范围是O?1000 μmD
[0008]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述衬底结构包括钝化层，所述钝化孔形成在所述钝化层内。
[0009]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述钝化孔的深度大于等于1000 埃。
[0010]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述钝化孔的形状为圆形、椭圆形、方形、长方形或圆环形。
[0011]本发明还提出了一种提高对准标记对比度的结构的形成方法，用于形成如上文所述的提高对准标记对比度的结构，采用刻蚀形成对准标记开口的同时在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔，或者，在形成对准标记之前或之后使用刻蚀在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔。
[0012]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述预定间距范围是O?1000 μmD
[0013]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，衬底结构包括钝化层，所述钝化孔形成在所述钝化层内。
[0014]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述钝化孔的深度大于等于1000 埃。
[0015]进一步的，在所述的提高对准标记对比度的结构中，所述钝化孔的形状为圆形、椭圆形、方形、长方形或圆环形。
[0016]相比于现有技术，本发明的有益效果主要体现在:在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔，由于钝化孔的存在，光线会在钝化孔处进行折射和漫反射，从而避免光线直接反射出，增加对准标记和钝化孔处的对比度，有利于设备机台识别对准标记。
【附图说明】
[0017]图1为现有技术中对准标记的结构剖面示意图；
[0018]图2为本发明一实施例中提高对准标记对比度的结构剖面示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合示意图对本发明的提高对准标记对比度的结构及其形成方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0020]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0021]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0022]请参考图2，在本实施例中，提出了一种提高对准标记对比度的结构，包括:衬底结构100、对准标记300和钝化孔400，所述对准标记300形成在所述衬底结构100上，所述钝化孔400形成在对准标记300周围预定间距内。
[0023]在本实施例中，所述预定间距范围是O?1000 μ m，例如是10 μ m，将钝化孔400形成在对准标记300周围预定间距内，能够降低对准标记300周围光的反射强度，保持对准标记300光的反射强度不变，从而增加对准标记300与其周围的对比度；所述衬底结构100包括钝化层200，所述钝化孔400形成在所述钝化层200内；所述钝化孔400的深度大于等于1000埃，从而能够很好地避免光的直接反射，增加折射和漫反射效果。
[0024]正如【背景技术】所提及，若对准标记300的周围并未形成钝化孔，光线在照射至其表面时，光反射较强，其表面会呈明亮的状态，由于对准标记300的表面也会呈现明亮的状态，两者之间的对比度较低，使对准标记300不易被识别；如图2所示，在本实施例中，对准标记300的两侧均形成了钝化孔400，当光线(如图中箭头所示)照射至其表面时，由于钝化孔400的存在，光会被折射和漫反射，因而其会呈现较为黑暗(反射较弱)的状态，从而与对准标记300呈现明亮(反射较强)状态呈现较高的对比度，容易被设备机台识别。
[0025]在本实施例中，钝化孔400均可以形成在对准标记300的四周，不限于单——方。而且，所述钝化孔400的形状为圆形、椭圆形、方形、长方形或圆环形等形状。可以根据工艺来进行调整。此外，所述钝化孔400的顶部开口大于底部开口，呈现倒梯形状，便于光线的漫反射。
[0026]在本实施例的另一方面，还提出了一种提高对准标记对比度的结构的形成方法，用于形成如上文所述的提高对准标记对比度的结构，采用刻蚀形成对准标记300开口或形成键合盘(Bonding Pad)开口的同时在对准标记300的周围预定间距内形成钝化孔400，或者，在形成对准标记300或形成键合盘开口之前或之后使用刻蚀在对准标记300的周围预定间距内形成钝化孔400。
[0027]也就是说，钝化孔400的形成可以与形成对准标记300开口或形成键合盘开口的同时形成，不需增加额外的工艺步骤，也可以单独增加一道光刻制程，进行曝光显影及刻蚀单独形成，不限于在对准标记300形成之前还是之后，可以灵活的嵌入至不同工艺中。
[0028]综上，在本发明实施例提供的提高对准标记对比度的结构及其形成方法中，在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔，由于钝化孔的存在，光线会在钝化孔处进行折射和漫反射，从而避免光线直接反射出，增加对准标记和钝化孔处的对比度，有利于设备机台识别对准标记。
[0029]上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种提高对准标记对比度的结构，其特征在于，包括:衬底结构、对准标记和钝化孔，所述对准标记形成在所述衬底结构上，所述钝化孔形成在对准标记周围预定间距内。2.如权利要求1所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述预定间距范围是 O ?1000 μ m。3.如权利要求1所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述衬底结构包括钝化层，所述钝化孔形成在所述钝化层内。4.如权利要求1所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述钝化孔的深度大于等于1000埃。5.如权利要求1所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述钝化孔的形状为圆形、椭圆形、方形、长方形或圆环形。6.一种提高对准标记对比度的结构的形成方法，用于形成如权利要求1所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，采用刻蚀形成对准标记开口的同时在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔，或者，在形成对准标记之前或之后使用刻蚀在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔。7.如权利要求6所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述预定间距范围是 O ?1000 μ m。8.如权利要求6所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，衬底结构包括钝化层，所述钝化孔形成在所述钝化层内。9.如权利要求6所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述钝化孔的深度大于等于1000埃。10.如权利要求6所述的提高对准标记对比度的结构，其特征在于，所述钝化孔的形状为圆形、椭圆形、方形、长方形或圆环形。
【专利摘要】本发明提出了一种提高对准标记对比度的结构及其形成方法，在对准标记的周围预定间距内形成钝化孔，由于钝化孔的存在，光线会在钝化孔处进行折射和漫反射，从而避免光线直接反射出，增加对准标记和钝化孔处的对比度，有利于设备机台识别对准标记。
【IPC分类】H01L21/02, H01L23/544
【公开号】CN104900630
【申请号】CN201510308861
【发明人】黎坡, 林伟铭
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月7日