封装方法、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种封装方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de,简称OLED)显示面板具有主动发光、亮度高、对比度高、超薄、功耗低、视角大以及工作温度范围宽等诸多优点，是一种具有广泛应用的先进新型平板显示装置。
[0003]目前的OLED显示面板主要包括封装基板(玻璃材质)和阵列基板，阵列基板上形成有OLED器件，通过封装技术在封装基板与阵列基板之间形成密封结构，从而防止外界对阵列基板上的OLED器件造成水氧侵蚀，在OLED显示面板的工作过程中，其中的OLED器件难免会发出大量的热量，为提高OLED显示面板的散热能力，目前通常在OLED显示面板的一侧(如封装基板背向阵列基板的一面)覆盖一层热扩散板，然而该方式难免会增加面板的整体厚度。
【发明内容】
[0004](一 )要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是:如何减小显示面板的厚度并改善面板的散热效果。
[0006]( 二 )技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种封装方法，包括:
[0008]在阵列基板的封装区域上形成第一常温接合层，所述阵列基板的显示区域上形成有OLED器件；
[0009]在热扩散板的封装区域上形成第二常温接合层；
[0010]将所述阵列基板与所述热扩散板真空压合，使所述第一常温接合层与所述第二常温接合层相接触并形成密封结构。
[0011]进一步地，所述热扩散板的材料至少包括以下的一种:Cu、Al、ΙΤΟ, IZO, AZOo
[0012]进一步地，所述热扩散板的厚度为50微米?100微米。
[0013]进一步地，所述第一常温接合层的材料为S1、Al、Cu、Fe或Au，所述第二常温接合层的材料为S1、Al、Cu、Fe或Au。
[0014]进一步地，所述OLED器件包括呈矩阵排布的多个发光单元，所述多个发光单元发出的光均为白光，所述阵列基板上还形成有彩色滤光层，所述彩色滤光层包括呈矩阵排布的多个彩色滤光单元，通过所述彩色滤光单元将所述发光单元发出的白光转换为对应颜色的彩色光。
[0015]进一步地，所述OLED器件包括呈矩阵排布的多个发光单元，所述多个发光单元至少包括三种显示不同颜色的发光单元。
[0016]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和热扩散板，所述阵列基板的显示区域上设置有OLED器件，所述阵列基板的封装区域上设置有第一常温接合层，所述热扩散板的封装区域上设置有第二常温接合层，所述第一常温接合层与所述第二常温接合层相接触并层叠设置以在所述阵列基板与所述热扩散板之间形成密封结构。
[0017]进一步地，所述热扩散板的材料至少包括以下的一种:Cu、Al、ΙΤΟ, IZO, AZOo
[0018]进一步地，所述热扩散板的厚度为50微米?100微米。
[0019]进一步地，所述第一常温接合层的材料为S1、Al、Cu、Fe或Au，所述第二常温接合层的材料为S1、Al、Cu、Fe或Au。
[0020]进一步地，所述OLED器件包括呈矩阵排布的多个发光单元，所述多个发光单元发出的光均为白光，所述阵列基板上还形成有彩色滤光层，所述彩色滤光层包括呈矩阵排布的彩色滤光单元，通过所述彩色滤光单元将所述发光单元发出的白光转换为对应颜色的彩色光。
[0021]进一步地，所述OLED器件包括呈矩阵排布的多个发光单元，且所述多个发光单元至少包括三种显示不同颜色的发光单元。
[0022]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0023](三)有益效果
[0024]本发明实施方式提供的封装方法，通过将热扩散板与阵列基板采用常温接合技术进行封装，省去了现有的封装基板，因此不但能够减小显示面板的整体厚度，而且还能提高散热效果。
【附图说明】
[0025]图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图；
[0026]图2是本发明实施方式提供的一种热扩散板与阵列基板封装的示意图；
[0027]图3是本发明实施方式提供的一种阵列基板的示意图；
[0028]图4是本发明实施方式提供的另一种阵列基板的示意图；
[0029]图5是本发明实施方式提供的一种显示面板的示意图；
[0030]图6是本发明实施方式提供的另一种显示面板的示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0032]图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图，包括:
[0033]S1:在阵列基板的封装区域上形成第一常温接合层，所述阵列基板的显示区域上形成有OLED器件；
[0034]S2:在热扩散板的封装区域上形成第二常温接合层；其中，该热扩散板的封装区域为当热扩散板与阵列基板正对时与阵列基板的封装区域正对的区域；
[0035]S3:将所述阵列基板与所述热扩散板真空压合，使所述第一常温接合层与所述第二常温接合层相接触并形成密封结构。
[0036]本发明实施方式提供的封装方法，通过将热扩散板与阵列基板采用常温接合技术进行封装，省去了现有的封装基板，因此不但能够减小显示面板的整体厚度，而且还能提高散热效果。
[0037]其中，在上述的封装方法中，不对步骤SI和步骤S2的先后顺序作具体限定，例如，在进行封装时，可以先执行步骤SI，再执行步骤S2，也可以先执行步骤S2，后执行步骤SI，也可以同时执行步骤SI和步骤S2，通过上述步骤SI和步骤S2，在阵列基板的封装区域上以及热扩散板的封装区域上分别形成一层常温接合层，而后将两者在真空环境下对位压合，从而在热扩散板与阵列基板之间形成密封结构。
[0038]在本发明中，上述的热扩散板可以采用导热性能较好的材料制作而成，例如，可以采用如铜、铝等不透明的金属材料制作而成，其可以为一种材料形成的单层结构，也可以为由多种材料形成的复合层结构，通过采用RTB (Room Temperature Bonding，常温接合)技术将热扩散板与阵列基板封装，从而得到底发射模式(Bottom Emiss1n)的OLED结构，例如，第一常温接合层的材料可以为Si (硅)、Al (铝)、Cu (铜)、Fe (铁)或Au (金)，通过离子束扫描工艺将其形成在阵列基板的封装区域上，第二常温接合层的材料可以为S1、Al、Cu、Fe或Au，通过离子束扫描工艺将其形成在热扩散板的封装区域上，热扩散板与阵列基板采用SAB (Surface Atomic Bonding，表面原子接合)技术封装在一起，例如，可以在热扩散板的封装区域上形成一层Al薄膜，在阵列基板的封装区域上形成一层Si薄膜，上述第一常温结合层与第二常温接合层的材料也可以相同，例如可以均为Si或者均为Al等，具体地，如图2所示，将热扩散板10和阵列基板20分别通过上承载平台I和下承载平台2送入真空室5中，在真空室5中，通过离子束发射装置3分别向热扩散板10的封装区域以及阵列基板20的封装区域上发射离子束31，形成常温接合层，而后水平移动两承载平台，使热扩散板10与阵列基板20相对，再进行竖直方向的移动，使热扩散板10上的常温接合层与阵列基板20的常温接合层紧密接合，从而在热扩散板与阵列基板之间形成密封结构，由于整个封装工艺省去了现有的封装基板，因此不但能够减小显示面板的整体厚度，而且还能提高其散热效果。
[0039]此外，上述的热扩散板也可以采用透明的导热材料，如ITO(氧化铟锡)，IZO(氧化铟锌)，AZO(铝掺杂的氧化锌)，并在OLED器件的另一侧采用Al，Cu，Ag或Mg形成一层光反射薄膜，从而得到顶发射模式(Top Emiss1n)的OLED结构。
[0040]优选地，为了兼顾封装后所形成面板的厚度以及密封性，上述封装工艺所采用的热扩散板的厚度可以为50微米?100微米，例如可以为60微米、80微米等。
[0041]其中，上述的阵列基板可以为COA(Color Filter On Array