芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及将隔着扩张膜支撑于环状框架上的被加工物的分割后的各个芯片维持为扩张芯片间隔的状态的芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法。
【背景技术】
[0002]以往，已知在贴附于扩张膜上的被加工物上，沿着分割预定线形成改质层、激光加工槽、切削槽等的分割起点，然后将被加工物分割为各个芯片的方法(例如，参照专利文献I)。在专利文献I所述的分割方法中，粘贴于环状框架上的扩张膜扩张，从而对沿着分割预定线形成的分割起点施加外力，沿着该强度降低的分割起点将被加工物分割为各个芯片。然而，一旦解除了扩张膜的扩张，则会在扩张膜上产生较大的松弛，相邻芯片彼此接触而存在产生缺损和破损的可能性。
[0003]因此，还提出了在维持(固定)芯片间的间隔的状态下，对扩张膜的松弛程度较大的被加工物的周围赋予热等的外部刺激，使扩张膜的松弛收缩的方法。对于该方法，担心由于扩张膜的材质和厚度而使得基于外部刺激的松弛收缩不充分，或者松弛不发生收缩。于是，提出了一种把持扩张膜的松弛并进行热压接，从而在扩张膜上形成张力的方法(例如，参照专利文献2)。在该专利文献2所述的方法中，使在被加工物的周围产生的扩张膜的松弛向上方隆起，在全周范围把持该隆起部并进行热压接，以去除扩张膜的松弛。
[0004]专利文献I日本特开2007-189057号公报
[0005]专利文献2日本特开2013-239557号公报
[0006]然而，在扩张膜贴附于环状框架上时，会在扩张膜的一个方向上施加张力，因而会在被施加张力的一个方向和与其正交的另一个方向上产生张力偏差。因此，在专利文献2所述的方法中，受到扩张膜内在的张力影响，会在被加工物的周围的径向不同距离处产生隆起部。因此，在从上表面观察时，被加工物的周围会被隆起部呈椭圆状包围，存在难以在全周范围内对隆起部热压接以去除扩张膜的松弛的问题。
【发明内容】
[0007]本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够在短时间内准确地去除由于扩张膜的扩张而产生的松弛的芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法。
[0008]本发明的芯片间隔维持装置，其将构成贴附于扩张膜上而安装于环状框架上的被加工物的多个芯片的间隔维持为扩张状态，其具有:工作台，其具有支撑被加工物的支撑面，并且隔着扩张膜以能够吸附保持的方式支撑被加工物；框架保持单元，其具有在该工作台的周围保持环状框架的保持面；扩张单元，其通过扩张该扩张膜而在多个该芯片间形成间隔；加热单元，其从上方侧对隆起部照射热而使其收缩，其中，该隆起部是在隔着该扩张膜通过该工作台吸附保持被该扩张单元扩张了该扩张膜而在该芯片间形成有间隔的多个该芯片的同时，通过解除该扩张单元的扩张而在被加工物的外周与该环状框架的内周之间由该扩张膜的多余部分隆起而成的；以及按压单元，其配设于与该加热单元的热照射口相对的隔着该扩张膜的正下方，且从该扩张膜的下方向该加热单元的该热照射口的方向按压该扩张膜，使该隆起部向该加热单元的该热照射口的附近移动。
[0009]根据该结构，被加工物保持于工作台上，而环状框架保持于框架保持单元上，通过扩张膜扩张而在芯片间形成间隔。然后，在凭借工作台的吸附在被加工物的芯片间维持间隔的状态下解除扩张膜的扩张，从而在被加工物的外周与环状框架的内周之间，通过扩张膜的松弛产生的多余部分隆起而形成隆起部。此时，凭借扩张膜内在的张力的偏差，在产生于被加工物的周围的隆起部从热照射口的正下方偏离时，凭借按压单元按压扩张膜而使得隆起部移动至热照射口的正下方。隆起部向热照射口的附近移动，因此从热照射口起向隆起部照射热，能够使隆起部高效地热收缩。
[0010]另外，本发明的芯片间隔维持方法，使用如上所述的芯片间隔维持装置，将构成贴附于扩张膜上而安装于环状框架上的被加工物的多个芯片的间隔维持为扩张状态，具有:保持步骤，在该工作台上隔着该扩张膜载置被加工物，并且通过该框架保持单元保持该环状框架；芯片间隔扩张步骤，在实施了该保持步骤后，使该工作台和该框架保持单元在铅直方向上相对移动规定的距离，使该工作台相对于该框架保持单元顶起而延展该扩张膜，从而在该多个芯片间形成间隔；吸附保持步骤，在实施了该芯片间隔扩张步骤后，通过该工作台隔着该扩张膜吸附保持被加工物，从而维持相邻的该芯片间的间隔；隆起部形成步骤，在开始了该吸附保持步骤后，使该工作台和该框架保持单元在铅直方向上相对移动，解除该工作台相对于该框架保持单元的顶起，形成该扩张膜扩张而形成的该扩张膜的多余部位在被加工物的外周侧向该扩张膜的正面侧隆起而成的隆起部；以及加热收缩步骤，在实施了该隆起部形成步骤后，通过该按压单元按压扩张膜，使该隆起部移动至该加热单元的该热照射口的正下方，并且通过该加热单元使该隆起部加热收缩。
[0011 ]另外，在上述芯片间隔维持方法中，在设定有交叉的多条分割预定线的被加工物上，沿着该分割预定线形成有分割起点，在该芯片间隔扩张步骤中，被加工物被分割为多个芯片，并且在芯片间形成有间隔。
[0012]根据本发明，通过使在解除了扩张膜的扩张状态后产生的隆起部向热照射口的正下方移动，从而能够在短时间内准确地去除由于扩张膜的扩张而产生的松弛。
【附图说明】
[0013]图1是本实施方式的芯片间隔维持装置的立体图。
[0014]图2A?2C是本实施方式的工作台的上表面示意图和剖面示意图。
[0015]图3A?3C是本实施方式的按压单元的动作说明图。
[0016]图4是表示本实施方式的保持步骤的一例的图。
[0017]图5是表示本实施方式的芯片间隔扩张步骤的一例的图。
[0018]图6是表示本实施方式的吸附保持步骤的一例的图。
[0019]图7是表示本实施方式的隆起部形成步骤的一例的图。
[0020]图8A?8B是表示本实施方式的加热收缩步骤的一例的图。
[0021]标号说明
[0022]1:芯片间隔维持装置；11:工作台；12:框架保持单元；21:支撑面；23:按压单元；32:保持面；37:升降气缸(扩张单元);41:加热单元；45:热照射口 ；52:分割预定线；54:改质层(分割起点)；c:芯片；F:环状框架；R:隆起部；S:扩张膜;W:被加工物。
【具体实施方式】
[0023]以下，说明本实施方式的芯片间隔维持装置。图1是本实施方式的芯片间隔维持装置的立体图。图2是本实施方式的工作台的上表面示意图和剖面示意图。另外，图2A是表示工作台的上表面示意图，图2B是表示沿着图2A的A-A线的剖面示意图，图2C是表示沿着图2A的B-B线的剖面示意图。此外，本实施方式的芯片间隔维持装置不限于图1所示的结构，能够适当变更。
[0024]如图1所示，芯片间隔维持装置I构成为，通过扩张膜S的膜扩张，将隔着扩张膜S而支撑于环状框架F上的圆板状的被加工物W分割为各个芯片。此外，芯片间隔维持装置I构成为，在维持芯片间隔的状态下解除扩张膜S的扩张，通过加热收缩(热缩)去除在膜扩张的解除后产生的松弛。如此，扩张膜S伸展而仅使大幅松弛的部位热收缩，固定为维持被加工物W的分割后的芯片间隔的状态。
[0025]在被加工物W的正面51上设有格子状的分割预定线52，在被分割预定线52划分出的各区域上形成有各种器件(未图示)。在被加工物W的外缘上设有表示结晶方位的凹口 53。另外，被加工物W既可以是在硅、砷化镓等的半导体基板上形成有IC、LSI等器件的半导体晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、蓝宝石类的无机材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。被加工物W在隔着扩张膜S而支撑于环状框架F上的状态下被搬入芯片间隔维持装置I。
[0026]此外，在被加工物W的内部沿着分割预定线52形成有作为分割起点的改质层54 (参照图4)。另外，改质层54指的是凭借激光的照射而成为使得被加工物W的内部的密度、折射率、机械强度及其他物理特性与周围不同的状态，且强度低于周围的区域。改质层54例如为熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域，也可以是上述区域混合存在的区域。此外，在以下说明中，作为分割起点举例示出了改质层54，而分割起点只要是降低被加工物W的强度而可成为分割时的起点即可，例如可以是激光加工槽、切削槽、切割道。