Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED (Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]OLED显示装置是一种主动发光式显示器件，具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被广泛应用于手机、PDA (Personal Digital Assistant，个人数字助理)、笔记本电脑、数码摄像机、DVD (Digital Versatile Disc，数字通用光盘)机、汽车音响和电视等领域中。
[0003]传统的OLED显示装置的结构主要包括:TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板，设置于TFT阵列基板上的发光结构层，以及设置于发光结构层上的彩膜层。其中，发光结构层从近TFT阵列基板的一侧至远TFT阵列基板的一侧依次包括:阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；彩膜层通常包括RGB(红绿蓝)三种颜色的色阻，利用彩膜层对发光结构层所发出的光进行滤光，能够得到RGB三种单色光。
[0004]但是，由于采用色阻滤光的方式得到单色光，上述彩膜层的光透过率较低，造成OLED显示装置的显示亮度较低。虽然目前出现了通过在彩膜层中增加W(白色)颜色的色阻的方式，来提高显示亮度，但在彩膜层中增加W(白色)颜色的色阻，会造成显示色域的减小；此外，目前还出现了采用量子点形成彩膜层，使能够发出蓝光或紫外光的发光结构层发光激发彩膜层中的量子点发出RGB单色光，这种方式虽然能够提高显示亮度，并且增大显示色域，但是量子点材料价格昂贵，且易氧化，导致OLED显示装置的成本增大，显示的稳定性不尚。
【发明内容】
[0005]为克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种OLED显示装置及其制造方法、彩月旲基板及其制造方法，以在低成本、尚显不稳定性的如提下，提尚OLED显不装置的显不壳度，并且增大显示色域。
[0006]为达到上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0007]本发明的第一方面提供了一种OLED显示装置，包括:TFT阵列基板，所述OLED显示装置还包括:设置于所述TFT阵列基板上的发光结构层，所述发光结构层所发出的光为红外光；位于所述发光结构层上的光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
[0008]优选的，所述光转换层还包括:黑矩阵，所述黑矩阵定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。
[0009]优选的，所述OLED显示装置还包括:位于所述光转换层与所述发光结构层之间的保护层；位于所述光转换层背向所述发光结构层一侧的衬底基板。
[0010]优选的，所述受发光结构层所发出的光激发后发红光的上转换发光材料为:采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ce3+作为掺杂材料，采用甘氨酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
[0011]优选的，所述受发光结构层所发出的光激发后发绿光的上转换发光材料为:采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Ho3+作为掺杂材料，采用柠檬酸作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
[0012]优选的，所述受发光结构层所发出的光激发后发蓝光的上转换发光材料为:采用NaF作为基质材料，采用Y3+、Yb3+、Tm3+作为掺杂材料，采用尿素作为烧结剂，制备形成的上转换发光材料。
[0013]优选的，形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元的上转换发光材料均为上转换纳米颗粒。
[0014]本发明的第二方面提供了一种OLED显示装置的制造方法，包括:制造TFT阵列基板；在所述TFT阵列基板上形成发光结构层，所述发光结构层所发出的光为红外光；形成光转换层，所述光转换层位于所述发光结构层上，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；其中，红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成，绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成，蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
[0015]优选的，所述形成光转换层具体包括:采用构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
[0016]优选的，在形成所述光转换层之后还包括:在所述光转换层上形成保护层；将形成了所述光转换层和所述保护层的衬底基板与形成了所述发光结构层的TFT阵列基板相对组装在一起。
[0017]优选的，所述形成光转换层具体包括:采用构图工艺在所述发光结构层上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
[0018]优选的，在形成所述发光结构层之后，且在形成所述光转换层之前，还包括:在所述发光结构层上形成保护层；在形成所述光转换层之后还包括:在所述光转换层上覆盖衬底基板。
[0019]本发明的第三方面提供了一种彩膜基板，包括:衬底基板，所述彩膜基板还包括:设置于所述衬底基板上的光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
[0020]优选的，所述光转换层还包括:黑矩阵，所述黑矩阵定义出各光转换单元所在的区域，用于将各光转换单元相互隔离。
[0021]优选的，所述彩膜基板还包括:设置于所述光转换层上的保护层。
[0022]本发明的第四方面提供了一种彩膜基板的制造方法，包括:在衬底基板上形成光转换层，所述光转换层包括多个像素区域，每个像素区域内至少设置有红光、绿光和蓝光三个光转换单元；红光光转换单元由受红外光激发后发红光的上转换发光材料形成；绿光光转换单元由受红外光激发后发绿光的上转换发光材料形成；蓝光光转换单元由受红外光激发后发蓝光的上转换发光材料形成。
[0023]优选的，所述在衬底基板上形成光转换层具体包括:采用构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵定义出各待形成的光转换单元所在的区域；采用转印工艺、打印工艺或构图工艺在所述黑矩阵所定义出的区域内分别形成所述红光光转换单元、所述绿光光转换单元和所述蓝光光转换单元，使所述黑矩阵将各光转换单元相互隔离。
[0024]优选的，在形成所述光转换层之后还包括:在所述光转换层上形成保护层。
[0025]本发明所提供的OLED显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法中，发光结构层所发出的光为红外光，在发光结构层上方设置有光转换层，该光