有机发光二极管显示器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光二极管显示器，且特别是涉及一种具有良好抑制侧向漏 光的有机发光二极管显示器。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管（OLED)显示器具有厚度薄、主动发光而无需背光源、无视角限制 等优点。随着消费者对电子产品高显示画质的期待，有机发光二极管显示器的影像分辨率 必须朝向高分辨率像素 （High PPI ;High Pixel per Inch)发展。
[0003] 然而，在制作有机发光二极管显示器中的发光元件的过程中，因为制作工艺条件 等变异，而使面板显示颜色不均、不正常、侧向漏光，或色偏等现象。因此，研发兼具高分辨 率及高显示品质的有机发光二极管显示器为目前重要的课题之一。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器。在有机发光二极管显示器 中，第一光吸收层搭配第二光吸收层形成的光吸收复合层，其吸收的光线的波长可以有效 涵盖整个可见光的范围，因而能够有效地防止像素区域之间的侧向漏光现象，进而提升显 示器的色彩饱和度及显示效果。
[0005] 为达上述目的，根据本发明的一实施例，提出一种有机发光二极管显示器。有机 发光二极管显不器具有多个像素区域且包括一基板、一第一电极层、一第二电极层、一像素 定义层以及一光吸收复合层。第一电极层形成于基板上，第二电极层形成于第一电极层之 上。像素区域经由像素定义层分隔开来。光吸收复合层形成于基板之上，其中光吸收复合 层吸收的光线具有波长范围约380~780纳米。光吸收复合层包括一第一光吸收层及一第 二光吸收层，第二光吸收层形成于第一光吸收层上。第一光吸收层吸收的光线具有较短波 长，第二光吸收层吸收的光线具有较长波长不同于第一光吸收层吸收的光线于波长范围约 380~780纳米间。
[0006] 为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所 附的附图，作详细说明如下：
【附图说明】
[0007] 图1为本发明一实施例的有机发光二极管显示器的示意图；
[0008] 图2为本发明另一实施例的有机发光二极管显示器的示意图；
[0009] 图3为本发明一实施例的第一光吸收层和第二光吸收层的厚度相对于平均光穿 透率的关系的示意图；
[0010] 图4为本发明一实施例的发光波长范围相对于第一光吸收层的光穿透率的关系 的不意图；
[0011] 图5为本发明一实施例的发光波长范围相对于第二光吸收层的光穿透率的关系 的不意图；
[0012] 图6为本发明一实施例的发光波长范围相对于光吸收复合层的光穿透率的关系 的不意图；
[0013] 图7为本发明一实施例的第一光吸收层和第二光吸收层的厚度相对于光吸收率 的关系的示意图。
[0014] 符号说明
[0015] 100、200 :有机发光二极管显示器
[0016] 110:基板
[0017] 120:第一电极层
[0018] 130:第二电极层
[0019] 140:像素定义层
[0020] 140a:开口
[0021] 150 :光吸收复合层
[0022] 151 :第一光吸收层
[0023] 153 :第二光吸收层
[0024] 160 :发光层
[0025] 1、11:曲线
[0026] P :像素区域
【具体实施方式】
[0027] 根据本发明的实施例，有机发光二极管显示器中，第一光吸收层搭配第二光吸收 层形成的光吸收复合层，其吸收的光线的波长可以有效涵盖整个可见光的范围，因而能够 有效地防止像素区域之间的漏光现象，进而提升显示器的色彩饱和度及显示效果。以下参 照所附的附图详细叙述本发明的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。 需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例 说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的 需要对该些结构加以修饰或变化。
[0028] 图1绘示根据本发明一实施例的有机发光二极管显示器100的示意图。如图1所 示，有机发光二极管显示器100具有多个像素区域P。有机发光二极管显示器100包括一基 板110、一第一电极层120、一第二电极层130、一像素定义层140以及一光吸收复合层150。 第一电极层120形成于基板110上且对应像素区域P设置，第二电极层130形成于第一电极 层120之上。各个像素区域P经由像素定义层140分隔开来。光吸收复合层150形成于基 板110之上且至少对应像素定义层140设置。光吸收复合层150吸收的光线涵盖可见光波 长范围，吸收的光线具有的波长范围可包含380~780纳米。光吸收复合层150包括至少 一第一光吸收层151及一第二光吸收层153,第一光吸收层151吸收包含第一波长范围的光 线，第二光吸收层153位于第一光吸收层151上且吸收包含第二波长范围的光线。其中，第 一波长范围不同于第二波长范围，且第一波长范围与第二波长范围均至少涵盖部分可见光 波长范围。前述所指称的波长范围不同是指两者所吸收的光线波长范围没有完全一致，因 此第一光吸收层与第二光吸收层所吸收的光线波长范围可以部分重叠、邻接或分隔开的。
[0029] 实施例中，第一光吸收层151在第一波长范围下的光穿透率例如是20~80%，第 二光吸收层153在第二波长范围下的光穿透率例如是20~80%。
[0030] 实施例中，第一光吸收层151还可吸收具有第二波长范围的光线，且第一光吸收 层151于第一波长范围下的光穿透率例如是小于第二波长范围下的光穿透率。
[0031] 实施例中，第二光吸收层153还可吸收具有第一波长范围的光线，且第二光吸收 层153于第一波长范围下的光穿透率例如是大于第二波长范围下的光穿透率。
[0032] 实施例中，第一光吸收层151的厚度与第二光吸收层153的厚度可以分别位在 500~4000埃之间。
[0033] 实施例中，有机发光二极管显示器100例如是白光有机发光二极管显示器，各个 像素区域P的光线对应至彩色滤光片的特定颜色区块，各个对应不同颜色区块的像素区域 P彼此之间经由像素定义层140分隔开来。由于光吸收复合层150吸收的光线具有的波长 范围约为380~780纳米,也就是涵盖可见光的范围，因此光吸收复合层150可以吸收像素 区域P发射至其邻近像素区域P范围的光线，有效防止多个像素区域P之间的侧向漏光现 象。
[0034] 相比较于直接制作单层的像素定义层或图案化掩模层，通常必须采用曝光显影制 作工艺搭配紫外光固化制作工艺，以制作出像素定义层或图案化掩模层的图案。但为了令 像素定义层或图案化掩模层可以经由紫外光而固化，则像素定义层或图案化掩模层的材料 必须能够让蓝紫色系的光线穿透其中以固化成所想要的图案。因此，如此制作出来的像素 定义层或图案化掩模层不可能是纯黑色的，也因此不可能吸收涵盖整个可见光波长范围的 光线。也就是说，此种单层像素定义层或图案化掩模层没办法吸收或阻挡整个可见光波长 范围（380~780纳米）的光线，至少蓝紫色系的光线还是有机会穿透出去，因此像素区域 间的光线依然无法完全被隔绝，也就无法有效地防止像素区域之间的漏光现象。
[0035] 实施例中，如图1所示，第一光吸收层151叠设于第二光吸收层153上且直接接触 第二光吸收层153。实施例中，第一光吸收层151吸收包含较短波长的第一波长范围的光 线，例如380~480纳米的光线，也就是蓝紫色系的光线的波长范围。换言之，本实施例中， 第二光吸收层153吸收包含第二波长范围的光线所具有的波长范围至少会涵盖480~780 纳米的范围。也就是说，经由第一光吸收层151搭配第二光吸收层153,光吸收复合层150 吸收的光线的波长可以有效涵盖整个可见光的范围，因此光吸收复合层150可以具有纯黑 色的特性，可以吸收所有的可见光，而能够有效地防止多个像素区域之间的侧向漏光现象。 如此一来，各个像素区域P的单一颜色的纯度可以提高，显示器的色彩饱和度也可以提升， 进而提商显不效果。
[0036] 再者，以第一光吸收层151和第二光吸收层153形成光吸收复合层150,则两个堆 叠的膜层的光吸收度具有加成作用，相较于单层结构而具有更高的光吸收度，因而更加有 助于隔绝像素区域之间的漏光现象。
[0037] 实施例中，第一光吸收层151和第二光吸收层153的至少其中之一可包括一有 机材料，例如是常用于空穴传输层、发光层和/或电子传输层的材料。相比较于采用高 分子作为第一光吸收层151和第二光吸收层153的材料，制作时需要采用旋涂制作工艺 (spin coating process),此属湿式制作工艺，则制作工艺中会存在溶剂或污染物。相对 地，根据本发明的一实施例，采用小分子或少数可蒸镀的高分子有机材料作为第一光吸收 层151和第二光吸收层153的材料，则可以经由蒸镀制作工艺制作，此属干式制作工艺（dry process)，因此不会有溶剂或污染物的问题，也比较没有水气的问题，因此可以提高第一光 吸收层151和第二光吸收层153的纯度和品质。此外，采用有机材料并经由蒸镀制作工艺制 作的第一光吸收层151和第二光吸收层153可以具有较小的厚度，例如是500~4000埃。 实施例中，光吸收复合层150的厚度例如是4000埃。现有第一光吸收层151和第二光吸收 层153用来做为空穴传输层、发光层和/或电子传输层的材料时，往往厚度需要制作的很薄 以避免其吸收光线的效应，来避免有机发光元件出光效率不佳，因此往往厚度会在100埃 以下，而本实施例则是利用其吸收特性来做为光吸收复合层150的材质，因此需要其具有 一定厚度。
[0038] 实施例中，第一光吸收层151和第二光吸收层153的至少其中之一可包 括以下的化合物之一或任两者以上的