，有源层温度的差急剧变大的条件即x/t彡I. 0没有基 于副固定件厚度或副固定件的热传导率。关于x/t的值具有普遍性的理由，可如以下这样 进行说明。
[0069] 图10是从前面观察x/t = I. 0时的装置的结构图。这里，因为副固定件8的热传 导率具有各向同性，所以在第1开口部IOa的右端产生的热以45°的扩散角向右横方向扩 散。当该热到达副固定件8下表面时即向下方向扩散t的距离时，在x/t < I. 0的情况下， 散热器9不存在于此位置，因此热传导不充分，有源层3a的温度相对于有源层3b变高。
[0070] 接着，制作图7所示的激光器装置。第1开口部IOa以及第2开口部IOb的开口 宽度是100 μm，激光器元件的宽度是600 μm。副固定件厚度是240 μm，第1开口部IOa的 开口端与副固定件端的距离为70 μπι，使第1开口部IOa的开口端位于副固定件端的外侧。 此时，x/t 是-70/240 = -0· 29。
[0071] 在针对10个这样的激光器装置施加 6A的电流时，采用带有透镜的光纤来测定从 2个发光区域产生的激光的波长。图11示出各个波长的测定结果。2个的波长差平均是 2. 3nm。同样，图12示出将x/t作为参数来制作激光器装置并测定2个的波长差的结果。
[0072] 这样，根据本实施方式中的装置的结构，可利用1个元件来获得2个振荡波长。另 外，装置结构相对于现有的结构也仅变更副固定件8的位置，可容易地进行制作。
[0073] 另外，在假设副固定件8的材料的热传导率具有各向异性即水平方向的热传导率 kx与垂直方向的热传导率ky不同时，热传导相对于垂直方向以如下的角度进行传导，而不 是 45° :
[0074] Θ = tan 1 (kx/ky) [deg. ] 〇
[0075] 因此，在这样的情况下，将副固定件厚度设为t，使得有源层的温度大幅上升的针 对开口位置与副固定件端之间的距离的临界点X成为下式：
[0076] X = t · tan Θ = t · (kx/ky) 〇
[0077] 此外，在本实施方式中示出了在1个激光器元件内形成2个发光点的单片构造中 的例子，但即使是排列2个仅形成1个发光点的激光器元件的构造也是同样的。另外，在此 情况下，可在1个副固定件上配置2个激光器元件，或在各个激光器元件中使用1个副固定 件。此外，在本实施方式中说明了 2个发光点的情况，但关于具有3个以上的多个发光点的 情况也能够取得同样的效果。
[0078] 如以上所说明的那样，根据实施方式2的半导体激光器装置，该激光器装置在散 热器上接合有水平方向的热传导率是kx、垂直方向的热传导率是ky的副固定件，在副固定 件上以使具有有源层的一侧朝向副固定件侧的方式安装有在单个激光器元件上具有基于 多个开口部的多个发光区域的激光器元件，在设副固定件厚度为t时，多个开口部中的至 少1个开口部的开口端与散热器端的水平方向最短距离X是X彡t · (kx/ky)，且与开口部 不同的其它开口部中的至少1个是x>t · (kx/ky)，因此，能够廉价且容易地获得可抑制斑点 噪声的半导体激光器装置。
[0079] 另外，根据实施方式2的半导体激光器装置，取代在单个激光器元件上具有多个 发光区域的激光器元件，而是在副固定件上设置多个在单个激光器元件中具有基于单个开 口部的发光区域的激光器元件，各自的开口部为多个开口部，因此，即使在采用多个元件的 情况下，也因为该元件具有相同的波长即可，而能够降低元件制作成本。
[0080] 另外，根据实施方式2的半导体激光器装置，该激光器装置在散热器上接合有在 水平方向以及垂直方向上具有各向同性的热传导率的副固定件，在副固定件上以使具有有 源层的一侧朝向副固定件侧的方式安装有在单个激光器元件中具有基于多个开口部的多 个发光区域的激光器元件，在设副固定件厚度为t时，多个开口部中的至少1个开口部的开 口端与散热器端的水平方向最短距离X是x/t< 1.0,且与开口部不同的其它开口部中的至 少1个是x/t>l. 0,因此能够廉价且容易地获得可抑制斑点噪声的半导体激光器装置。
[0081] 此外，本申请发明在本发明的范围内，在各实施方式的自由组合、各实施方式的任 意的构成要素的变形或者各实施方式中，可省略任意的构成要素。
[0082] 工业上的可利用性
[0083] 以上，本发明的半导体激光器装置通过使具有多个发光区域的激光器元件中的一 部分发光区域的温度高于其它发光区域来使振荡波长进行长波化，并获得具有多个波长的 振荡光，适合用于投影仪装置等的光源。
[0084] 标号说明
[0085] In型GaAs衬底；2n型AlInP包覆层；3有源层；4p型AlInP包覆层；5SiN绝缘膜； 6p侧电极；7n侧电极；8副固定件；9散热器；IOa第1开口部；IOb第2开口部。
【主权项】
1. 一种半导体激光器装置，在该半导体激光器装置中，在散热器上接合有水平方向的 热传导率为kx、垂直方向的热传导率为ky的副固定件，在该副固定件上W使具有有源层的 一侧朝向所述副固定件侧的方式安装有在单个激光器元件中具有基于多个开口部的多个 发光区域的激光器元件， 在设所述副固定件的厚度为t时，所述多个开口部中的至少1个开口部的开口端与所 述副固定件端的水平方向最短距离X是且与所述开口部不同的其它开口部中的至少1个是 P2. 根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于， 取代权利要求1的在单个激光器元件中具有多个发光区域的激光器元件， 在所述副固定件上设置有多个在单个激光器元件中具有基于单个开口部的发光区域 的激光器元件，各自的开口部作为所述多个开口部。3. -种半导体激光器装置，在该半导体激光器装置中，在散热器上接合有在水平方向 和垂直方向具有各向同性的热传导率的副固定件，在该副固定件上W使具有有源层的一侧 朝向所述副固定件侧的方式安装有在单个激光器元件中具有基于多个开口部的多个发光 区域的激光器元件， 在设所述副固定件的厚度为t时，所述多个开口部中的至少1个开口部的开口端与所 述副固定件端的水平方向最短距离X是x/t《 0.5,且与所述开口部不同的其它开口部中的 至少1个是x/t〉0. 5。4. 一种半导体激光器装置，在该半导体激光器装置中，在散热器上接合有水平方向的 热传导率为kx、垂直方向的热传导率为ky的副固定件，在该副固定件上W使具有有源层的 一侧朝向所述副固定件侧的方式安装有在单个激光器元件中具有基于多个开口部的多个 发光区域的激光器元件， 在设所述副固定件的厚度为t时，所述多个开口部中的至少1个开口部的开口端与所 述散热器端的水平方向最短距离X是X《t?化x/ky)，且与所述开口部不同的其它开口部 中的至少1个是x〉t?化x/ky)。5. 根据权利要求4所述的半导体激光器装置，其特征在于， 取代权利要求4的在单个激光器元件中具有多个发光区域的激光器元件， 在所述副固定件上设置有多个在单个激光器元件中具有基于单个开口部的发光区域 的激光器元件，各自的开口部作为所述多个开口部。6. -种半导体激光器装置，在该半导体激光器装置中，在散热器上接合有在水平方向 和垂直方向具有各向同性的热传导率的副固定件，在该副固定件上W使具有有源层的一侧 朝向所述副固定件侧的方式安装有在单个激光器元件中具有基于多个开口部的多个发光 区域的激光器元件， 在设所述副固定件的厚度为t时，所述多个开口部中的至少1个开口部的开口端与所 述散热器端的水平方向最短距离X是x/t《 1.0,且与所述开口部不同的其它开口部中的至 少1个是x/t〉l. 0。
【专利摘要】在设副固定件厚度为t时，在多个开口部(10a、10b)中的至少1个开口部的开口端与副固定件(8)端的水平方向最短距离x是，且与开口部不同的其它开口部中的至少1个是。
【IPC分类】H01S5/022
【公开号】CN105210246
【申请号】CN201380076542
【发明人】藏本恭介, 柳泽隆行
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2013年5月13日
【公告号】EP2999062A1, US20160099543, WO2014184844A1