0个第二窗口试验。表2所示的例的情形下的可接合区域（黑 格）的个数为71个。未接合或接合器停止的区域（白格）的个数为29个。由该试验结果 可知，在线径粗而超声波输出较大的线的情况下，适当选择粗线的线径或被覆材的种类等 即可。
[0066] [表引
[0067] 利用超声波装置的第二窗口试验结果（刚制造后）
[0069] 之后，在将表1所示的表面改质银钮合金线（实施品1~实施品16)连续浸溃在 纯水或各个浓度的有机化合物溶液中之后，W各自的最适溫度进行调质热处理而得到本发 明的表面改质银钮合金线（实施品1~实施品16)。
[0070] (总有机碳量（TOC)的测定）
[0071] 总有机碳量（TOC)的测定如下进行。
[0072] 总有机碳量的测定中，分别对10,OOOm的纯银合金连接线进行称量，添加200g的 0.IN-NaOH水溶液，在水浴中煮沸30分钟来进行提取，冷却后，添加2. 5ml的8N-HC1，轻轻 振荡，W高纯度空气鼓泡15分钟。将其供给至岛津制作所制造的T0C-5000型有机碳测定 机，来测定有机碳浓度，由该值计算总有机碳重量，除W20ym直径的纯银合金连接线的表 面积，作为表面的非离子性表面活性剂的总有机碳量。
[0073] (实施品的第二窗口试验） 阳074] 接着，在将上述本发明的球接合用纯银合金连接线（实施品1~实施品16)在 20°CX湿度50%的清净室内保管96小时的前后，进行表2所示的第二窗口试验，获得表3 的结果。 W巧][表3]
[0077] 需要说明的是，关于第二窗口试验的好坏的判定中，将在全部100个区域中可接 合区域为60个W上设为O记号，将40~59个设为?记号，将39个W下设为X记号。另 夕F，作为第二接合性试验的合格水平，将最佳等级的例子设为O记号，将优秀等级的例子设 为?记号，将不合格水平的等级设为X来进行判断。但是，利用超声波装置的输出是按照 接合线的线径，W最适频率（40~120曲Z左右）及最适输出（0. 1~抓左右）来适当设定。 阳07引[比较例]
[00巧]与实施例同样地，由直径Imm的粗线分别获得直径15ym的线，连续浸溃在表I所 示的各个浓度的有机化合物溶液中，获得比较例的球接合用纯银合金连接线（比较品1~ 比较品3)。但是，比较品1及比较品2进行与实施例相同的中间热处理化00°CXO. 5小 时）。比较品3进行与实施例不同的中间热处理化00°CXO. 5小时及700°CXO. 5小时）。 需要说明的是，平均缩径率为6~20%、最终线速为100~300m/分钟。
[0080] 比较品1中，包围银钮合金的忍材的周围的钮（Pd)表面改质层的理论膜厚为 0.OSnniD
[0081] 比较品2中，包围银钮合金的忍材的周围的金（Au)表面改质层的理论膜厚为 20nm。表面改质层透明，但如后述的表3所示，窗口数少。
[00間比较品3中，包围银钮合金的忍材的周围的金（Au)表面改质层的理论膜厚为5皿。 但是，如后述的表3所示，窗口数少。运是因为，表面改质层因高溫的700°C的调质热处理而 消失。
[0083] 接着，针对将该比较品1~比较品3在20°CX湿度50%的清净室内保管96小时 前后的比较例的球接合用银钮合金连接，进行表2所示的第二窗口试验，得到表3的结果。
[0084] 由超声波的第二窗口试验明显可知，球接合用银钮合金连接（实施品1~实施品 16)是可接合区域全部有40个W上，即使接合条件稍微改变，也可得到稳定的超声波接合。 另一方面，比较例的球接合用银钮合金连接（比较品1~比较品3)是即使为刚制造后的接 合线，均仅有18个W下。而且可知，制造后在20°CX湿度50%的清净室内保管96小时后 的接合线是全部仅有10个W下，仅稍微变动接合条件，没有可接合区域，从而无法获得良 好的接合。
[00化]需要说明的是，可知本发明及比较例的球接合用银钮合金连接（实施品1~实施 品16及比较品1~比较品3)，即使超过1万m，也全都不会发生毛细管的堵塞，与至目前为 止同样地，毛细管的润滑性良好。
[0086] 产业上的可利用性
[0087] 本发明的表面改质银钮合金线除了通用1C、离散式1C、内存IC之外，还有虽为高 溫高湿的用途、但要求低成本的L邸用IC封装体、汽车半导体用IC封装体等半导体用途。
【主权项】
1. 一种表面改质银钯合金线的结构，其为由芯材和表面改质层构成的银钯合金线的结 构，所述芯材由纯度99. 99质量％以上的银（Ag)及纯度99. 9质量％以上的钯（Pd)所得的 Ag-Ι~5质量％Pd合金构成，所述表面改质层由纯度99. 99质量％以上的金（Au)、钯（Pd)、 钼（Pt)或其合金构成，所述表面改质银钯合金线的结构的特征在于， 该线表面为与该芯材的晶界一同在该线的长边方向以二十~三十ym宽度的间隔形 成交叉的深色环并且在该芯材的大小的纵长沟内埋设有该表面改质层的表面形态。2. -种表面改质银钯合金线的结构，其为由芯材和表面改质层构成的银钯合金线的结 构，所述芯材由纯度99. 99质量％以上的银（Ag)、及金（Au)或铂（Pt)、及纯度99. 9质量％ 以上的钯（Pd)所得的Ag-Ι~5质量％Pd-O. 05~10质量％ (Au或Pt)合金构成，所述表 面改质层由纯度99. 99质量％以上的金（Au)、钯（Pd)、铂（Pt)或其合金构成，所述表面改 质银钯合金线的结构的特征在于， 该线表面为与该芯材的晶界一同在该线的长边方向以二十~三十ym宽度的间隔形 成交叉的深色环并且在该芯材的大小的纵长沟内埋设有该表面改质层的表面形态。3. 如权利要求1或2所述的表面改质银钯合金线的结构，其特征在于，所述芯材进一步 包含总量为10~90质量ppm的Ca、La、Y、Eu、Ce或Ge中的至少1种。4. 如权利要求1或2所述的表面改质银钯合金线的结构，其特征在于，所述表面改质层 为纯度99. 999质量％以上的金（Au)。5. 如权利要求1或2所述的表面改质银钯合金线的结构，其特征在于，所述表面改质层 的厚度为由线整体的质量分析的结果算出的〇. 5~8nm的理论膜厚。6. 如权利要求1或2所述的表面改质银钯合金线的结构，其特征在于，在所述表面改质 银钯合金线的最上层进一步存在总有机碳量（TOC值）为50~3, 000μg/m2的有机碳层。7. 如权利要求1或2所述的表面改质银钯合金线的结构，其特征在于，所述总有机碳量 (TOC值）为 200~1，000μg/m2。8. 如权利要求1或2所述的表面改质银钯合金线的结构，其特征在于，所述表面改质银 钯合金线为无空气焊球用接合线。
【专利摘要】本发明涉及表面改质银钯合金线的结构。本发明的表面改质银钯合金线的结构为由芯材和表面改质层构成的表面改质银钯合金线的结构，所述芯材由纯度99.99质量％以上的银(Ag)及金(Au)及纯度99.9质量％以上的钯(Pd)所得的Ag-1～5质量％Pd合金或Ag-1～5质量％Pd-0.05～10质量％(Au或Pt)合金构成，所述表面改质层由纯度99.99质量％以上的金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)或其合金构成，所述表面改质银钯合金线的结构的特征在于，该线表面为与该芯材的晶界一同在该线的长边方向以二十～三十μm宽度的间隔形成交叉的深色环并且在该芯材的大小的纵长沟内埋设有该表面改质层的表面形态。
【IPC分类】H01L23/49
【公开号】CN105321917
【申请号】CN201510438069
【发明人】三上道孝, 刘斌, 安原和彦, 千叶淳, 冈崎纯一, 前田菜那子
【申请人】田中电子工业株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年7月23日