装置中，以防止氩气在地面集聚。
[0028]实施例6
[0029]在上述实施例的基础上，本实施例非封闭氩气保护工件台的底板3下设置有X-Y驱动装置9，所述X-Y驱动装置9驱动所述底板3在水平平面内移动。所述底板3与所述X-Y驱动装置9之间设置有支承杆5，升降驱动装置为双位气缸6。X-Y驱动装置9使工件台进行X和Y方向运动，激光束28在晶圆上进行光栅式扫描，使晶圆在氩气保护环境中合成钛硅化物。完成激光扫描后，非封闭氩气保护工件台在X-Y驱动机构作用下移至取放晶圆位置，双位气缸6的进气口 7进气，升降叉4在双位气缸6的作用下升起，智能机械手27将晶圆从升降叉4上取走之后，双位气缸6的进气口 8进气，升降叉4在双位气缸6的作用下下降至晶圆片22座上的升降叉4槽内。
[0030]实施例7
[0031]如图1-3所示，本实施例非封闭氩气保护工件台25包括底板3、设置在底板3上的若干侧板1，所述各侧依次板连接成蓄气筒体，所述侧板1底部设置有氩气管道12，所述氩气管道12与氩气供气装置连接。所述氩气管道12上设置有气体流量计或者所述氩气供气装置的出气口处设有气体流量计；所述侧板1上设置有氩气检测窗10，所述氩气检测窗10内设置有氩气检测片11。所述底板3上设置有升降叉4槽，与所述升降叉4槽对应的位置设置有升降叉4，所述升降叉4与双位气缸6连接，所述双位气缸6驱动升降叉4上下运动，当所述升降叉4运动到最低点时，所述升降叉4上表面与所述底板3上表面高度相同。所述底板3的下方设置有吸走溢出的氩气的排风管13，所述排风管13与集气装置连接。所述底板3下设置有X-Y水平驱动装置9，所述X-Y水平驱动装置9驱动所述底板3在水平平面内移动。所述底板3与所述X-Y水平驱动装置9之间设置有支承杆5。
[0032]本实施例非封闭氩气保护工件台25用于半导体器件与电路生产加工中激光形合成硅化物工艺中。半导体晶圆加工的激光系统如图2所示，主要组成部分有:大功率激光器21、扩束镜22、反射镜23、激光匀化整形器24，非封闭氩气保护工件台25，X-Y水平驱动机构以及电控系统。其工作过程如下:
[0033]1、放置晶圆:如图2所示，非封闭可氩气保护工件台在X-Y驱动机构作用下移至取放晶圆位置，升降叉4在双位气缸6作用下升起，智能机械手27将晶圆放于升降叉4上之后，升降叉4在双位气缸6作用下下降至晶圆片2座上的升降叉4槽内。非封闭可氩气保护工件台移至激光扫描起始位置。
[0034]2、充氩气:首次充气量约为非封闭氩气工件台腔壁所围成的体积的二分之一至三分之二。首次充气之后由于后续更换晶圆有一定的氩气损失，后续加工晶圆时是否需要补充氩气以及补充多少氩气，均根据事先进行的氩气检测结果决定。
[0035]3、激光扫描:由于氩气的密度大，沉于腔体底部，使晶圆表面处于惰性气体中。电控系统操作激光器21和X-Y驱动机构26使工件台进行X和Y方向运动，激光束28在晶圆上进行光栅式扫描，使晶圆在氩气保护环境中合成钛硅化物。
[0036]4、取走晶圆:完成激光扫描后，非封闭可氩气保护工件台在X-Y驱动机构26作用下移至取放晶圆位置，升降叉4在双位气缸6作用下升起，智能机械手27将晶圆从升降叉4上取走之后，升降叉4在双位气缸6作用下下降至晶圆片2座上的升降叉4槽内。
[0037]以上，仅为本发明的较佳实施例，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种非封闭氩气保护工件台，其特征在于:包括底板、设置在底板上的若干侧板，所述各侧依次板连接成蓄气筒体，所述侧板底部设置有氩气管道，所述氩气管道与氩气供气装置连接。2.如权利要求1所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述氩气管道上设置有气体流量计或者所述氩气供气装置的出气口处设有气体流量计。3.如权利要求1所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述侧板上设置有氩气检测窗，所述氩气检测窗内设置有氩气检测片。4.如权利要求1所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述底板上设置有升降叉槽，与所述升降叉槽对应的位置设置有升降叉，所述升降叉与升降驱动装置连接，所述升降驱动装置驱动升降叉上下运动，当所述升降叉运动到最低点时，所述升降叉上表面的高度不高于所述底板上表面高度。5.如权利要求1所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述底板的下方设置有吸走溢出的氩气的排风管，所述排风管与集气装置连接。6.如权利要求1所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述底板下设置有X-Y水平驱动装置，所述X-Y水平驱动装置驱动所述底板在水平平面内移动。7.如权利要求6所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述底板与所述X-Y水平驱动装置之间设置有支承杆。8.如权利要求4所述非封闭氩气保护工件台，其特征在于:所述升降驱动装置为双位气缸。
【专利摘要】本发明公开一种非封闭氩气保护工件台，主要针对现有技术下对需要保护的半导体晶圆片的激光加工时需要增加真空腔体及其抽真空机组使得激光退火系统变得庞大和复杂的问题，提出了一种非封闭氩气保护工件台，包括底板和分别与所述底板各边连接的若干侧板，所述各侧板连接成周向封闭的蓄气筒体，所述侧板底部设置有氩气管道，所述氩气管道的另一端连接有氩气供气装置的技术方案。本发明非封闭氩气保护工件台装置简单，改装方便。能够对半导体晶圆片形成良好的气体保护层。本发明非封闭氩气保护工件台转换方便，在既有的基础上能够进行低成本改造，降低了设备投资。本发明中激光发生设备与工件台互不干扰。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN105355579
【申请号】CN201510920250
【发明人】张伟, 严利人, 刘志弘, 刘荣华, 周伟, 王全
【申请人】清华大学, 上海集成电路研发中心有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年12月11日