半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法。
【背景技术】
[0002]一般而言，半导体芯片(包括GaN，SiC在内的第三代半导体芯片)只有经过封装后才能发挥应有的作用。封装的基本工艺包括固晶、回流焊、引线键合、注塑和成型等。对于射频和功率器件(含第三代半导体功率器件)而言，固晶工艺常用的焊料都含有Sn或Pb成分，在高温回流焊的过程中，这些Sn或Pb会挥发到引线框架上，引起污染，且难以清洗，造成引线框架上焊点的焊接质量下降，封装良品率的损失，严重的会产生潜在的可靠性问题。因此，防止污染对提高焊点质量，提高良品率，降低工艺成本具有十分重要的意义。现有的发明专利，有对芯片内部结构的设计改进，从而减少助焊剂挥发对芯片上焊盘的污染，但不能解决回流焊过程中引线框架上焊盘的污染问题。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术存在回流焊过程中焊盘污染的缺陷，提供一种半导体封装过程保护焊点免受污染的方法。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，步骤依次包括涂覆焊料、贴片、将焊盘隔离、回流焊、取消焊盘隔离、打线。
[0005]具体地，所述将焊盘隔离具体为，设置隔离框架将基板上的焊盘和与所述焊盘接近的焊料分隔开。利用隔离框架将焊盘与其接近的焊料分隔开，在回流焊过程中能够有效避免焊盘受污染。
[0006]进一步地，所述的隔离框架为横纵交错的若干隔离板组合而成。
[0007]作为优选，为便于所述隔离框架的安装，所述基板上设置有若干安装所述隔离框架的槽口。
[0008]作为优选，所述将焊盘隔离具体为，设置保护盖板盖在基板上的焊盘上。利用盖板将焊盘盖住，在回流焊过程中能够避免焊料对焊盘污染。
[0009]有益效果:本发明在回流焊工艺过程中，引入一道保护易受污染焊点的工序和保护装置，能够有效的解决焊点污染问题，且操作性强。能够提高良品率2%左右，同时消除了后期使用过程中脱焊现象等隐患。
【附图说明】
[0010]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0011]图1是贴片后结构不意图；
[0012]图2是开槽后结构示意图；
[0013]图3是安装隔离框架后的结构示意图；
[0014]图4是安装隔离框架后截面剖视图；
[0015]图5是打线后立体结构示意图；
[0016]图6是盖上盖板后结构示意图；
[0017]图7是盖上盖板后截面剖视图；
[0018]图8是实施例2打线后立体结构示意图。
[0019]其中:1.焊盘，2.芯片一，3.芯片二，4.基板，5.槽口，6.隔离框架，7.盖板，8.焊料。
【具体实施方式】
[0020]实施例1
[0021]—种半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，如下在基板4上涂覆焊料8，将芯片一(小)2和芯片二(大)3进行贴片，如图1所示，再利用隔离框架6将基板4上的焊盘1和与所述焊盘1接近的焊料8分隔开，如图3和4所示，然后进行回流焊，回流焊完成后，取下隔离框架6，然后进行打线处理，打线完成后如图5所示，最后进行切割。
[0022]其中为了便于隔离框架6的安装，所述的隔离框架6为横纵交错的若干隔离板组合而成，所述基板4上设置有若干安装所述隔离框架6的槽口 5，如图2所示。
[0023]其中芯片一 2采用环氧树脂焊料，为低温焊料，芯片二 3采用Sn/Pb焊料，为高温焊料，其中焊盘1、一个芯片一 2和一个芯片二 3形成一个功率器件，若干个功率器件整齐布置在基板4上。回流焊过程中对焊盘1影响较大的是Sn/Pb焊料，且在同一个功率器件中芯片二 3距离焊盘1较远，因此在回流焊过程中功率器件的芯片二 3对相邻的功率器件中的焊盘1影响较大，因此只需要利用隔离框架6将相邻的功率器件隔离开即可，如图3所不ο
[0024]实施例2
[0025]将实施例1中的隔离框架6替换为盖板7，将焊盘1隔离步骤具体为，将设置保护盖板7盖在基板4上的焊盘1上，如图6和7所示。利用盖板7将焊盘1盖住，在回流焊过程中能够避免焊料对焊盘1污染，回流焊完成后取下盖板7。其他条件同实施例1，经打线后如图8所示。
[0026]应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。由本发明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
【主权项】
1.一种半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，其特征在于:步骤依次包括涂覆焊料、贴片、将焊盘隔离、回流焊、取消焊盘隔离、打线。2.根据权利要求1所述的半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，其特征在于:所述将焊盘隔离具体为，设置隔离框架将基板上的焊盘和与所述焊盘接近的焊料分隔开。3.根据权利要求2所述的半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，其特征在于:所述的隔离框架为横纵交错的若干隔离板组合而成。4.根据权利要求2或3所述的半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，其特征在于:所述基板上设置有若干安装所述隔离框架的槽口。5.根据权利要求1所述的半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，其特征在于:所述将焊盘隔离具体为，设置保护盖板盖在基板上的焊盘上。
【专利摘要】本发明属于半导体封装技术领域，一种半导体封装过程中保护焊点免受污染的方法，步骤依次包括涂覆焊料、贴片、将焊盘隔离、回流焊、取消焊盘隔离、打线。有益效果：本发明在回流焊工艺过程中，引入一道保护易受污染焊点的工序和保护装置，能够有效的解决焊点污染问题，且操作性强。能够提高良品率2％左右，同时消除了后期使用过程中脱焊现象等隐患。
【IPC分类】H01L21/60
【公开号】CN105355575
【申请号】CN201510791160
【发明人】吕光军, 张 浩, 范供齐, 樊学军, 张国旗
【申请人】常州市武进区半导体照明应用技术研究院
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月17日