然已结合优选实施例描述了本发明，但本领域技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做各种修改和改变。
[0058]产业上的可利用性
[0059]如上所述，已经主要说明了这样的LED，其中，台面结构使得ρ型区域和η型区域被包括在发光堆叠结构上，从而第一电极结构和第二电极结构都可以设置在发光堆叠结构上。然而，应该注意的是，在发光堆叠结构上仅具有一个电极结构的垂直LED也在本发明的范围内。
【主权项】
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括: 发光堆叠结构，包括第一接触层和位于第一接触层的至少一部分上的台面结构； 第一电极结构，位于第一接触层上，并包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的延伸部分；以及 第二电极结构，位于台面结构上， 其中，第一电极结构包括形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层， 延伸部分包括与第一接触层接触的另一部分。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述从第一电极焊盘延伸的延伸部分形成线状图案。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，延伸部分的所述另一部分包括延伸部分的端部。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，第二电极结构包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘延伸的延伸部分。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述从第二电极焊盘延伸的延伸部分形成线状图案。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，第二电极结构包括形成在第二电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在从第二电极焊盘延伸的延伸部分的一部分下面的点图案电流屏蔽层。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层中的至少一个用作反射光的反射体。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，第一电极结构还包括: 接触材料层，覆盖形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层；以及 反射率比接触材料层的反射率高且绝缘性比接触材料层的绝缘性高的材料。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层包括分布式布拉格反射器。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括p型区域以及形成在P型区域上的透明电极层，其中，第二电极结构具有与透明电极层接触的一部分。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构包括III族氮化物基半导体层。12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，发光堆叠结构具有近似矩形或正方形的形状，并包括第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘、将第一边缘和第二边缘相互连接的第三边缘以及与第三边缘相对的第四边缘。13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，第一电极焊盘位于第一边缘附近，所述延伸部分从第一电极焊盘向第二边缘延伸。14.一种发光二极管，所述发光二极管包括: 发光堆叠结构，包括第一接触层以及位于第一接触层的至少一部分上的台面结构； 第一电极结构，位于第一接触层上；以及 第二电极结构，位于台面结构上， 其中，第一电极结构和第二电极结构中的至少一个包括反射体，所述反射体沿图案布置以反射光。15.根据权利要求14所述的发光二极管，其中: 第一电极结构，包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的至少一个延伸部分；第二电极结构，包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘延伸的至少一个延伸部分；反射体包括设置在第一电极焊盘和第二电极焊盘的至少一个下面的焊盘型反射体以及设置第一电极结构和第二电极结构的至少一个的延伸部分下面的点图案反射体。16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，第一接触层具有包括第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘、将第一边缘和第二边缘相互连接的第三边缘以及与第三边缘相对的第四边缘的形状， 其中，第一电极焊盘设置为与第二边缘相比更接近第一边缘，第二电极焊盘设置为与第一边缘相比更接近第二边缘。17.根据权利要求16所述的发光二极管，其中，第一电极结构包括从第一电极焊盘向第二边缘延伸的第一下延伸部分和第二下延伸部分，第一下延伸部分和第二下延伸部分的端部比邻近第一电极焊盘的开始部分彼此隔得更开。18.根据权利要求16所述的发光二极管，其中，第二电极结构包括: 第一上延伸部分、第二上延伸部分和第三上延伸部分，从第二电极焊盘向第一边缘延伸， 其中，第一上延伸部分围绕第一下延伸部分，第二上延伸部分围绕第二下延伸部分，第三上延伸部分向第一下延伸部分和第二下延伸部分之间的区域延伸。19.根据权利要求14所述的发光二极管，其中: 第一接触层包括η型半导体层，台面结构包括ρ型半导体层以及设置在ρ型半导体层上的透明电极层； 位于第一电极结构中的反射体与η型接触层的一部分接触； 位于第二电极结构中的反射体与透明电极层的一部分接触。20.根据权利要求19所述的发光二极管，其中，第一电极结构和第二电极结构包括覆盖第一电极焊盘、第二电极焊盘和延伸部分的焊盘材料层，其中，焊盘材料层包括连接反射体并且反射率比反射体的反射率低的材料。21.—种发光二极管，所述发光二极管包括: 发光堆叠结构，包括第一区域以及与第一区域分开的第二区域，发光堆叠结构具有包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、第三侧以及与第三侧相对的第四侧的形状； 第一电极结构，形成在第一区域上，并包括设置在发光堆叠结构的第一侧附近的第一电极焊盘以及从第一电极焊盘向发光堆叠结构的与第一侧相对的第二侧延伸的延伸部分; 第二电极结构，形成在第二区域上，并包括设置在发光堆叠结构的第二侧附近的第二电极焊盘以及从第二电极焊盘向第一侧延伸的延伸部分， 其中，第一电极结构和第二电极结构包括布置在第一电极结构和第二电极结构的延伸部分下面的反射体。22.根据权利要求21所述的发光二极管，其中，第一电极结构和第二电极结构的延伸部分分别包括分别向第三侧和第四侧延伸的两个区域。23.根据权利要求21所述的发光二极管，其中，第一电极结构的延伸部分与第二电极结构的延伸部分之间的距离通过这两个延伸部分的至少一部分保持在恒定值。24.根据权利要求21所述的发光二极管，其中，第一电极结构和第二电极结构的延伸部分在延伸部分的端部处直接连接到第一区域或第二区域。25.根据权利要求21所述的发光二极管，其中，第一区域包括η型半导体层，第二区域包括Ρ型半导体层。
【专利摘要】公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括：发光堆叠结构，包括第一接触层和位于第一接触层的至少一部分上的台面结构；第一电极结构，位于第一接触层上，并包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的延伸部分；第二电极结构，位于台面结构上，其中，第一电极结构包括形成在第一电极焊盘下面的焊盘型电流屏蔽层以及形成在第一电极结构的延伸部分下面的点图案电流屏蔽层，延伸部分包括与第一接触层接触的另一部分。
【IPC分类】H01L33/40, H01L33/38
【公开号】CN105355748
【申请号】CN201510665509
【发明人】金艺瑟, 郑多娟, 金京完, 尹馀镇, 吴尚炫
【申请人】首尔伟傲世有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2011年4月5日
【公告号】CN103081139A, CN103081139B, US9024345, US9269871, US20130146929, US20150236216, WO2012026660A1