过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比6:4混合成复合 微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在250MPa下进行等静压处理，得生巧，将生 巧先在500°C下预烧3.Oh，然后W15°C/min的速度升溫至1180°C烧结化，然后于1150°C固溶 3小时，并快速风冷到室溫，得到烧结巧；W10°C/min的升溫速度将烧结巧由室溫升溫到840 °0保溫时效6小时，随后WrC/min的冷却速率慢冷到520°C，并保溫4小时，即可制得本发明 的高性能复合磁体成品。
[0049] 实施例5
[0050] 分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空烙炼、快泽分 别制成SmCo薄带和NdFeB薄带;所述的SmCo合金为SmC〇7型磁体;所述NdFeB合金的组成成分 及质量百分比为炯:30.00%、8:1.00%、51:0.80%、6日:0.10%、07:0.50%、￥:0.10%、余量 为化。
[0051 ] 将SmCo薄带和NdFeB薄带分别在980°C下进行均匀化热处理Ih，然后进行粗破碎后 置于氨爆炉中氨爆，球磨化，分别得到粒度为3.0皿-5.Owii的SmCo微米晶磁粉和5.0皿-10.0 皿的N沁eB微米晶磁粉。
[0052] 首先通过超声震荡分散、揽拌预处理工艺，对SmCo微米晶磁粉和NcFeB微米晶磁粉 进行分散预处理W消除其团聚现象，接着使用偶联剂改变SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶 磁粉表面的极性，然后通过溶液揽拌将高烙点金属化合物包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB 微米晶磁粉外，在SmCo微米晶磁粉外形成厚度为10-20nm的包覆层，在NdFeB微米晶磁粉形 成厚度为30-50nm的包覆层的厚度;其中，所述的高烙点金属化合物包括高烙点金属面化 物、高烙点金属氨化物、高烙点金属氧化物，高烙点金属为?'、化、111、吐、化、1〇中的一种或 多种。
[0053] 将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按质量比9:1混合成复合 微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再在350MPa下进行等静压处理，得生巧，将生 巧先在600°C下预烧2.化，然后W20°C/min的速度升溫至1220°C烧结0.化，然后于1180°C固 溶2小时，并快速风冷到室溫，得到烧结巧；W30°C/min的升溫速度将烧结巧由室溫升溫到 820°C保溫时效5小时，随后W3°C/min的冷却速率慢冷到600°C，并保溫2小时，即可制得本 发明的高性能复合磁体成品。
[0054] 对比例1
[0055] 现有技术中普通的NdFeB磁体。
[0化6] 对比例2
[0化7] 现有技术中普通的SmCo磁体。
[0化引对比例3
[0059] 该对比例3为将实施例1中所述的SmCo与NdFeB未经包覆处理就混合，然后通过如 实施例1中所述的压制成型、等静电压处理、烧结固溶、时效得复合磁体。
[0060] 对比例4
[0061] 将对比例4为将实施例1中所述的SmCo与NdFeB经包覆处理后混合，然后通过现有 技术中普通的成型、烧结工艺制得复合磁体，即不经过实施例1中的烧结固溶、时效处理。
[0062] 将实施例1-5及对比例1-4中的磁体进行性能测试，结果如表1所示。
[0063] 表1:本发明实施例1-5及对比例1-4中的磁体性能测试结果
[0065] 综上所述，本发明不仅保证较高的磁性能，而且显著提高了磁体的溫度稳定性，能 够实现高性能和高溫度稳定性的良好匹配，且此工艺过程简单，适合于大规模批量化生产。
[0066] 本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领 域的技术人员可W对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，但并 不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
【主权项】
1. 一种高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤： 51、 分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分 别制成SmCo薄带和NdFeB薄带； 52、 将SmCo薄带和NdFeB薄带依次进行均匀化热处理、粗破碎、氢爆、球磨，分别得粒度 为3.0μηι-5.Ομπι的SmCo微米晶磁粉和5.0μηι-10.Ομπι的NdFeB微米晶磁粉； 53、 分别对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理、改性处理，然后通过 溶液搅拌将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外； 54、 将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按比例混合成复合微米晶 磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再经等静压处理，然后进行烧结固溶、时效处理，制得 本发明的高性能复合磁体成品。2. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述的SmCo合金为 SmC〇5、S1112C017或SmC〇7 型磁体。3. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述NdFeB合金的 组成成分及质量百分比为Nd:26.00%-30.00%、B:1.00%-2.50%、Si:0.80%-1.50%、Ga: 0.10%-0.20%、07:0.10%-0.50%、￥:0.10%-0.30%、余量为卩6。4. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述均匀 化热处理的温度为950-980°C，均匀化热处理的时间为l_3h。5. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述高恪 点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物。6. 根据权利要求5所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述高恪点金属为 Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。7. 根据权利要求5所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，高熔点金属化合物 在SmCo微米晶磁粉外形成的包覆层的厚度为10-20nm，在NdFeB微米晶磁粉形成的包覆层的 厚度为30_50nm〇8. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，复合微米晶磁粉中 NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉的质量百分比分别为60-90 %和10-40 %。9. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中等静压处 理的压力为25〇_35〇MPa。10. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的 烧结固溶为将等静压处理后的生坯先在500-600°C下预烧2.0-3.Oh，然后以15-20°C/min的 速度升温至1180-1220°C烧结0.5-2h，然后于1150°C_1180°C固溶2-3小时，并快速风冷到室 温，得到烧结坯。11. 根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的 时效处理为将烧结固溶得到的烧结坯由室温升温到820-840°C保温时效5-6小时，随后以1-3°C/min的冷却速率慢冷到520°C_600°C，并保温2-4小时;其中，时效处理时的升温速度为 10_30°C/min。
【专利摘要】本发明涉及一种高性能复合磁体的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。该制备方法包括：分别将SmCo合金和NdFeB合金配料、真空熔炼、快淬成薄带；再经均匀化热处理、粗破碎、氢爆、球磨，得粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉；然后分别对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理、改性处理，再通过溶液搅拌将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外；最后将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉混合，经压制成型、等静压处理、烧结固溶、时效处理，制得高性能复合磁体。本发明复合磁体的制备方法不仅保证较高的磁性能，而且显著提高磁体的温度稳定性，实现高性能和高温度稳定性的良好匹配。
【IPC分类】B22F3/16, H01F1/057, H01F41/02, B22F1/02
【公开号】CN105428050
【申请号】CN201510835798
【发明人】潘道良, 苏广春, 关井和, 胡剑
【申请人】宁波科星材料科技有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年11月26日