发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及将发光元件和巧光体组合的发光装置。
【背景技术】
[0002] 近年来，作为省能量性优良的发光元件，广泛利用有发光二极管化i曲t血itting Diode: W下也称为"L邸")。另外，将例如使用了氮化嫁（GaN)的半导体发光元件和由该发 光元件发出的光激励而发出黄色光的巧光的黄色巧光体组合而发出白色类的混色光的发 光装置作为照明用途而使用。
[0003] 另外，在照明的技术领域，为了活动的光的表演、将桥及建筑物等建造物照亮，也 进行白色类的混色光W外的彩色光的多彩光的表演。
[0004] 在此，已知有通常发出红色的单色光的LED、发出绿色的单色光的L邸及发出蓝色 的单色光的L邸等发出光的=原色各自的光的LED。但是，在将上述那样的发出单色光的 L邸组合使用的情况下，例如在发出红色的单色的L邸和发出蓝色的单色的LED中，构成 LED的半导体的材料不同，故而对各自的L邸施加的驱动电压也不同。其结果，若将运些驱 动电压的不同的L邸组合而构成发光装置，则不得不考虑针对上述的各个L邸不同的特性， 发光装置的构成及控制变得非常复杂，装置自身及运行的费用也增加。 阳0化]另一方面，也考虑代替发出单色光的LED,将发光元件和由该发光元件发出的光激 励的巧光体组合而形成发出单色光的发光装置。例如，在国际公开W02009 - 099211号中 公开有具有由紫外线发出蓝色光的发光元件、将来自该发光元件的光吸收而进行波长变换 的巧光体，发出红色光的发光装置。
[0006] 但是，将发光元件和巧光体组合而发出红色光的发光装置中，例如在形成为将发 出包含紫外线的光的发光元件、和由紫外线激励的巧光体组合的发光装置的情况下，构成 发光装置的部件的一部分（例如树脂）会由于紫外线而劣化。
[0007] 另外，特别是在发光装置小型的情况下，由于空间上的制约而不能配置可充分吸 收来自发光元件的光的量的巧光体。该情况下，若巧光体的量不足，则来自发光元件的光的 一部分作为来自发光装置的光而向外部放出，将本来未企图的颜色的光输出，其结果，会导 致作为发出单色的红色光的发光装置的所期望的色纯度降低。
[0008] 例如，国际公开W02009 - 099211号公开的巧光体，由于发光峰值波长为450nm的 激励光的反射率较高，故而为了使该巧光体发光而吸收足够的激励光，需要增加巧光体的 量。另一方面，特别是在小型的发光装置中，在能够将巧光体配置在发光装置的面积上有 限，不能配置对发出红色光而言足够量的巧光体。此时，来自发光元件的光中、被红色巧光 体吸收不完的光从发光装置向外部放出。目P，由于蓝色光的一部分向发光装置的外部放出， 故而作为发出红色的单色光的发光装置，不能够提高该红色的色纯度。
【发明内容】
[0009] 本发明是为了解决现有的问题点而设立的，其目的之一在于提供一种发出色纯度 高的红色的单色光的发光装置。
[0010] 为了实现上述目的，本发明一方面的发光装置具有：发光元件，其在400nm W上且 460nm W下的范围具有发光峰值；巧光体，其被来自所述发光元件的光激励，发出在600nm W上且700nm W下的范围具有发光峰值的巧光；密封部件，其包含将来自该发光元件的光 的一部分吸收的颜料，就CIE1931中的色度座标的X值而言，发光的色度处于X > 0. 600的 范围。
[0011] 根据上述构成，能够避免紫外线造成的劣化，在小型的发光装置中也能够得到发 出色纯度高的红色单色光的发光装置。
【附图说明】
[0012] 参考W下具体描述并结合附图，可W对本发明及其具有的优点获得更完整的理 解，其中：
[0013] 图1是本发明实施方式1的发光装置的示意平面图；
[0014] 图2A是图1的发光装置的II - II线的剖面图；
[001引图2B是关于变形例的发光装置，相当于图1的II - II线的位置的剖面图；
[0016] 图3是本发明实施方式2的发光装置的示意剖面图；
[0017] 图4是本发明实施方式3的发光装置的示意剖面图；
[0018] 图5是本发明实施方式4的发光装置的示意剖面图；
[0019] 图6是本发明实施方式5的发光装置的示意剖面图；
[0020] 图7是本发明实施方式6的发光装置的示意剖面图；
[0021] 图8是本发明实施方式7的发光装置的示意剖面图；
[0022] 图9是本发明实施方式8的发光装置的示意剖面图；
[0023] 图10是本发明实施方式9的发光装置的示意剖面图；
[0024] 图11是本发明实施方式1的颜料的SEM照片； 阳0巧]图12是本发明实施方式1的红色巧光体的沈M照片；
[00%] 图13是分别表示本发明实施方式1的颜料的反射光谱、发光元件的发光光谱、红 色巧光体的反射光谱、发光光谱、激励光谱的曲线图；
[0027]图14是表示本发明一实施例和比较例的发光装置的发光光谱的曲线图。 阳0測标记说明
[0029] 100、100'、200、300、400、500、600、700、800、900 :发光装置
[0030] 10 :发光元件 阳03U 20:第一引线 阳03引 30:第二引线 阳03引 40 :成形体
[0034] 50 :密封部件
[0035] 51 :第一密封部件
[0036] 52 :第二密封部件
[0037] 53 :第S密封部件
[0038] 60 :电线 阳039] 70 :巧光体
[0040] 80 :颜料
[0041] 88 :罩
【具体实施方式】
[0042] 下面参考附图对实施例进行描述，其中，在各附图中，相同的参考标记表示对应的 或相同的元件。W下所示的实施方式为本发明的技术思想的示例，本发明不限定在W下方 面。另外，本说明书并不将权利要求范围所示的部件特定为实施方式的部件。特别是，实施 方式记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有特别的特定记载，并非是 将本发明的范围仅限定于此的意思，只不过是简单的说明例。另外，各附图所示的部件的大 小及位置关系等为了使说明明确而会夸张表示。
[0043] 色名和色度座标的关系、光的波长范围和单色光的色名的关系等按照JIS Z8110。 具体地，380皿~410皿为紫色，410皿~455皿为蓝紫色，455皿~485皿为蓝色，485皿~ 495皿为蓝绿色，495皿~548皿为绿色，548皿~573皿为黄绿色，573皿~584皿为黄色， 584皿~610皿为黄红色，610皿~780皿为红色。另外，色度X值、y值为CIE1931的色度 座标的值。
[0044] 搭载有发光元件的发光装置具有炮弹型及表面安装型等各种形式。运里所说的炮 弹型发光装置是指，在成为向外部连接的连接电极的引线上配置发光元件，由将引线及发 光元件覆盖的密封部件构成，将密封部件形成为炮弹那样的形状的发光装置。另外，表面安 装型发光装置是指，在具有引线电极的成形体上配置发光元件及将该发光元件覆盖的密封 部件而形成的发光装置。另外，也具有在平板状的安装基板上安装发光元件，W将该发光元 件覆盖的方式将含有巧光体的密封部件形成为透镜状等的发光装置。
[0045] 基于图1及图2A对本发明实施方式1的发光装置进行说明。在运些图中，图1表 示发光装置100的示意平面图，图2A表示图1的发光装置100的II - II线的示意剖面图。 该发光装置100为表面安装型发光装置的一例。发光装置100具有发光元件10、载置该发 光元件10的成形体40。在成形体40形成有具有底面和侧面的凹部（空腔），在该凹部的 底面载置有发光元件10。成形体40具有一部分在凹部的底面露出的第一引线20和第二引 线30,由热可塑性树脂或热固化性树脂一体成形。发光元件10具有正负一对电极，该正负 一对电极经由电线60与第一引线20及第二引线30电连接。发光元件10及电线60被密 封部件50覆盖。密封部件50含有对来自发光元件10的光进行波长变换的巧光体70、将运 些发光元件10的发光吸收且使巧光体70的光反射的颜料80。W下，对各构成要素进行说 明。
[0046] (颜料 80)
[0047] 如图1及图2A所示，在密封部件50中含有巧光体70和颜料80。在图2A所示的 例中，巧光体70和颜料80被设置在相同的密封部件50中，巧光体70和颜料80在密封部 件50中大致均匀地分布而混合。运样，在发光装置的制造工序中，只要将巧光体和颜料和 密封部件的材料混合即可，故而与后述的其他实施方式相比，能够提高制造发光装置时的 操作性。
[0048] 颜料80能够将来自发光元件10的光中、不被巧光体70吸收且要透过密封部件50 的光有效地吸收，故而配置在发光元件10及巧光体70的周围。
[0049] 作为颜料80,在包含发出激励巧光体70的光的发光元件10的发光峰值波长的 400nm W上且460nm W下的波长范围的反射率为40% W下。优选为39%