发光器件和照明系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 实施例设及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装W及照明系统。
【背景技术】 阳〇〇引发光器件（LED)包括具有将电能转换成光能的特性的p-n结二极管。可W通过组 合周期表的III-V族元素形成p-n结二极管。L邸可W通过调节化合物半导体的组成比来 表现各种颜色。
[0003] 当正向电压被施加到L邸时，n层的电子与P层的空穴相组合，使得与在导带和价 带之间的能隙相对应的能量可W被释放。L邸发射像光一样的能量。
[0004] 例如，氮化物半导体表现优异的热稳定性和宽带隙能，使得氮化物半导体在光学 器件和高功率电子设备中已经被备受关注。具体地，采用氮化物半导体的蓝、绿W及UV发 光器件已经被商业化并且被广泛地使用。 阳〇化]根据电极的位置发光器件可W被分类成横向型和垂直型。
[0006] 在根据现有技术的发光器件当中的横向型发光器件被形成在其中氮化物半导体 层被形成在基板上，并且两个电极层被布置在氮化物半导体层上的结构中。
[0007] 同时，因为在大的区域上执行台面蚀刻所W根据现有技术的横向型发光器件具有 在能够发射光的有源层处引起的大的损耗。为了补偿损耗，执行各种尝试W确保更宽的有 源层。
[0008] 例如，根据现有技术，已经尝试W通过形成接触通过电极型的氮化物半导体层的 电极确保有源层的相对大的区域W允许电极被部分地或者电连接到氮化物半导体层使得 有源层的被去除的区域被减少。然而，因为操作电压VF被增加所W现有技术具有可靠性的 问题，并且因此，要求改进。
[0009] 另外，根据现有技术，由于电极层的光吸收可W降低光提取效率。
【发明内容】
[0010] 实施例是要提供一种具有优异的光效率和可靠性的发光器件、制造发光器件的方 法、W及发光器件封装和照明系统。
[0011] 另外，实施例是要提供一种具有优异的光效率和可靠性的发光器件、制造发光器 件的方法、W及发光器件封装和照明系统。
[0012] 为了实现目的，根据实施例，提供一种发光器件，其包括：基板105 ;在基板105上 的第一导电半导体层112 ;在第一导电半导体层112上的有源层114 ;在有源层114上的第 二导电半导体层116 ;在第二导电半导体层116上的接触层120 ;在接触层120上的绝缘层 130 ;第一分支电极146,该第一分支电极146被电连接到第一导电半导体层112 ;多个第一 通孔电极（via electrode) 145,其通过经过绝缘层130被连接到第一分支电极146并且被 电连接到第一导电半导体层112 ;第一焊盘电极142,该第一焊盘电极142被电连接到第一 分支电极146 ;第二焊盘电极152,该第二焊盘电极152通过经过绝缘层130来接触接触层 120 ;第二分支电极156,该第二分支电极156被连接到第二焊盘电极152并且被布置在绝 缘层130上；W及多个第二通孔电极155,其通过绝缘层130被提供W将第二分支电极156 电连接到接触层120。
[0013] 另外，根据实施例的发光器件包括发光结构110,该发光结构110包括第一导电半 导体层112、有源层114 W及第二导电半导体层116 ;第一分支电极146,该第一分支电极 146被电连接到第一导电半导体层112 ;多个第S通孔电极149,其被连接到第一分支电极 146并且通过经过预先确定的绝缘层130被电连接到第一导电半导体层112 ;第二分支电极 156,该第二分支电极156被电连接到第二导电半导体层116,同时在第二分支电极156和第 二导电半导体层116之间插入接触层120 ; W及多个第二通孔电极155,其被布置在第二分 支电极156和接触层120之间，同时经过绝缘层130。
[0014] 被电连接到第一导电半导体层112的第S通孔电极149中的一个具有比布置在接 触层130上的第二通孔电极155的第二水平宽度W宽的第S水平宽度W3。
[0015] 照明系统可W包括具有发光器件的发光单元。
[0016] 根据实施例，实施例能够提供具有优异的发光效率和可靠性的发光器件、制造发 光器件的方法、W及发光器件封装和照明系统。
[0017] 另外，根据实施例，实施例能够提供具有优异的光提取效率和可靠性的发光器件、 制造发光器件的方法、W及发光器件封装和照明系统。
【附图说明】
[001引图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图。
[0019] 图2是沿着图1的线1-1'截取的第一截面图。
[0020] 图3是图1的部分A的放大视图。
[0021] 图4是沿着图1的线II - II'截取的第二截面图。
[0022] 图5是根据现有技术的发光器件的一部分的照片。
[0023] 图6是根据第二实施例的沿着图1的线1-1'截取的第S截面图。
[0024] 图7是根据第二实施例的沿着图1的线II - II'截取的第四截面图。
[00巧]图8是根据第S实施例的沿着图1的线II - II'截取的第五截面图。
[0026] 图9是示出根据第四实施例的发光器件的平面图。
[0027] 图10是沿着图9的线III - Iir截取的第六截面图。
[0028] 图11是沿着图9的线IV - IV '截取的第屯截面图。
[0029] 图12是沿着图9的线III - Iir截取的第八截面图。
[0030] 图13是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。
[0031] 图14是示出根据实施例的照明设备的透视图。
【具体实施方式】
[0032] 在实施例的描述中，将会理解的是，当层（或者膜）、区域、图案、或者结构被称为 是在另一基板、另一层（或者膜）、另一区域、另一焊盘、或者另一图案"上"或者"下"时，其 能够"直接地"或者"间接的"在另一基板、层（或者膜）、区域、焊盘、或者图案上，或者也可 W存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述了层的运样的位置。 阳〇3引（实施例）
[0034] 图1是示出根据第一实施例的发光器件100的平面图。图2是沿着图1的线1-1' 截取的第一截面图。图4是沿着图1的线II-II'截取的第二截面图。
[0035] 如在图2中所示，根据第一实施例的发光器件100可W包括基板105、形成在基板 105上的第一导电半导体层112、形成在第一导电半导体层112上的有源层114、W及形成在 有源层114上的第二导电半导体层116。第一和第二导电半导体层112和116 W及有源层 114可W组成发光结构110。
[0036] 另外，如在图2中所示，根据第一实施例的发光器件100可W包括接触层120,该接 触层120形成在第二导电半导体层116上；绝缘层130,该绝缘层130形成在接触层120上； 第一分支电极146,该第一分支电极146被电连接到第一导电半导体层112 ; W及第一焊盘 电极142,该第一焊盘电极142被连接到第一分支电极146使得第一电极142被电连接到第 一导电半导体层112。
[0037] 另外，根据第一实施例的发光器件100可W包括多个第一通孔电极145,所述多个 第一通孔电极145被连接到第一分支电极146并且经过绝缘层130使得第一通孔电极145 被电连接到第一导电半导体层112。
[003引第一电极140可W包括第一焊盘电极142、第一分支电极146 W及第一通孔电极 145。
[0039] 如在图4中所示，根据第一实施例的发光器件100可W包括第二焊盘电极152,经 过绝缘层130的该第二焊盘电极152接触接触层120 ;第二分支电极156,该第二分支电极 156被布置在绝缘层130上同时被连接到第二焊盘电极152 ; W及第二通孔电极155,该第 二通孔电极155被插入在第二分支电极156和接触层120之间同时经过绝缘层130。
[0040] 第二电极150可W包括第二焊盘电极152、第二分支电极156 W及第二通孔电极 155〇
[0041] 在下文中，将会参考图2a和图3描述根据实施例的发光器件100的特性。虽然在 图1、图2a W及图3中示出根据第一实施例的横向型发光器件，但是实施例不限于此。
[0042] 根据第一实施例，基板105可W包括绝缘基板或者导电基板。例如，基板105可W 包括蓝宝石（Al2〇3)、SiC、Si、GaAs、