膜开关为单一薄膜开关。
[0049]实施例3:
[0050]一种薄膜开关，所述薄膜开关利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0051]所述导体层包括金属铝钨合金，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯;导体的电阻为0.4 Ω。
[0052]所述绝缘体层包括如下组分:Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0053]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0054]所述薄膜开关为单一薄膜开关。
[0055]实施例4:
[0056]—种薄膜开关，所述薄膜开关利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0057]所述导体层包括金属铝钨合金，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯;导体的电阻为0.4 Ω。
[0058]所述绝缘体层包括如下组分:Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0059]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为lum。
[0060]所述薄膜开关为单一薄膜开关。
[0061 ] 实施例5:
[0062]—种薄膜开关，所述薄膜开关利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0063]所述导体层包括金属单质铜，CoSi2(二硅化钴)、TiSi2(二硅化钛)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯;导体的电阻为0.1 Ω。
[0064]所述绝缘体层包括如下组分:Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为96Ω。
[0065]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0066]所述薄膜开关为单一薄膜开关。
[0067]实施例6:
[0068]—种薄膜开关，该薄膜开关由A、B薄膜开关整合在一起。
[0069]所述薄膜开关A利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0070]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨稀;导体的电阻为0.5 Ω。[0071 ] 所述绝缘体层包括如下组分:Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0072]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0073]所述薄膜开关B利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0074]所述导体层包括金属单质铜，CoSi2(二硅化钴)、TiSi2( 二硅化钛)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯;导体的电阻为0.1 Ω。
[0075]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为96Ω。
[0076]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0077]实施例7:
[0078]—种薄膜开关，该薄膜开关由A、B薄膜开关整合在一起。
[0079]所述薄膜开关A利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0080]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨稀;导体的电阻为0.5 Ω。
[0081 ] 所述绝缘体层包括如下组分:Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0082]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0083]所述薄膜开关B利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0084]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨稀;导体的电阻为0.5 Ω。
[0085]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0086]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0087]实施例8:
[0088]—种薄膜开关，该薄膜开关由A、B薄膜开关整合在一起。
[0089]所述薄膜开关A利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0090]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨稀;导体的电阻为0.5 Ω。
[0091 ] 所述绝缘体层包括如下组分:Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0092]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0093]所述薄膜开关B利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0094]所述导体层包括金属铝钨合金，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯;导体的电阻为0.4 Ω。
[0095]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0096]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0097]实施例9:
[0098]—种薄膜开关，该薄膜开关由A、B薄膜开关整合在一起。
[0099]所述薄膜开关A利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0100]所述导体层包括金属铝钨合金，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯;导体的电阻为0.4 Ω。
[0101]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和HfO2,单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0102]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0103]所述薄膜开关B利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0104]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨稀;导体的电阻为0.5 Ω。
[0105]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和HfO2,单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0106]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0107]实施例10:
[0108]—种薄膜开关，该薄膜开关由A、B薄膜开关整合在一起。
[0109]所述薄膜开关A利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0110]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨稀;导体的电阻为0.5 Ω。
[0111]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和Hf O2，单层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0112]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0113]所述薄膜开关B利用薄膜的导体-绝缘体-导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关。
[0114]所述导体层包括金属单质铝，TiN(氮化钛)、TaN(氮化铊)、CoSi2(二硅化钴)和TiSi2(二硅化钛)，掺杂的多晶硅，导电的无机/有机高分子聚合物，单层石墨烯；导体的电阻为0.05 Ω。
[0115]所述绝缘体层包括如下组分= Al2O3和HfO2,多层石墨烯，塑料;绝缘体层的电阻为56Ω。
[0116]上述薄膜开关的制备方法，通过真空沉积工艺，在不同的支持基质上形成导体层和绝缘体层。导体/绝缘体/导体堆叠厚度为1mm。
[0117]实施例11:
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