稀土永磁体及稀土永磁体的制备方法

稀土永磁体及稀土永磁体的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种稀土永磁体及稀土永磁体的制备方法，该稀土永磁体所述材料由磁体表面沿磁场取向方向至磁体内部5μm～100μm深度存在重稀土元素体积扩散现象，形成体积扩散层区；将体积扩散区划分为体积10﹡100﹡5um的磁体单元，体积扩散层内各个位置磁体单元的重稀土元素的浓度差在0.5at％以下。本发明提供了一种在不影响产品剩磁Br和最大磁能积(BH)max的前提下，具有高内禀矫顽力Hcj的烧结钕铁硼磁体。在稀土永磁体的制备方法中，将涂覆重稀土源浆料的毛坯磁体在真空条件下进行微波热处理。该方法能够有效地提高加热效率，缩短热处理时间，降低能量的消耗，削减磁体的生产成本。
【专利说明】
稀±永磁体及稀±永磁体的制备方法
技术领域
[0001] 本发明属于稀±永磁体制备技术领域，特别是设及一种在基本不损失剩磁的前提 下提高磁体的内禀矫顽力的稀±永磁体的制备方法，W及利用运种方法制备的稀±永磁 体。
【背景技术】
[0002] 目前，烧结钦铁棚最大磁能积的实验室水平已经非常接近其理论极限值。生产水 平与该极限值的差别也不大，但其内禀矫顽力则远远低于理论极限值，存在很大的提升空 间。随着钦铁棚磁体应用领域的不断发展，更高的矫顽力也成为业内人±追求的重点。于 是，如何充分发挥钦铁棚主相的内在特性，提高烧结钦铁棚的内禀矫顽力H。，，就成了当前热 点研究的问题。
[0003] 多年的基础研究和生产实践表明，在磁体生产过程中加入Dy (元素铺）、Tb (铺） 等重稀±元素，使其置换磁体中的部分Nd W提高烧结NdFeB磁体的矫顽力已经成了 一种众 所周知的有效方法。
[0004] 主要原因是Dyz化mB或化2化mB晶体具有比NdzFewB晶体更高的磁晶各向异性场， 也就是具有更大的理论内禀矫顽力。
[000引 Dy、化部分取代主相刷2化中的Nd后，生成的固溶相（Nd, Dy)zFewB或 (Nd, Tb)zFewB的磁晶各向异性场比刷2化大，因而可W明显提高烧结磁体的矫顽力。
[0006] Dy、化的加入方法通常有：合金烙炼过程直接加入Dy、化；或富DyAb合金与钦铁 棚合金双合金方法。但是，运两种方法的弊端就是会明显降低磁体的饱和磁化强度，特别是 直接烙炼的方法，从而导致了磁体的剩磁和最大磁能积的降低。因为在Nd2Fel4B主相中， Nd与化的磁矩正向平行排列，两者的磁矩是同向叠加；而DyAb与化为反铁磁禪合，Dy/ 化的磁矩与化磁矩反向叠加，导致了总磁矩的削弱。
[0007] 另外，相对于Nd而言，含Dy、Tb的矿藏储量稀少且主要分布在少数几个地域，Dy、 化金属的价格远高于Nd金属，运种导致了磁体生产成本的显著增加。
[0008] 近几年，晶界热扩散工艺被用来有效提高烧结钦铁棚磁体的内禀矫顽力，且很少 降低磁体的剩磁和磁能积。该工艺首先通过涂覆、沉积、锻覆、瓣射、粘覆等方法使磁体外部 覆盖含有重稀±元素的物质层，如Dy或化的金属粉末或化合物，通过热处理使重稀±元素 沿着富Nd的液态晶界相扩散到磁体内部。热处理过程中，晶界中DyAb扩散的速度比晶界 中DyAb向主相晶粒内部扩散的速度快得多。
[0009] 利用该扩散速度差，调整热处理溫度和时间，将在烧结体主相和富稀±相之间产 生一个很薄的、连续的、含重稀上元素的壳层。
[0010] 由于NdFeB烧结磁体矫顽力由主相粒子的各向异性决定，因此在主相晶粒外，包 覆高浓度重稀±元素壳层的NdFeB烧结磁体具有高矫顽力。而运种浓度较高的区域仅限于 各主相晶粒的表层，其体积与主相晶粒的体积比很低，因此磁体的剩磁度r)和最大磁能积 基本上不会变化。
[0011] 例如，日本信越化学株式会社的专利申请公开的CN1898757A给出了一种磁体表 面的渗锻技术。将烧结毛巧加工成薄的磁体，用由重稀±微米级细粉分散于水或有机溶剂 中所形成的浆液，来浸涂磁体，然后在真空或惰性气体气氛下，在不高于烧结溫度下对磁体 进行热处理。结果使矫顽力有较多提高，而剩磁基本不降低。运种方法既节约了重稀±的 使用，又抑制了剩磁的下降。
[0012] W上方法可W在一定程度上提高H。,，而且都需要一个在900°C左右、为时数小时 的晶界热扩散处理过程，W使得磁体表面的重稀±元素向磁体内部移动，并在磁体主相晶 粒表面形成高含量壳层，最终达到提高磁体矫顽力的目的。
[0013] 然而，由于采用的是常规加热方式（普遍为电阻加热），加热机制W福射、传导为 主，加热效率低。同时，由于真正发生重稀±金属元素晶界热扩散的区域只集中在磁体表层 一定范围内，因此，对磁体忍部不参与扩散过程的部分加热就意味着能量的浪费，进而提高 了生产成本。
[0014] 如果能够有效地提高加热效率，同时有选择的进行局域性加热，就可W简化工艺， 缩短热处理时间，降低能量的消耗，削减磁体的生产成本。

【发明内容】

[0015] 本发明的第一目的是提供一种稀±永磁体。
[0016] 本发明的第二目的是提供一种稀±永磁体的制备方法。
[0017] 为了实现上述第一目的，本发明提供一种稀±永磁体，所述材料由磁体表面沿磁 场取向方向至磁体内部5 y m~100 y m深度存在重稀±元素体积扩散现象，形成体积扩散 层区；将体积扩散区划分为体积10 * 100 * Sum的磁体单元，体积扩散层内各个位置磁体 单元的重稀±元素的浓度差在〇.5at% W下。本发明中，at%为原子数百分含量。
[0018] 本发明如上所述的稀±永磁体，优选地，所述重稀±元素为化和/或Dy。
[0019] 本发明如上所述的稀±永磁体，优选地，在磁体的体积扩散区和内部磁体之间 存在晶界扩散区，所述内部磁体中重稀±含量与未扩散前磁体中重稀±含量差不大于 0. lat% ;所述晶界扩散区中至少有70%数量的晶粒具有壳-忍结构，其中所述忍部重稀± 元素的含量低于所述壳部重稀上元素的含量，二者至少相差Iat %，优选相差1~4at %。所 述磁体由外至内依次为体积扩散区、晶界扩散区和内部磁体。
[0020] 为了实现上述第二目的，本发明提供一种如上所述稀±永磁体的制备方法，包括 W下步骤：
[0021] 步骤1，制备出毛巧磁体；
[0022] 步骤2,制备重稀±源浆料：将重稀±元素金属的粉末、含有重稀±元素的合金、 含有重稀±元素的固溶体、含有重稀±元素的化合物的任意一种或一种W上，与有机溶剂 混合均匀制成重稀±源浆料；
[0023] 步骤3,将重稀±源浆料涂覆到毛巧磁体的至少一个表面上形成涂覆层；
[0024] 步骤4,微波热处理：对涂覆后的毛巧磁体在真空条件下进行微波热处理；热处理 溫度为650°C~1000°C，保溫时间为1分钟~60分钟。
[00巧]本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，在步骤4之后还包括步骤5， 对步骤4微波热处理后获得的毛巧磁体进行常规热处理，常规热处理的溫度为400°C~ 600 °C，保溫时间为60分钟~300分钟。
[0026] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，所述毛巧磁体在最小厚度方 向上，厚度不超过10mm。
[0027] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，所述重稀±元素包括但不限 于Dy、化和化；所述重稀±元素的金属粉末中至少含有一种重稀±元素，粉末平均颗粒度 为 1 Jim ~100 Ji m。
[0028] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，含有重稀±元素的化合物包 括：稀±金属的氨化物、稀±金属的氣化物、稀±金属的氧化物、稀±金属的硝酸盐水合物 中的至少一种。
[0029] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，含有重稀±元素的合金表示 为Ra-Mb或者表示为R JA;
[0030] 其中R选自重稀±元素中的至少一种；M选自Al、Si、C、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、 化、6日、66、2'、佩、]?〇、4旨、111、511、訊、册、1'日、胖、？6和81中的至少一种元素，1'是选自化和 Co中的至少一种；
[003。 a和b ;x，y和Z为对应元素的原子百分数，并且：15<b《99,余量为a ;5《x《85， 15<z《95,余量为y，并且y大于0。
[0032] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，所述有机溶剂为醇类、醋类和 烧控中的至少一种。
[0033] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，所述涂覆层的厚度小于或等 于 0. 5mm。
[0034] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，在步骤3之前，还包括对毛巧 磁体进行表面处理的步骤，W清除表面的氧化层。
[0035] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，在步骤3之后，还包括对涂覆 后的毛巧磁体进行干燥挥发处理的步骤，W去除涂覆层中的有机溶剂。优选地，干燥挥发处 理的步骤中，干燥溫度为20°C~200°C，干燥时间至少为1分钟。
[0036] 本发明如上所述的稀±永磁体的制备方法，进一步，，步骤5完成后，采取快速冷 却或随炉冷却的方式将毛巧磁体冷却至l〇〇°C W下，然后对毛巧磁体进行表面处理，W去除 毛巧磁体表面的涂覆层。
[0037] 本发明的有益效果是：
[0038] 本发明在不影响产品剩磁化和最大磁能积度H)max的前提下，提高烧结钦铁棚磁 体的内禀矫顽力化j，并且能够有效地提高加热效率，缩短热处理时间，降低能量的消耗，削 减磁体的生产成本。
[0039] 本发明通过将微波热处理与晶界热扩散相结合，通过改善晶界的边界特征及其与 主相晶粒的相互作用，提高主相晶粒表面层的磁晶各向异性场，进而提高烧结钦铁棚磁体 的内禀矫顽力化j，同时，对剩磁化和最大磁能积度H)max影响很小。
[0040] 传统工艺在进行晶界热扩散时所采用的常规热源加热，加热主要机制为福射和传 导，加热从外向内进行，加热时间长；本发明中在进行晶界热扩散时，采用的加热方式为冷 源加热，主要利用微波与样品作用产生吸波效果，并通过调节微波发射频率，可W使趋肤深 度与扩散深度相匹配。进而将电磁能转化为热能，实现加热的目的，属于体加热范畴，运种 方式具有加热速度快、加热均匀的特点。而且近期的研究表明，在某些化学反应中采用微波 加热技术，可W有效降低化学反应活化能，从而降低化学反应的溫度，并提高化学反应的速 度，属于活化热处理的一种。因此，扩散时间较常规热源加热而言大为减少。
【附图说明】
[0041] 图1为电磁波波谱图；
[004引图2为实施例1及对比例1-1、1-2、1-3中磁体的退磁曲线；
[0043] 图3为实施例2及对比例2-1、2-2、2-3中磁体的退磁曲线；
[0044] 图4a为实施例1磁体抛光截面边缘处的背散射照片；图4b为对比例1-1磁体抛 光截面边缘处的背散射照片；
[0045] 图5a为实施例2磁体抛光截面边缘处的背散射照片；图b为对比例2-1磁体抛光 截面边缘处的背散射照片；
[0046] 图6a为实施例1磁体抛光截面边缘处能谱分析；
[0047] 图化为为实施例1磁体抛光截面边缘处的区域特征电镜照片；
[004引图7为对比例1-1磁体抛光截面边缘处能谱分析。
【具体实施方式】
[0049] 下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，实施例中未注明具体条件 者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可W 通过市购获得的常规产品。
[0050] 本发明是通过将微波热处理工艺与晶界热扩散技术相结合，通过改善晶界特性及 其与主相晶粒的相互作用，提高主相晶粒表面层的磁晶各向异性场，进而在几乎不降低剩 磁及磁能积的前提下提高烧结钦铁棚磁体的内禀矫顽力。
[0051] 微波是介于无线电波与红外线之间的电磁波，波长Imm~Im,频率为 300MHZ-300GHZ (由于微波的频率很高，也叫做超高频电磁波），如图1所示。微波与其它波 段的电磁波相比，具有波长短、频率高、穿透能力强、量子特性明显等特点。其波长范围与地 球上的一般物体的尺寸相比处于同一个数量级或更小，与其它可见光一样（除激光外），微 波是极化和相干波，遵循光的物理定律，它与物质的相互作用根据物理性质不同，可W被透 过、吸收或反射，即具有选择性。同时，微波具有渡越时间效应、福射效应和趋肤效应。
[0052] 由于微波对于金属来讲存在趋肤效应，因此吸波深度不深，而对于晶界热扩散而 言，扩散也发生在样品表面一定深度（宏观磁体及单个晶粒），因此，可W通过改变微波发 射频率使吸波深度与晶界热扩散深度相匹配。
[0053] 即使趋肤深度不深，在传导作用下，被微波加热的磁体样品也能够快速的实现整 体升溫，运就即实现了加热，又很大程度上避免了未发生晶界热扩散的磁体内部（宏观磁 体及单个晶粒）的加热损失，节约了能量，降低了成本。
[0054] 对于非金属材料的烧结，如在陶瓷烧结领域，微波加热的应用已经比较广泛，运些 尝试和应用主要是利用了微波热处理的活化机理和体积效应W及某些材料的高的吸波效 率。然而，对于近实密度的金属块体材料而言，由于存在吸波趋肤效应，大量微波被反射，作 用深度不足，块体内部存在明显的溫度梯度，所W，传统的技术思维认为微波加热不能直接 用于传统意义上的均匀热处理环节。然而，对于本发明所面临的晶界热扩散（GBD)而言，由 于渗透元素是从样品表面向块体内部移动，所W主要反应在块体表面发生，因此，内部的高 溫对促进反应并无实质性的贡献，运就为本发明采用微波热处理提供了相当的创新空间。
[0055] 下面，详细说明本发明所述稀±永磁体的制备方法的基本过程。
[0056] a,制备出毛巧磁体；所谓常规工序，通常是：配料-合金烙炼-条带制备-粉碎制 粉-成形-烧结，W制备出毛巧磁体。
[0057] 优选地，所述毛巧磁体在最小厚度方向上，厚度不超过10mm。
[0058] b，制备重稀±源浆料：将重稀±元素金属的粉末、含有重稀±元素的合金、含有重 稀±元素的固溶体、含有重稀±元素的化合物、稀±金属的硝酸盐水合物的任意一种或一 种W上，与有机溶剂混合均匀制成重稀±源浆料；
[0059] 所述重稀±元素包括但不限于Dy、化和化；所重稀±元素的金属粉末中至少含有 一种重稀±元素，粉末平均颗粒度为1 y m~100 Ji m。
[0060] 含有重稀±元素的化合物包括：稀±金属的氨化物、稀±金属的氣化物、稀±金属 的氧化物中的至少一种。
[0061] 含有重稀±元素的合金表示为Ra-Mb或者表示为R JyM,;
[0062] 其中R选自重稀±元素中的至少一种；M选自Al、Si、C、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、 化、6日、66、2'、佩、]?〇、4旨、111、511、訊、册、1'日、胖、？6和81中的至少一种元素，1'是选自化和 Co中的至少一种；
[006引 a和b ;x，y和Z为对应元素的原子百分数，并且：15<b《99,余量为a ;5《x《85， 15<z《95,余量为y，并且y大于0。
[0064] 所述有机溶剂为醇类、醋类和烧控中的至少一种。例如，乙醇、丙醇、乙酸乙醋、正 己烧。
[0065] C，对毛巧磁体进行表面处理，W清除表面的氧化层。
[0066] d，将重稀±源浆料涂覆到毛巧磁体的至少一个表面上形成涂覆层；
[0067] 优选地，所述涂覆层的厚度小于或等于0. 5mm。
[0068] e，对涂覆后的毛巧磁体进行干燥挥发处理，W去除涂覆层中的有机溶剂。更优选 地，干燥挥发处理的步骤中，干燥溫度为20°C~200°C，干燥时间至少为1分钟。
[0069] f，微波热处理：对涂覆后的毛巧磁体在真空条件下进行微波热处理；热处理溫度 为650°C~1000°C，保溫时间为1分钟~60分钟；微波热处理后，采取快速冷却或随炉冷却 的方式将毛巧磁体冷却至l〇〇°CW下；
[0070] 优选地，微波热处理过程中，微波频率为2450 + 50MHZ，功率在0~IOkW之间。在 微波热处理过程中，通过调节微波发射频率使趋肤深度与扩散深度相匹配。
[0071] g，对微波热处理后获得的毛巧磁体进行常规热处理，常规热处理的溫度为 400°C~600°C，保溫时间为60分钟~300分钟。常规热处理后，采取快速冷却或随炉冷却 的方式将毛巧磁体冷却至l〇〇°C W下。
[0072] h，对毛巧磁体进行表面处理，W去除毛巧磁体表面的涂覆层。
[0073] W上步骤，可W根据具体的工作环境或要求，做出适当的调整或者改变。
[0074] 实施例1
[0075] 采取常规工序但不包括回火处理步骤制备烧结钦铁棚毛巧磁体，磁体成分 (wt.%)为（PrNd)3o.日Alo.2日COl.oCuo.lGao.lFebalBo.g7，磁体尺寸。7mmX3.3mm，取向方向与轴向 平行。
[007引将5g平均粒度为5 ii m的化化粉末与20ml无水乙醇揽拌，形成浆料。
[0077] 采用薩涂的方式将磁体表面均匀涂覆浆料，磁体上下端面的涂覆厚度为0.2mm。将 样品放入真空环境中进行常溫脱醇处理30分钟；
[0078] 然后对表面涂有浆料的磁体进行两级热处理。
[0079] 第一级是将表面涂有浆料的磁体放入真空微波处理炉内进行微波加热处理，微波 频率2450MHz，加热溫度设定为920°C，保溫3min，保溫完成后停止微波发射；
[0080] 采用风冷方式进行样品冷却，至样品溫度低于100°C后，取出样品。
[0081] 然后进行第二级热处理，将一级热处理后的样品放入常规真空热源加热炉内进行 480°C真空热处理150分钟，然后采用随炉或风冷方式将样品冷却至100°C-下，将磁体取 出；
[0082] 采用机加工方式将磁体表面残余重稀±源层去掉，进行磁体性能检测。
[0083] 对比例1-1
[0084] 对比例1-1与实施例1的唯一区别是第一级热处理采用常规热源加热，保溫120 分钟。
[00财 对比例1-2
[0086] 对比例1-2与对比例1-1的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0087] 对比例1-3
[008引对比例1-3与实施例1的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0089] 表1实施例1与对比例1的磁性能
[0090]
[0091] 注：Hk刃当磁体磁感强度等十90 %剩磁时的外加磁场值。
[009引 实施例2
[0093] 准备常规工序但不包括回火处理步骤制备烧结钦铁棚毛巧磁体，磁体成分 (wt.%)为（PrNd)3o.日Alo.2日COl.oCuo.lGao.lFebalBo.g7，磁体尺寸。7mmX3.3mm，取向方向与轴向 平行。
[0094] 将5g粒度为5 y m的DyFs粉末与20ml无水乙醇揽拌，形成浆料。
[0095] 采用薩涂的方式将磁体表面均匀涂覆浆料，样品两个端面的涂覆厚度为0. 15mm。
[0096] 将样品放在开放环境中进行常溫脱醇处理120分钟；
[0097] 然后对表面涂有浆料的磁体进行两级热处理；
[0098] 第一级是将表面涂有浆料的磁体放入真空微波处理炉内进行微波加热处理，发射 功率2450MHz，加热溫度设定为900°C，保溫3min，保溫完成后停止微波发射，随炉冷却至样 品溫度低于l〇〇°C后，取出样品。
[0099] 然后进行第二级热处理，将一级热处理后的样品放入常规真空热源加热炉内进行 490°C真空热处理160分钟，然后采用随炉或风冷方式将样品冷却至IOCTCW下，将磁体取 出；
[0100] 采用机加工方式将磁体表面残余重稀±源层去掉，进行磁体性能检测。
[0101] 对比例2-1
[0102] 对比例2-1与实施例2的唯一区别是第一级热处理采用常规热源加热，保溫150 分钟。
[0103] 对比例2-2
[0104] 对比例2-2与对比例2-1的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0105] 对比例2-3
[0106] 对比例2-3与实施2的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0107] 表2实施例2与对比例2的磁性能 [010 引
[010引 往化刃当磁体磁感强巧导十90 %剩磁町的外加磁场但。
[0110] 实施例3
[0111] 采取常规工序（但不包括回火处理步骤）制备烧结钦铁棚毛巧磁体，磁体成分 (wt.%)为（PrNd)3o.日Alo.2日COl.oCuo.lGao.lFebalBo.g7，磁体尺寸。7mmX3.3mm，取向方向与轴向 平行。
[0112] 将5克50wt%氧化铺、30wt%具有Mg化2型结构的金属间化合物（其成分为2% Ce-22 % Nd-16 % Dy-15 % 化-2 % Ho-40. 8 % 化-1 % Co-O. 1 % Cu-O. 5 % Ni-O. 2 % Ga-O. 2 % 化-0. 2% Ti)和20wt%六水硝酸铺的混合粉末与20ml无水乙醇揽拌，形成浆料。
[0113] 采用薩涂的方式将磁体表面均匀涂覆浆料，磁体上下端面的涂覆厚度优选为 0. 2mm ;将样品放入真空环境中，进行常溫脱醇处理30分钟；
[0114] 之后，对表面涂有浆料的磁体进行两级热处理：
[0115] 第一级热处理，是将表面涂有浆料的磁体放入真空微波处理炉内进行微波加热处 理，微波频率2450MHz，加热溫度设定为900°C，保溫3min，保溫完成后停止微波发射，
[0116] 采用风冷方式进行样品冷却，至样品溫度低于100°C后，取出样品。
[0117] 然后，进行第二级热处理，将一级热处理后的样品放入常规真空热源加热炉内进 行480°C真空热处理150分钟，然后采用随炉或风冷方式将样品冷却至100°C-下，将磁体 取出，
[0118] 采用机加工方式将磁体表面残余重稀±源层去掉，便于进行磁体性能检测。
[0119] 对比例3-1
[0120] 对比例3-1与实施例3的唯一区别是第一级热处理采用常规热源加热，保溫120 分钟。
[0121] 对比例3-2
[0122] 对比例3-2与对比例3-1的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0123] 对比例3-3
[0124] 对比例3-3与实施例3的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0125] 表3实施例3与第S组对比例的磁性能
[0126]
[0127]
[012引 注：Hk刃当磁体磁感强巧导十90 %剩磁町的外加磁场但。
[0129] 实施例4
[0130] 采取常规工序（但不包括回火处理步骤）制备烧结钦铁棚毛巧磁体，磁体成分 (wt. %)为（PrNd)3〇.5Al〇.25C〇i.(AiaiGaaiFebaiB〇.g7,磁体尺寸。7mmX3. 3mm，取向方向与轴向 平行。
[0131] 将5g平均粒度为15 Jim的60wt%氧化铺、20wt%五水硝酸铁和20wt% DyHx的混 合粉末与20ml无水乙醇揽拌，形成浆料。
[0132] 采用薩涂的方式将磁体表面均匀涂覆浆料，磁体上下端面的涂覆厚度优选为 0. 2mm ;将样品放入真空环境中，进行常溫脱醇处理30分钟；
[0133] 之后，对表面涂有浆料的磁体进行两级热处理：
[0134] 第一级热处理，是将表面涂有浆料的磁体放入真空微波处理炉内进行微波加热处 理，微波频率2450MHz，加热溫度设定为920°C，保溫3min，保溫完成后停止微波发射，
[0135] 采用风冷方式进行样品冷却，至样品溫度低于100°C后，取出样品。
[0136] 然后，进行第二级热处理，将一级热处理后的样品放入常规真空热源加热炉内进 行500°C真空热处理150分钟，然后采用随炉或风冷方式将样品冷却至100°C-下，将磁体 取出，
[0137] 采用机加工方式将磁体表面残余重稀±源层去掉，便于进行磁体性能检测。
[0138] 对比例4-1
[0139] 对比例4-1与实施例4的唯一区别是第一级热处理采用常规热源加热，保溫115 分钟。
[0140] 对比例4-2
[0141] 对比例4-2与对比例4-1的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[014引 对比例4-3
[0143] 对比例4-3与实施例4的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0144] 表4实施例4与第四组对比例的磁性能
[0145]
[0146] 注：Hk为当磁体磁感强度等于90 %剩磁时的外加磁场值。
[0147] 实施例5
[0148] 采取常规工序（但不包括回火处理步骤）制备烧结钦铁棚毛巧磁体，磁体成分 (wt.%)为（PrNd)3o.日Alo.2日COl.oCuo.lGao.lFebalBo.g7，磁体尺寸。7mmX3.3mm，取向方向与轴向 平行。
[0149] 将5g平均粒度为5 y m的60wt % Dy化和40wt % PrNdHx混合粉末与20ml无水乙 醇揽拌，形成浆料。
[0150] 采用薩涂的方式将磁体表面均匀涂覆浆料，磁体上下端面的涂覆厚度优选为 0. 2mm ;将样品放入真空环境中，进行常溫脱醇处理30分钟；
[0151] 之后，对表面涂有浆料的磁体进行两级热处理：
[0152] 第一级热处理，是将表面涂有浆料的磁体放入真空微波处理炉内进行微波加热处 理，微波频率2450MHz，加热溫度设定为910°C，保溫3min，保溫完成后停止微波发射，
[0153] 采用风冷方式进行样品冷却，至样品溫度低于100°C后，取出样品。
[0154] 然后，进行第二级热处理，将一级热处理后的样品放入常规真空热源加热炉内进 行480°C真空热处理150分钟，然后采用随炉或风冷方式将样品冷却至100°C-下，将磁体 取出，
[0155] 采用机加工方式将磁体表面残余重稀±源层去掉，便于进行磁体性能检测。
[0156] 对比例5-1
[0157] 对比例5-1与实施例5的唯一区别是第一级热处理采用常规热源加热，保溫150 分钟。
[015引 对比例5-2
[0159] 对比例5-2与对比例5-1的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0160] 对比例5-3
[0161] 对比例5-3与实施例5的区别是磁体进行热处理前没有表面涂覆工艺。
[0162] 表5实施例5与第五组对比例的磁性能
[0163]
[0164] 江：Hk刃a悦悦W西独设守了 yu
紘叫的條:切1且。
[0165] 本发明通过将微波热处理与晶界热扩散相结合，通过改善晶界特征及其与主相晶 粒的相互作用，提高主相晶粒表面层的磁晶各向异性场，进而提高烧结钦铁棚磁体的内禀 矫顽力化j，同时，对剩磁化和最大磁能积度H)max影响很小。
[0166] 图2中的退磁曲线是表1中的经过微波扩散处理、热处理后样品磁性能与烧结态 样品的性能比较，通过图2的结果说明经过微波处理后产品磁性能的提高。其中，图2种的 "烧结态样品"是指步骤1制备完成后的磁体。
[0167] 图3中的退磁曲线是表2中的经过微波扩散处理、热处理后样品磁性能与烧结态 样品的性能比较，通过图3的结果说明经过微波处理后产品磁性能的提高。其中，图3种的 "烧结态样品"是指步骤1制备完成后的磁体。
[016引表1列出了实施例1、对比例1-1、对比例1-2和对比例1-3磁体的磁性能。其中：
[0169] 实施例1采用了本发明中的方法，W化-化作为重稀±原材料，采用微波加热技术 进行重稀±元素的晶界热扩散，
[0170] 而对比例1-1则采用了常规的加热方法进行了相同材料的扩散。
[0171] 对比例1-2和对比例1-3都是对未进行表面涂覆的原始烧结样品进行的同步热处 理对比样，对比例1-2与对比例1-1的热处理工序一致，对比例1-3与实施例1的热处理工 序一致。
[0172] 从表1中展示的数据可W看出，对于未涂覆的烧结态样品，无论经过微波处理（对 比例1-3)还是常规热处理（对比例1-2)，其磁性能基本相同。而对于经过表面重稀±源 涂覆的烧结态样品，经过微波热处理后，其矫顽力较没有涂覆的样品提高了 3.化Oe左右， 而且剩磁基本没有变化，虽然矫顽力提高效果不如对比例1-1，但是由于保溫时间只有3分 钟，远远小于对比例1-1的保溫时间，因此存在明显的工业应用价值。
[0173] 从图4a的显微结构照片看，在实施例1的样品边缘位置化元素渗透效果明显， 扩散量明显大于对比例1-1样品（图4b)。图6a中区域1为经过微波扩散处理后的实施 1样品表面残留的涂覆层，由于微波源使用功率偏高，实施例1样品边缘沿磁体取向深度方 向存在体积扩散区，厚度约为70 y m，从图6a中区域2和3的能谱分析结果看，此区域中化 的含量分别为8at%和7. 5at%，二者相差0. 5at%，可见体积扩散区内扩散的重稀±元素 浓度差较小。当检测深度提高到100-200 ym时（图6a的区域4和5)，化的含量分别为 2.19曰*%和0.45曰*%。区域4和5中70%^上晶粒体现出明显的壳-忍结构。检测深度 超过350 ym后，如图6a的区域6,则很难检测到明显的化含量。图化标示出了实施I中 样品体积扩散区和晶界扩散区的范围。
[0174] 而对比例1-1的体积扩散深度则较实施例1小，大概为25 ym，当检测深度超过 200 ym后，则很难检测到明显的化含量（图7)。说明在相同最高热处理溫度的条件下，由 于微波热处理的活化作用，扩散反应的效果更佳明显。图7中未看到明显的体积扩散区。 [01巧]通过改变微波的发射功率、频率及热处理溫度、保溫时间，可W对扩散后磁体内部 的显微结构及磁性能进行调整。
[0176] 表2列出了实施例2、对比例2-1、对比例2-2和对比例2-3磁体的磁性能，其中：
[0177] 实施例2采用了本发明中的方法，W Dy-F作为重稀±源材料，采用微波加热技术 进行重稀±元素的晶界热扩散，
[017引而对比例2-1则采用了常规的加热方法进行了相同材料的扩散。
[0179] 对比例2-2和对比例2-3都是对未进行表面涂覆的原始烧结样品进行的同步热处 理对比样，对比例2-2与对比例2-1的热处理工序一致，对比例2-3与实施例2的热处理工 序一致。
[0180] 从表2中展示的数据可W看出，对于未涂覆的烧结态样品，无论经过微波处理（对 比例2-3)还是常规热处理（对比例2-2)，其磁性能基本相同。
[0181] 而对于经过表面重稀±源涂覆的烧结态样品，经过微波热处理后，其矫顽力较没 有涂覆的样品提高了 2.化Oe左右，而且剩磁基本没有变化，虽然矫顽力提高效果不如对比 例2-1，但是由于保溫时间只有3分钟，远远小于对比例1的保溫时间，因此存在明显的工业 应用价值。
[0182] 从图5a的显微结构照片看，在实施例2的样品边缘位置Dy元素渗透效果明显，与 对比例2-1样品（图5b)相当，由此可W得知，可W通过微波加热溫度和加热时间调整，对 样品的性能进行优化。
[0183] W上实施例仅为本发明的示例性实施例，不用于限制本发明，本发明的保护范围 由权利要求书限定。本领域技术人员可W在本发明的实质和保护范围内，对本发明做出各 种修改或等同替换，运种修改或等同替换也应视为落在本发明的保护范围内。
【主权项】
1. 一种稀土永磁体，其特征在于，所述材料由磁体表面沿磁场取向方向至磁体内部 5 μ m~100 μ m深度存在重稀土元素体积扩散现象，形成体积扩散层区；将体积扩散区划分 为体积10 * 100 * 5um的磁体单元，体积扩散层内各个位置磁体单元的重稀土元素的浓度 差在0· 5at%以下。2. 根据权利要求2所述的稀土永磁体，其特征在于，重稀土元素为Tb和/或Dy。3. 根据权利要求1或2所述的稀土永磁体，其特征在于，在磁体的体积扩散区和内部磁 体之间存在晶界扩散区；所述内部磁体中重稀土含量与未扩散前磁体中重稀土含量差不大 于0. lat %;所述晶界扩散区中至少有70 %数量的晶粒具有壳-芯结构，其中所述芯部重稀 土元素的含量低于所述壳部重稀土元素的含量，二者至少相差lat %。4. 权利要求1-3任一项所述稀土永磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，制备出毛坯磁体； 步骤2,制备重稀土源浆料：将重稀土元素金属的粉末、含有重稀土元素的合金、含有 重稀土元素的固溶体、含有重稀土元素的化合物的任意一种或一种以上，与有机溶剂混合 均匀制成重稀土源浆料； 步骤3,将重稀土源浆料涂覆到毛坯磁体的至少一个表面上形成涂覆层； 步骤4,微波热处理：对涂覆后的毛坯磁体在真空条件下进行微波热处理；热处理温度 为650°C~1000°C，保温时间为1分钟~60分钟。5. 根据权利要求1所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，在步骤4之后还包 括步骤5,对步骤4微波热处理后获得的毛坯磁体进行常规热处理，常规热处理的温度为 400 °C~600 °C，保温时间为60分钟~300分钟。6. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，所述毛坯磁体在最 小厚度方向上，厚度不超过l〇mm。7. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，所述重稀土元素包 括但不限于Dy、Tb和Ho ;所述重稀土元素的金属粉末中至少含有一种重稀土元素，粉末平 均颗粒度为1 μ m~100 μ m。8. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，含有重稀土元素的 化合物包括：稀土金属的氢化物、稀土金属的氟化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的硝酸 盐水合物中的至少一种。9. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，含有重稀土元素的 合金表示为Ra_M b或者表示为RxTyMz; 其中R选自重稀土元素中的至少一种；Μ选自Al、Si、C、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、 6〇、2厂他、]?〇、厶8、111、511、513、!^、了3、￥、？13和祀中的至少一种元素，1'是选自卩6和(：〇中 的至少一种； a和b ;x，y和z为对应元素的原子百分数，并且：15〈b彡99,余量为a ;5彡X彡85， 15〈z < 95,余量为y，并且y大于0。10. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为 醇类、酯类和烷烃中的至少一种。11. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，所述涂覆层的厚 度小于或等于0. 5mm。12. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，在步骤3之前，还 包括对毛坯磁体进行表面处理的步骤，以清除表面的氧化层。13. 根据权利要求4或5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，在步骤3之后，还 包括对涂覆后的毛坯磁体进行干燥挥发处理的步骤，以去除涂覆层中的有机溶剂。14. 根据权利要求13所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，干燥挥发处理的步 骤中，干燥温度为20°C~200°C，干燥时间至少为1分钟。15. 根据权利要求5所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，步骤5完成后，采取快 速冷却或随炉冷却的方式将毛坯磁体冷却至l〇〇°C以下，然后对毛坯磁体进行表面处理，以 去除毛坯磁体表面的涂覆层。
【文档编号】H01F41/02GK105845301SQ201510498280
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年8月13日
【发明人】陈治安, 钮萼, 朱伟, 陈风华, 何叶青, 饶晓雷, 胡伯平, 王浩颉
【申请人】北京中科三环高技术股份有限公司