双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法
【专利摘要】本发明公开一种双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法。该双面覆晶薄膜封装结构至少包含一金属层、一第一绝缘层、一第二绝缘层、一晶片及一封装胶。第一绝缘层是设置于金属层的一第一面且第二绝缘层是设置于金属层的一第二面。第一面与第二面是彼此相对。第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分。第一部分与第二部分之间具有一容置空间并有部分的第一面露出。晶片是容置于容置空间内并设置于露出的部分的第一面上。封装胶填充于晶片与第一部分以及晶片与第二部分之间的空间，以形成双面覆晶薄膜封装结构。
【专利说明】
双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法
技术领域
[0001]本发明是与覆晶薄膜(Chip On Film, C0F)有关，尤其是关于一种双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]请参照图1，图1为传统的双面覆晶薄膜封装结构的示意图。如图1所示，传统的双面覆晶薄膜封装结构I至少包含一聚亚酰胺(Polyimide，PI)绝缘层10、一第一铜箔层
12、一第二铜箔层14、一晶片16、一保护层17及一底部填充胶(Underfill) 18。其中，第一铜箔层12与第二铜箔层14是分别设置于聚亚酰胺绝缘层10的相对的第一面1A与第二面1B上。
[0003]由于分别位于聚亚酰胺绝缘层10上下两侧的第一铜箔层12与第二铜箔层14彼此之间需要电性导通，因此，在传统的双面覆晶薄膜封装结构I的工艺上，还需要贯穿聚亚酰胺绝缘层10以形成通孔(Via Hole) 19，并采用通孔电镀工艺使得第一铜箔层12与第二铜箔层14能够通过通孔19而彼此电性导通。然而，上述制作通孔与电镀的步骤很可能会导致整体工艺变得较为复杂，量产时的良率亦随之下降，也连带使得传统的双面覆晶薄膜封装结构的制作成本大幅增加，不利于其市场竞争力。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提出一种双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法，以有效解决现有技术所遭遇到的上述种种问题。
[0005]根据本发明的一具体实施例为一种双面覆晶薄膜封装结构。于此实施例中，该双面覆晶薄膜封装结构至少包含一金属层、一第一绝缘层、一第二绝缘层、一晶片及一封装胶。第一绝缘层是设置于金属层的一第一面上且第二绝缘层是设置于金属层的一第二面上。第一面与第二面是彼此相对。第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分。第一部分与第二部分之间具有一容置空间并有部分的第一面露出。晶片是容置于容置空间内并设置于露出的部分的第一面上。封装胶是填充于晶片与第一部分以及晶片与第二部分之间的空间，以形成双面覆晶薄膜封装结构。
[0006]于一实施例中，金属层为铜箔。
[0007]于一实施例中，第一绝缘层及第二绝缘层为聚亚酰胺(Polyimide，PI)。
[0008]于一实施例中，封装胶为底部填充胶(Underfill)。
[0009]于一实施例中，该第一绝缘层还包含与该第二部分分隔的一第三部分，该第二部分与该第三部分之间具有另一容置空间并有另一部分的该第一面露出，一被动元件是容置于该另一容置空间内并设置于露出的该另一部分的第一面上。
[0010]根据本发明的另一具体实施例为一种双面覆晶薄膜封装结构制造方法。于此实施例中，该方法至少包含下列步骤:提供一金属层，该金属层具有一第一面及一第二面，并且该第一面与该第二面是彼此相对；分别将一第一绝缘层及一第二绝缘层设置于该金属层的该第一面及该第二面上；于该第一绝缘层上形成露出部分的该第一面的一容置空间，并使得该第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分；将一晶片容置于该容置空间内并设置于露出的该部分的第一面上；以及将一封装胶填充于该晶片与该第一部分以及该晶片与该第二部分之间的空间，以形成该双面覆晶薄膜封装结构。
[0011]于一实施例中，该金属层为铜箔。
[0012]于一实施例中，该第一绝缘层及该第二绝缘层为聚亚酰胺。
[0013]于一实施例中，该封装胶为底部填充胶。
[0014]于一实施例中，双面覆晶薄膜封装结构制造方法进一步包含下列步骤:于该第一绝缘层上形成露出另一部分的该第一面的另一容置空间，并使得该第一绝缘层还包含与该第二部分分隔的一第三部分；以及将一被动元件容置于该另一容置空间内并设置于露出的该另一部分的第一面上。
[0015]相较于现有技术，由于本发明所提出的双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法是采用两绝缘层分别设置于金属层的上下两侧的架构，能够省去图1所示传统的双面覆晶薄膜封装结构I所需的制作通孔与电镀的工艺，故可大幅简化整体工艺的复杂度，有效提升量产时的良率，也连带降低双面覆晶薄膜封装结构的制作成本，有助于其市场竞争力。
[0016]此外，由于整个双面覆晶薄膜封装结构中的线路均会位于同一个金属层内，故其能够维持与单面覆晶薄膜封装结构同样优异的可靠度，并可通过目前常用的半加成工艺(Sem1-Additive Process, SAP)或蚀刻(Etching)等技术达到接脚间距密集化(FinePitch)的具体功效，其最小的接脚间距甚至可达到15微米左右，亦有助于整个双面覆晶薄膜封装结构的体积缩小。
[0017]关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。
【附图说明】
[0018]图1为传统的双面覆晶薄膜封装结构的示意图。
[0019]图2为根据本发明的一较佳具体实施例的双面覆晶薄膜封装结构的示意图。
[0020]图3为根据本发明的另一较佳具体实施例的双面覆晶薄膜封装结构的示意图。
[0021]图4为根据本发明的另一较佳具体实施例的双面覆晶薄膜封装结构制造方法的流程图。
[0022]图5A至图5G分别图示对应于图4中的各流程步骤的示意图。
[0023]主要元件符号说明:
[0024]SlO?S22:流程步骤
[0025]1:传统的双面覆晶薄膜封装结构
[0026]10:聚亚酰胺绝缘层
[0027]12:第一铜箔层
[0028]14:第二铜箔层
[0029]16:晶片
[0030]17:保护层
[0031]18:底部填充胶
[0032]19:通孔
[0033]2、2’:双面覆晶薄膜封装结构
[0034]20:金属层
[0035]20A:金属层的第一面
[0036]20B:金属层的第二面
[0037]22:第一绝缘层
[0038]22A:第一绝缘层的第一部分
[0039]22B:第一绝缘层的第二部分
[0040]22C:第一绝缘层的第三部分
[0041]24:第二绝缘层
[0042]26:晶片
[0043]28:封装胶
[0044]30:被动元件
[0045]CS、CS’:容置空间
【具体实施方式】
[0046]根据本发明的一较佳具体实施例为一种双面覆晶薄膜封装结构。于此实施例中，该双面覆晶薄膜封装结构是用以封装一晶片，并且该晶片可以是运用于一显示装置的一驱动晶片，但不以此为限。
[0047]请参照图2，图2为此实施例中的双面覆晶薄膜封装结构的示意图。如图2所示，双面覆晶薄膜封装结构2至少包含一金属层20、一第一绝缘层22、一第二绝缘层24、一晶片26及一封装胶28。
[0048]于此实施例中，第一绝缘层22是设置于金属层20的一第一面20A上且第二绝缘层24是设置于金属层20的一第二面20B。其中，金属层20的第一面20A与第二面20B是彼此相对，例如图2所示的金属层20的上表面与下表面，但不以此为限。
[0049]为了使得晶片26能够耦接金属层20，第一绝缘层22包含彼此分隔的一第一部分22A与一第二部分22B。第一部分22A与第二部分22B之间具有一容置空间CS并有部分的金属层20的第一面20A露出于外。因此，晶片26即可容置于第一部分22A与第二部分22B之间的容置空间CS内并设置于露出的部分的金属层20的第一面20A上，以与金属层20形成耦接。
[0050]此外，为了妥善地完成晶片26的封装，以避免晶片的运作受到外界的影响，封装胶28会用来填充于晶片26与第一绝缘层22的第一部分22A之间的空间以及晶片26与第一绝缘层22第二部分22B之间的空间，以形成双面覆晶薄膜封装结构2。
[0051]于实际应用中，金属层20可以是铜箔或其他具有良好导电性的金属材料，第一绝缘层22及第二绝缘层24可以是聚亚酰胺(Polyimide, PI)或其他具有良好绝缘性的绝缘材料，封装胶28可以是底部填充胶或其他能够有效填充于晶片26与第一绝缘层22的第一部分22A之间的空间以及晶片26与第一绝缘层22第二部分22B之间的空间的填充材料，但不以此为限。
[0052]需说明的是，图2中的双面覆晶薄膜封装结构2亦可180度上下颠倒后变成晶片26设置于金属层20下方的另一实施例，亦为本发明所所欲保护的范围。
[0053]接着，请参照图3，于另一双面覆晶薄膜封装结构2’中，第一绝缘层22除了包含彼此分隔的第一部分22A与第二部分22B之外，还包含了与第二部分22B分隔的第三部分22C。第二部分22B与第三部分22C之间具有另一容置空间CS’并会有另一部分的金属层20的第一面20A露出于外。此时，被动元件30即可容置于第二部分22B与第三部分22C之间的另一容置空间CS’内并设置于露出的另一部分的金属层20的第一面20A上，以与金属层20形成耦接。
[0054]根据本发明的另一具体实施例为一种双面覆晶薄膜封装结构制造方法。于此实施例中，该双面覆晶薄膜封装结构制造方法是用以制造一双面覆晶薄膜封装结构，但不以此为限。
[0055]请参照图4及图5A至图5G，图4为此实施例中的双面覆晶薄膜封装结构制造方法的流程图。图5A至图5G分别图示对应于图4的各流程步骤的示意图。
[0056]如图4及图5A所示，于步骤SlO中，该方法提供一金属层20，其中金属层20具有第一面20A及第二面20B，并且第一面20A与第二面20B是彼此相对。于实际应用中，金属层20可以是铜箔或其他具有良好导电性的金属材料，但不以此为限。
[0057]如图4及图5B所示，于步骤S12中，该方法分别将第一绝缘层22及第二绝缘层24设置于金属层20的第一面20A及第二面20B上。于实际应用中，第一绝缘层22及第二绝缘层24可以是聚亚酰胺(Polyimide，PI)或其他具有良好绝缘性的绝缘材料，但不以此为限。
[0058]如图4及图5C所示，于步骤S14中，该方法于第一绝缘层22上形成露出部分的金属层20的第一面20A的容置空间CS，并使得第一绝缘层22包含彼此分隔的第一部分22A与第二部分22B。于实际应用中，该方法可通过常见的蚀刻法对第一绝缘层22进行蚀刻至显露出金属层20为止，即可完成步骤S14。
[0059]如图4及图所示，于步骤S16中，该方法将一晶片26容置于容置空间CS内并设置于露出的部分的第一面20A上。于实际应用中，晶片26可以是运用于一显示装置的一驱动晶片，但不以此为限。
[0060]如图4及图5E所示，于步骤S18中，该方法将一封装胶28填充于晶片26与第一部分22A之间的空间以及晶片26与第二部分22B之间的空间内，以形成如同图2所图示的双面覆晶薄膜封装结构2。于实际应用中，封装胶28可以是底部填充胶或其他能够有效填充于晶片26与第一部分22A之间的空间以及晶片26与第二部分22B之间的空间的填充材料，但不以此为限。
[0061]如图4及图5F所示，于步骤S20中，该方法亦可进一步于第一绝缘层22上形成露出另一部分的第一面20A的另一容置空间CS’，并使得第一绝缘层22还包含与第二部分22B分隔的第三部分22C。该另一容置空间CS’是位于第二部分22B与第三部分22C之间。
[0062]如图4及图5G所示，于步骤S22中，该方法将一被动元件30容置于该另一容置空间CS’内并设置于露出的另一部分的第一面20A上，以形成如同图3所图示的双面覆晶薄膜封装结构2’。
[0063]相较于现有技术，由于本发明所提出的双面覆晶薄膜封装结构及其制造方法是采用两绝缘层分别设置于金属层的上下两侧的架构，能够省去图1所示传统的双面覆晶薄膜封装结构I所需的制作通孔与电镀的工艺，故可大幅简化整体工艺的复杂度，有效提升量产时的良率，也连带降低双面覆晶薄膜封装结构的制作成本，有助于其市场竞争力。
[0064]此外，由于整个双面覆晶薄膜封装结构中的线路均会位于同一个金属层内，故其能够维持与单面覆晶薄膜封装结构同样优异的可靠度，并可通过目前常用的半加成工艺或蚀刻等技术达到接脚间距密集化的具体功效，其最小的接脚间距甚至可达到15微米左右，亦有助于整个双面覆晶薄膜封装结构的体积缩小。
[0065]通过以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所公开的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。
【主权项】
1.一种双面覆晶薄膜封装结构，其特征在于，至少包含: 一金属层，具有一第一面及一第二面，并且该第一面与该第二面是彼此相对； 一第一绝缘层，是设置于该金属层的该第一面上，该第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分，该第一部分与该第二部分之间具有一容置空间并有部分的该第一面露出； 一第二绝缘层，是设置于该金属层的该第二面上； 一晶片，是容置于该容置空间内并设置于露出的该部分的第一面上；以及一封装胶，是填充于该晶片与该第一部分以及该晶片与该第二部分之间的空间，以形成该双面覆晶薄膜封装结构。2.如权利要求1所述的双面覆晶薄膜封装结构，其特征在于，该金属层为铜箔。3.如权利要求1所述的双面覆晶薄膜封装结构，其特征在于，该第一绝缘层及该第二绝缘层为聚亚酰胺。4.如权利要求1所述的双面覆晶薄膜封装结构，其特征在于，该封装胶为底部填充胶。5.如权利要求1所述的双面覆晶薄膜封装结构，其特征在于，该第一绝缘层还包含与该第二部分分隔的一第三部分，该第二部分与该第三部分之间具有另一容置空间并有另一部分的该第一面露出，一被动元件容置于该另一容置空间内并设置于露出的该另一部分的第一面上。6.一种双面覆晶薄膜封装结构制造方法，其特征在于，至少包含下列步骤: 提供一金属层，该金属层具有一第一面及一第二面，并且该第一面与该第二面是彼此相对； 分别将一第一绝缘层及一第二绝缘层设置于该金属层的该第一面及该第二面上； 于该第一绝缘层上形成露出部分的该第一面的一容置空间，并使得该第一绝缘层包含彼此分隔的一第一部分与一第二部分； 将一晶片容置于该容置空间内并设置于露出的该部分的第一面上；以及将一封装胶填充于该晶片与该第一部分以及该晶片与该第二部分之间的空间，以形成该双面覆晶薄膜封装结构。7.如权利要求6所述的双面覆晶薄膜封装结构制造方法，其特征在于，该金属层为铜箔。8.如权利要求6所述的双面覆晶薄膜封装结构制造方法，其特征在于，该第一绝缘层及该第二绝缘层为聚亚酰胺。9.如权利要求6所述的双面覆晶薄膜封装结构制造方法，其特征在于，该封装胶为底部填充胶。10.如权利要求6所述的双面覆晶薄膜封装结构制造方法，其特征在于，进一步包含下列步骤: 于该第一绝缘层上形成露出另一部分的该第一面的另一容置空间，并使得该第一绝缘层还包含与该第二部分分隔的一第三部分；以及 将一被动元件容置于该另一容置空间内并设置于露出的该另一部分的第一面上。
【文档编号】H01L23/31GK105845637SQ201510019324
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年1月15日
【发明人】陈进勇
【申请人】瑞鼎科技股份有限公司