一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决TFT制作工艺中，光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量偏小，刻蚀沟道时，源漏极金属掉的金属颗粒易污染沟道的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层和源漏极的图形；其中附加膜层的图形分别设置在有源层上的两端，且能够被源漏极的图形完全覆盖；附加膜层与源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀。由于在有源层和源漏极之间增加了附加膜层，可以通过增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，因而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，减小在采用干刻蚀法刻蚀沟道时，金属颗粒对沟道的污染。
【专利说明】
一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，现有的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)制作工艺中，光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量偏小，采用干刻蚀法刻蚀TFT沟道处N+时，可能会由于干法刻蚀工艺的各向异性的性质不够好，造成源漏极金属掉的金属颗粒易污染TFT沟道，影响TFT特性，从而引起mura(即显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)等不良，现有的两种解决方案都存在一定问题:
[0003]方案一:减小沟道长度，易造沟道处成PR胶粘连，不能正常形成沟道，易发生沟道长度过短，甚至造成源极和漏极短路的情况，无法实现TFT器件功能；
[0004]方案二:通过增加刻蚀时间来减小源漏极，此工艺容易造成源漏极金属开路及制程时间增加的问题，因为增加源漏极刻蚀时间的话，在各处位置线宽都会相同程度的减小，这样在一些源漏极金属走线较窄的位置，很容易出现开路的问题。
[0005]综上所述，现有的TFT制作工艺中，光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量偏小，刻蚀TFT沟道处N+时，源漏极金属掉的金属颗粒易污染沟道，影响TFT特性，从而引起mura等不良。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，本发明实施例提供的一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决现有的TFT制作工艺中，光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量偏小，刻蚀TFT沟道处N+时，源漏极金属掉的金属颗粒易污染沟道，影响TFT特性，从而引起mura等不良的问题。
[0007]因此，本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法，包括:
[0008]在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形;其中，
[0009]所述附加膜层的图形分别设置在所述有源层上的两端，且能够被所述源漏极的图形完全覆盖;所述附加膜层与所述源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀。
[0010]本发明的薄膜晶体管的制作方法中，在有源层和源漏电极之间制作一层附加膜层，且附加膜层和源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀，因而本发明的方法可以通过先刻蚀附加膜层，使附加膜层与源漏极之间形成偏移量，进而在刻蚀源漏极金属时，可以在不减小沟道的尺寸的前提下，通过增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，进而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，减小在采用干刻蚀法刻蚀TFT沟道处N+时，源漏极金属掉的金属颗粒对TFT沟道的污染，提升了 TFT均一性的效果。同时由于需要刻蚀的有漏极区域的刻蚀速率加快，而其它不需要刻蚀的源漏极区域的刻蚀速率不变，因而可以减小源漏极金属出现开路现象的几率。[0011 ]较佳的，在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形，具体包括:
[0012]在衬底基板上依次形成有源层，以及能够覆盖所述有源层的附加膜层；
[0013]在所述附加膜层上依次形成一整层的金属薄膜和具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层；
[0014]利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对所述附加膜层和所述金属薄膜进行刻蚀，形成小于所述光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形。
[0015]较佳的，利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对所述附加膜层和所述金属薄膜进行刻蚀，形成小于所述光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形，具体包括:
[0016]利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对所述金属薄膜进行第一次刻蚀，去除掉所述光刻胶完全去除区域的金属薄膜，形成与所述光刻胶保留区域的图形相同的金属薄膜的图形；
[0017]利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第二刻蚀液对所述附加膜层进行刻蚀，去除掉所述光刻胶完全去除区域，以及部分所述光刻胶保留区域的附加膜层，得到小于所述金属薄膜的图形的附加膜层的图形；
[0018]利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对所述第一次刻蚀后得到的金属薄膜的图形进行第二次刻蚀，去除掉所述金属薄膜的图形上靠近所述光刻胶完全去除区域的部分金属，得到与所述光刻胶保留区域的图形有预设偏移量的源漏极的图形；
[0019]利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用干法刻蚀工艺形成所述有源层上的沟道区域。
[0020]较佳的，在所述附加膜层上形成一整层的金属薄膜之后，在形成具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层之前，还包括:
[0021 ]对所述附加膜层进行氢化处理。
[0022]较佳的，所述在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源极和漏极的图形之前，还包括:
[0023]在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅极的图形；
[0024]在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层。
[0025]本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括:有源层，源漏极，以及设置在所述有源层上靠近所述源漏极一侧的附加膜层;其中，
[0026]所述附加膜层的图形分别设置在所述有源层上的两端，且能够被所述源漏极的图形完全覆盖。
[0027]较佳的，所述附加膜层的厚度小于所述源漏极的厚度。
[0028]较佳的，所述附加膜层的图形在所述有源层上的正投影，位于所述源漏极的图形在所述有源层上的正投影内。
[0029]较佳的，所述附加膜层为经过氢化处理后的膜层。
[0030]较佳的，所述附加膜层的材料为氧化铟锡ΙΤ0。
[0031]本发明实施例提供的一种阵列基板，包括:像素电极，以及本发明实施例提供的上述薄膜晶体管;其中，所述薄膜晶体管中的附加膜层与所述像素电极同层设置。
[0032]本发明实施例提供的一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
【附图说明】
[0033]图1为本发明实施例提供的第一种薄膜晶体管的制作方法的步骤流程图；
[0034]图2为本发明实施例提供的第一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0035]图3为本发明实施例提供的第二种薄膜晶体管的制作方法的步骤流程图；
[0036]图4a为本发明实施例提供的第二种薄膜晶体管的结构示意图；
[0037]图4b为本发明实施例提供的第三种薄膜晶体管的结构示意图；
[0038]图5为本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法的整体步骤流程图；
[0039]图6为本发明实施例提供的第四种薄膜晶体管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0040]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041]附图中各层薄膜厚度和区域大小形状不反映薄膜晶体管和阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0042]本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤:在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形；其中，附加膜层的图形分别设置在有源层上的两端，且能够被源漏极的图形完全覆盖；附加膜层与源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀。
[0043]在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，由于在有源层和源漏极之间增加了附加膜层，可以通过增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，因而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，减小在采用干刻蚀法刻蚀TFT沟道处N+时，源漏极金属掉的金属颗粒对TFT沟道的污染，提升了 TFT均一性的效果。
[0044]目前，现有的TFT制作工艺中，光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量偏小，采用干刻蚀法刻蚀TFT沟道处N+时，可能会由于干法刻蚀工艺的各向异性的性质不够好，造成源漏极金属掉的金属颗粒易污染TFT沟道，影响TFT特性，从而引起mura等不良的问题。
[0045]而现有的解决方案中虽然可以增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，但其制作工艺要么需要减小沟道长度，易造沟道处成PR胶粘连，不能正常形成沟道;要么因为在减小源漏极时增加刻蚀时间，而造成在一些源漏极金属走线较窄的位置，很容易出现开路的问题。
[0046]基于此，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，在有源层和源漏电极之间制作一层附加膜层，且附加膜层和源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀，因而本发明的方法可以通过先刻蚀附加膜层，使附加膜层与源漏极之间形成偏移量，进而在刻蚀源漏极金属时，可以通过增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，减少制程时间；同时由于需要刻蚀的有漏极区域的刻蚀速率加快，而其它不需要刻蚀的源漏极区域的刻蚀速率不变，因而可以减小源漏极金属出现开路现象的几率。
[0047]具体地，在具体实施时，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形，如图1所示，为本发明实施例提供的第一种薄膜晶体管的制作方法的步骤流程图，具体可以采用如下步骤实现:
[0048]步骤101，在衬底基板上依次形成有源层，以及能够覆盖有源层的附加膜层；
[0049]步骤102，在附加膜层上依次形成一整层的金属薄膜和具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层；
[0050]步骤103，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对附加膜层和金属薄膜进行刻蚀，形成小于光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形。
[0051 ]在具体实施时，在实现上述步骤101时，在衬底基板100上依次形成有源层200和能够覆盖有源层的附加膜层300时，如图2所示，为本发明实施例提供的第一种薄膜晶体管的结构示意图，具体可以利用磁控溅射沉积一定厚度的有源层200，优选采用非晶硅材料，其易于在低温下大面积制备，制作技术较为成熟;之后，利用磁控溅射沉积一层一定厚度的附加膜层300，此时附加膜层的大小可以根据需要进行设置，例如可以覆盖整个有源层。
[0052]在具体实施时，如图2所示，在实现上述步骤102在附加膜层300上依次形成一整层的用于制作源漏极的金属薄膜400和具有掩膜图形的光刻胶层500，其中光刻胶层500可以使用掩膜板对光刻胶曝光显影，以便得到具有光刻胶完全去除区域a和光刻胶保留区域b的光刻胶层。
[0053]在具体实施时，上述步骤103利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，形成小于光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形，可以通过下述方式实现，如图3所示，为本发明实施例提供的第二种薄膜晶体管的制作方法的步骤流程图，具体包括下列步骤:
[0054]步骤1031，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对金属薄膜进行第一次刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域的金属薄膜，形成与光刻胶保留区域的图形相同的金属薄膜的图形；
[0055]步骤1032，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第二刻蚀液对附加膜层进行刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域，以及部分光刻胶保留区域的附加膜层，得到小于金属薄膜的图形的附加膜层的图形；
[0056]步骤1033，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对第一次刻蚀后得到的金属薄膜的图形进行第二次刻蚀，去除掉金属薄膜的图形上靠近光刻胶完全去除区域的部分金属，得到与光刻胶保留区域的图形有预设偏移量的源漏极的图形；
[0057]步骤1034，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用干法刻蚀工艺形成有源层上的沟道区域。
[0058]在具体实施时，在实现上述步骤1031时，如图4a所示，为本发明实施例提供的第二种薄膜晶体管的结构示意图，利用光刻胶保留区域b的光刻胶的遮挡，采用能够刻蚀金属薄膜的第一刻蚀液，对形成的一整层的金属薄膜进行第一次刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域a的那一部分的金属薄膜，形成如图4a所示，金属薄膜的图形4001边缘与光刻胶保留区域的边缘齐平的图形。
[0059]在具体实施时，在实现上述步骤1032时，如图4b所示，为本发明实施例提供的第三种薄膜晶体管的结构示意图，利用光刻胶保留区域b的光刻胶的遮挡，采用能够刻蚀附加膜层的第二刻蚀液，对覆盖有源层的附加膜层进行刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域a处的附加膜层，以及部分光刻胶保留区域的附加膜层c处的附加膜层，得到图形的尺寸小于金属薄膜的图形4001的附加膜层的图形，以便对金属薄膜进行第二次刻蚀时，能够通过c区域，增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，进而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量。
[0060]在具体实施时，在实现上述步骤1033时，得到如图2所示的薄膜晶体管，在步骤1033中，利用光刻胶保留区域b的光刻胶的遮挡，采用能够刻蚀金属薄膜的第一刻蚀液，对第一次刻蚀后得到的金属薄膜的图形进行第二次刻蚀，去除掉金属薄膜的图形上靠近光刻胶完全去除区域(即图中d所示区域)的部分金属，得到与光刻胶保留区域的图形有预设偏移量d的源漏极的图形400;其中，上述预设偏移量d的数值可以根据需要进行设置，较佳的，该预设偏移量d为在刻蚀沟道区域时源漏极金属不会污染沟道的最小偏移量。
[0061 ]在具体实施时，在实现上述步骤1034时，利用光刻胶保留区域b的光刻胶的遮挡，采用干法刻蚀工艺形成有源层上的沟道区域。由于本发明的方法能够通过c区域，增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，进而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，增加减小在采用干刻蚀法刻蚀TFT沟道处N+时，源漏极金属掉的金属颗粒对TFT沟道的污染，提升了 TFT均一性的效果。
[0062]在具体实施时，在实现上述步骤1034之后，还需要剥离所述光刻胶层，得到待制作的薄膜晶体管。
[0063]较佳的，在实现上述步骤1031之前，还包括:
[0064]首先，在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅极的图形；
[0065]之后，在形成有栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层。
[0066]即在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法应用于底栅型薄膜晶体管时，如图2所示，先制作栅极600的图形，之后在栅绝缘层700上按照上述方法依次形成有源层200，附加膜层300，以及源漏极400的图形，并且，一般还会在接着制作保护层，以便在薄膜晶体管应用于阵列基板时，通过保护层中的过孔将薄膜晶体管的漏极与保护层之上制作的像素电极连接。
[0067]在具体实施时，为了减少制程时间，需要尽量增加附加膜层的刻蚀速率，加快附加膜层的刻蚀，较佳的，在附加膜层上形成一整层的金属薄膜之后，在形成具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层之前，还包括:对附加膜层进行氢化处理。也可以根据需要对附加膜层进行其它的处理，或者是选择刻蚀速率较快的材料制作附加膜层。
[0068]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:制作本发明实施例提供的上述薄膜晶体管;在薄膜晶体管上通过一次构图工艺形成附加膜层和像素电极的图形。附加膜层除了可以同像素电极同层设置，也可以根据设计需要与其它膜层同层设置。
[0069]其中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法不限于薄膜晶体管的类型，可以应用于顶栅型薄膜晶体管，也可以应用于底栅型薄膜晶体管。为了方便说明，本发明实施例提供的阵列基板中包含的薄膜晶体管为底栅型，如图5所示，为本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法的整体步骤流程图，包括以下步骤:
[0070]步骤501，在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅极的图形；
[0071]步骤502，在形成有栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层；
[0072]步骤503，在衬底基板上依次形成有源层，以及能够覆盖有源层的附加膜层；
[0073]步骤504，在附加膜层上依次形成一整层的金属薄膜和具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层；
[0074]步骤505，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对金属薄膜进行第一次刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域的金属薄膜，形成与光刻胶保留区域的图形相同的金属薄膜的图形；
[0075]步骤506，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第二刻蚀液对附加膜层进行刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域，以及部分光刻胶保留区域的附加膜层，得到小于金属薄膜的图形的附加膜层的图形；
[0076]步骤507，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对第一次刻蚀后得到的金属薄膜的图形进行第二次刻蚀，去除掉金属薄膜的图形上靠近光刻胶完全去除区域的部分金属，得到与光刻胶保留区域的图形有预设偏移量的源漏极的图形；
[0077]步骤508，利用光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用干法刻蚀工艺形成有源层上的沟道区域。
[0078]基于同一发明构思，本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括:有源层200，源漏极400，以及设置在有源层200上靠近源漏极400—侧的附加膜层300;其中，附加膜层300的图形分别设置在有源层200上的两端，且能够被源漏极400的图形完全覆盖。如图2所示，附加膜层300位于有源层200和源漏极400之间，且附加膜层300的图形能够被源漏极400的图形完全覆盖。
[0079]如图2所示，为了加快附加膜层的刻蚀，减少制程时间，较佳的，附加膜层的厚度小于源漏极的厚度。这样不仅能够通过附加膜层和源漏极之间的偏移量，增加刻蚀液与源漏极的接触面积，且不会因为刻蚀附加膜层而增加过多的制程时间。
[0080]在具体实施时，附加膜层的图形大小，可以根据需要进行设置，如图2所示，附加膜层上远离沟道区域的一端与有源层的边缘齐平;也可以根据需要减少附加膜层的图形，较佳的，附加膜层的图形在有源层上的正投影，位于源漏极的图形在有源层上的正投影内。如图6所示，为本发明实施例提供的第四种薄膜晶体管的结构示意图，图中附加膜层上远离沟道区域的一端与有源层的边缘有一定的偏移量。
[0081]在具体实施时，为了增加附加膜层的刻蚀独立，较佳的，附加膜层为经过氢化处理后的膜层。为了不增加掩膜版的数量，因而附加膜层可以与像素电极同层设置，较佳的，附加膜层的材料为氧化铟锡ΙΤ0。
[0082]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括:像素电极，以及本发明实施例提供的上述薄膜晶体管;其中，薄膜晶体管中的附加膜层与像素电极同层设置。
[0083]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板，该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
[0084]综上所述，本发明的薄膜晶体管的制作方法中，在有源层和源漏电极之间制作一层附加膜层，且附加膜层和源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀，因而本发明的方法可以通过先刻蚀附加膜层，使附加膜层与源漏极之间形成偏移量，进而在刻蚀源漏极金属时，可以在不减小沟道的尺寸的前提下，通过增加刻蚀液与源漏极金属的接触面积，加快源漏极金属的刻蚀速率，进而可以在少增加刻蚀时间的前提下，增大光刻胶和源漏极金属之间的刻蚀偏移量，减小在采用干刻蚀法刻蚀TFT沟道处N+时，源漏极金属掉的金属颗粒对TFT沟道的污染，提升了 TFT均一性的效果。同时由于需要刻蚀的有漏极区域的刻蚀速率加快，而其它不需要刻蚀的源漏极区域的刻蚀速率不变，因而可以减小源漏极金属出现开路现象的几率。
[0085]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形;其中， 所述附加膜层的图形分别设置在所述有源层上的两端，且能够被所述源漏极的图形完全覆盖;所述附加膜层与所述源漏极能够采用不同的刻蚀液进行刻蚀。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源漏极的图形，具体包括: 在衬底基板上依次形成有源层，以及能够覆盖所述有源层的附加膜层； 在所述附加膜层上依次形成一整层的金属薄膜和具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层； 利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对所述附加膜层和所述金属薄膜进行刻蚀，形成小于所述光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用不同的刻蚀液分别对所述附加膜层和所述金属薄膜进行刻蚀，形成小于所述光刻胶保留区域的图形的附加膜层的图形和源漏极的图形，具体包括: 利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对所述金属薄膜进行第一次刻蚀，去除掉所述光刻胶完全去除区域的金属薄膜，形成与所述光刻胶保留区域的图形相同的金属薄膜的图形； 利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第二刻蚀液对所述附加膜层进行刻蚀，去除掉所述光刻胶完全去除区域，以及部分所述光刻胶保留区域的附加膜层，得到小于所述金属薄膜的图形的附加膜层的图形； 利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用第一刻蚀液对所述第一次刻蚀后得到的金属薄膜的图形进行第二次刻蚀，去除掉所述金属薄膜的图形上靠近所述光刻胶完全去除区域的部分金属，得到与所述光刻胶保留区域的图形有预设偏移量的源漏极的图形；利用所述光刻胶保留区域的光刻胶的遮挡，采用干法刻蚀工艺形成所述有源层上的沟道区域。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述附加膜层上形成一整层的金属薄膜之后，在形成具有光刻胶完全去除区域和光刻胶保留区域的光刻胶层之前，还包括: 对所述附加膜层进行氢化处理。5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上依次形成有源层，附加膜层，以及源极和漏极的图形之前，还包括: 在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅极的图形； 在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层。6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:有源层，源漏极，以及设置在所述有源层上靠近所述源漏极一侧的附加膜层;其中， 所述附加膜层的图形分别设置在所述有源层上的两端，且能够被所述源漏极的图形完全覆盖。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述附加膜层的厚度小于所述源漏极的厚度。8.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述附加膜层的图形在所述有源层上的正投影，位于所述源漏极的图形在所述有源层上的正投影内。9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述附加膜层为经过氢化处理后的膜层。10.如权利要求6-9任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述附加膜层的材料为氧化铟锡ITO。11.一种阵列基板，其特征在于，包括:像素电极，以及如权利要求6-10任一项所述的薄膜晶体管;其中，所述薄膜晶体管中的附加膜层与所述像素电极同层设置。12.—种显示装置，其特征在于，该显示装置包括权利要求11所述的阵列基板。
【文档编号】H01L29/786GK106024641SQ201610617050
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月29日
【发明人】马俊才, 李宁, 杨杰
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司