引线框架封装结构的制作方法

文档序号:8563681阅读:113来源:国知局
引线框架封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件封装,特别是涉及一种引线框架封装结构。
【背景技术】
[0002]近几十年来,芯片封装技术一直随着集成电路技术的发展而发展。封装结构是指半导体集成电路芯片用的外壳,其不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其它器件相连接。因此,封装结构一般包括用于安装、固定及引线的引线框架,同时还包括用于保护芯片、密封并与引线框架相匹配的封装体(Package Body)。
[0003]引线框架包括用于焊接半导体芯片、位于引线框架中心区域的载片区,以及布置于载片区周围的引脚。在封装时,先将半导体芯片布置于载片区,然后用封装体(例如环氧树脂等塑封料)塑封半导体芯片和引线框架。
[0004]T0-94型引线框架是一种常见的引线框架。现有的T0-94型引线框架不适合需要封装两粒芯片的封装结构,但客户有时候会有这种需求。
【实用新型内容】
[0005]基于此,有必要提供一种能够封装两粒芯片的引线框架封装结构。
[0006]一种引线框架封装结构,用于T0-94型的芯片封装产品,包括引线框架和塑封体,所述引线框架包括从一边至另一边依次排列的第一引脚至第四引脚,所述引线框架还包括第一基岛、第二基岛、第一压焊区及第二压焊区,所述第一基岛连接所述第一引脚,所述第二基岛连接所述第四引脚,两个基岛相互间分离设置,两个基岛之间填充有绝缘材质的塑封料,所述第一基岛和第二基岛的面积比为1:9至9:1 ;所述第一压焊区连接所述第二引脚,所述第二压焊区连接所述第三引脚。
[0007]在其中一个实施例中,所述第一基岛和第二基岛均包括连接各自引脚的连接部和用于承载芯片的载片区,所述第一压焊区和第二压焊区设于两个连接部之间。
[0008]在其中一个实施例中,所述引线框架包括基底层和基底层上的电镀层。
[0009]在其中一个实施例中,所述基底层是铜基底层或铁基底层。
[0010]在其中一个实施例中,所述电镀层是铜电镀层或银电镀层。
[0011]在其中一个实施例中,所述电镀层的导电率大于所述基底层。
[0012]上述T0-94型引线框架封装结构,两个基岛可以各粘接一粒芯片进行双芯片封装,且封装的两粒芯片衬底相互隔离,同时起到高压隔离和热隔离的作用。由于基岛切分为两个,且基岛之间填充塑封料,增强了塑封料与引线框架之间的粘接牢度,减少了引线框架与塑封料之间的分层。第一基岛和第二基岛的面积比为1:9至9:1,具体可以根据需要封装的芯片的面积进行设计,能够满足一大一小双芯片的封装需求。
【附图说明】
[0013]通过附图中所示的本实用新型的优选实施例的更具体说明,本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分,且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本实用新型的主旨。
[0014]图1是一实施例中引线框架的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
[0016]需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“竖直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0017]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0018]本实用新型的引线框架封装结构为T0-94型,包括引线框架和塑封体。图1是一实施例中引线框架的结构示意图,引线框架包括两个基岛、两个压焊区和4根引脚。具体地,第一引脚12、第二引脚14、第三引脚16及第四引脚18从左至右依次排列。第一基岛20和第二基岛30相互间分离设置。第一引脚12连接第一基岛20,第四引脚18连接第二基岛30。在进行封装时,两个基岛之间填充绝缘的塑封料。由于基岛切分为两个,且基岛之间填充了塑封料,增强了塑封料与引线框架之间的粘接牢度,减少了引线框架与塑封料之间的分层。两个基岛可以各粘接一粒芯片进行双芯片封装,且封装的两粒芯片衬底相互隔离,同时起到高压隔离和热隔离的作用。第一基岛和第二基岛的面积比为1:9至9:1,具体可以根据需要封装的芯片的面积进行设计,能够满足一大一小双芯片的封装需求。引线框架还包括连接第二引脚14的第一压焊区44和连接第三引脚16的第二压焊区46。
[0019]在图1所示实施例中,第一基岛20包括连接第一引脚12的连接部22,和用于承载芯片的载片区24。第二基岛30包括连接第四引脚18的连接部32和用于承载芯片的载片区34。连接部22的宽度大于第一引脚12的宽度,连接部32的宽度大于第四引脚18的宽度。第一压焊区44和第二压焊区46设于两个连接部之间。连接部22的宽度比载片区24窄(指引脚的宽度方向上),连接部32的宽度比载片区34窄。这样一来,连接部22与载片区24连接处的转角就被空出来,可供设置第一压焊区44。连接部32与载片区34的连接处同理。
[0020]可以理解的,由于引线框架是批量生产,制造出来时多个引线框架排成一排、相互间通过加强筋连接,因此图1中所示引线框架上还残留有加强筋。该加强筋在封装后会被去除。
[0021]在其中一个实施例中,引线框架采用基底层+电镀层的结构,通过在成本较低的基底层的一面电镀导电率比基底层更高的电镀层的方式,来兼顾成本与器件性能。其中,基底层的材质可以是铁或铜,电镀层的材质可以是铜或银,例如采用铁基底层+铜电镀层的结构,或者铜电镀层+银电镀层的结构。
[0022]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种引线框架封装结构,用于T0-94型的芯片封装产品,包括引线框架和塑封体,所述引线框架包括从一边至另一边依次排列的第一引脚至第四引脚,其特征在于,所述引线框架还包括第一基岛、第二基岛、第一压焊区及第二压焊区,所述第一基岛连接所述第一引脚,所述第二基岛连接所述第四引脚,两个基岛相互间分离设置,两个基岛之间填充有绝缘材质的塑封料,所述第一基岛和第二基岛的面积比为1:9至9:1 ;所述第一压焊区连接所述第二引脚,所述第二压焊区连接所述第三引脚。
2.根据权利要求1所述的引线框架封装结构,其特征在于,所述第一基岛和第二基岛均包括连接各自引脚的连接部和用于承载芯片的载片区,所述第一压焊区和第二压焊区设于两个连接部之间。
3.根据权利要求1所述的引线框架封装结构,其特征在于,所述引线框架包括基底层和基底层上的电镀层。
4.根据权利要求3所述的引线框架封装结构,其特征在于,所述基底层是铜基底层或铁基底层。
5.根据权利要求3或4所述的引线框架封装结构,其特征在于,所述电镀层是铜电镀层或银电镀层。
6.根据权利要求3所述的引线框架封装结构,其特征在于,所述电镀层的导电率大于所述基底层。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于TO-94型芯片封装产品的引线框架封装结构,包括引线框架和塑封体,引线框架包括从一边至另一边依次排列的第一引脚至第四引脚,引线框架还包括第一基岛、第二基岛、第一压焊区及第二压焊区,第一基岛连接所述第一引脚,第二基岛连接所述第四引脚,两个基岛相互间分离设置,两个基岛之间填充有绝缘材质的塑封料,第一基岛和第二基岛的面积比为1:9至9:1;第一压焊区连接所述第二引脚,第二压焊区连接第三引脚。本实用新型两个基岛可以各粘接一粒芯片进行双芯片封装,且封装的两粒芯片衬底相互隔离,同时起到高压隔离和热隔离的作用。
【IPC分类】H01L23-495, H01L23-31
【公开号】CN204271072
【申请号】CN201420611484
【发明人】汪德文, 谢文华
【申请人】深圳深爱半导体股份有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年10月21日
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