。
[0024]外壳内可以采用第一电极4、第二电极5、第三电极6及第一半导体芯片、第二半导体芯片两个芯片，两个芯片为串联的一个尚频可控娃芯片和一个尚频整流管芯片。
[0025]外壳内还可以采用第一电极4、第二电极5、第三电极6及第一半导体芯片、第二半导体芯片两个芯片，两个芯片为两个共阳极连接的高频可控硅芯片或高频整流管芯片。
[0026]外壳内还可以采用第一电极4、第二电极5、第三电极6及第一半导体芯片、第二半导体芯片两个芯片，两个芯片为共阳极连接的一个高频可控硅芯片和一个高频整流管芯片。
[0027]外壳内还可以采用第一电极4、第二电极5、第三电极6及第一半导体芯片、第二半导体芯片两个芯片，两个芯片为两个共阴极连接的高频可控硅芯片或高频整流管芯片。
[0028]外壳内还可以采用第一电极4、第二电极5、第三电极6及第一半导体芯片、第二半导体芯片两个芯片，两个芯片为共阴极连接的一个高频可控硅芯片和一个高频整流管芯片。
[0029]电极采用焊接、冲压或机加工方法实现。
[0030]制造工艺:
[0031]1、芯片:选用高频可控硅或整流管芯片。
[0032](I)尚频可控娃芯片制造工艺:
[0033]a.采用200~400 μ m的N型单晶硅，电阻率30~70 Ω.cm ;
[0034]b.一次扩散采用六1.6&杂质源，结深40?6(^111，表面浓度45~80\1(^17/0113;
[0035]c.氧化条纹:6~12条；
[0036]d.二次扩散采用？0(:13杂质源，N+结深15?22μπι，Ν+表面浓度0.2~0.6X10E18/cm3，P 结深彡 80μπι；
[0037]e.台面造型采用正负角造型，一角20?42°，二角4~5°，台面保护材料使用聚脂亚胺双层保护；
[0038]f.芯片进行辐照，剂量3~10KGY。
[0039](2)高频整流管芯片制造工艺:
[0040]选用普通整流管芯片进行辐照，剂量1~5KGY。
[0041]2、模块组装:将散热底板、绝缘导热片、电极、芯片、辅助阴极等依次组装在一起，用紧固件和紧固螺钉压紧；
[0042]3、紧固:用压力机加压，将各种部件压紧；
[0043]4、封装:在外壳和散热底板之间用密封胶，安装门极片和塑料外壳，焊接门极片，室温或加温50?80°C固化，固化时间4?10小时；在模块内灌注硅凝(橡)胶，真空排泡处理，加温50?80°C固化，固化时间4?10小时；在50?80°C烘箱中存储72小时以上；在模块内灌注环氧，真空排泡处理，加温80?100°C固化，固化时间4?10小时；
[0044]5、高温存储:在70?100°C烘箱中存储72小时以上；
[0045]6、测试:用各种设备测试产品的重复峰值电压、门极、压降、关断时间、绝缘电压等参数。
[0046] 本实用新型所举实例仅仅是众多型号中的一种，其它型号结构与其类似。
【主权项】
1.一种高频低压降功率半导体模块，包括散热底板(1)、外壳(2)、绝缘导热片(3)、第一电极(4)、第二电极(5)、第三电极(6)、第一半导体芯片(7)、第二半导体芯片(17)、门极引线(8)、辅助阴极(9)、紧固件(10)、紧固螺钉(11)、螺母(12)、门极块(13)、门极片(14)以及内填充的硅凝胶层和环氧层或硅凝橡胶层和环氧层(15)，其特征在于:所述的第一半导体芯片(7)、第二半导体芯片(17)为高频可控硅芯片或者高频整流管芯片，该高频可控硅芯片为电阻率为30~70 Ω -cm,芯片厚度为200~400 μ m的高频器件，该高频可控硅芯片或者高频整流管芯片具有在8-15MeV高能电子辐照处理形成的辐照层；所述的第一电极(4)、第二电极(5)与第一半导体芯片(7)、第二半导体芯片(17)阴极面接触的部分为凸起的台面。
2.根据权利要求1所述的一种高频低压降功率半导体模块，其特征在于:所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为两个串联的高频可控硅芯片或高频整流管芯片。
3.根据权利要求1所述的一种高频低压降功率半导体模块，其特征在于:所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为串联的一个高频可控硅芯片和一个高频整流管芯片。
4.根据权利要求1所述的一种高频低压降功率半导体模块，其特征在于:所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为两个共阳极连接的高频可控硅芯片或高频整流管芯片。
5.根据权利要求1所述的一种高频低压降功率半导体模块，其特征在于:所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为共阳极连接的一个高频可控硅芯片和一个高频整流管芯片。
6.根据权利要求1所述的一种高频低压降功率半导体模块，其特征在于:所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为两个共阴极连接的高频可控硅芯片或高频整流管芯片。
7.根据权利要求1所述的一种高频低压降功率半导体模块，其特征在于:所述的第一半导体芯片、第二半导体芯片为共阴极连接的一个高频可控硅芯片和一个高频整流管芯片。
【专利摘要】本实用新型的名称为一种高频低压降功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块关断时间长、压降大的问题。它的主要特征是：包括散热底板、外壳绝缘导热片、电极、芯片、门极引线、辅助阴极、紧固件、紧固螺钉螺母、门极块、门极片以及内填充的硅凝胶层和环氧层或硅凝橡胶层和环氧层；芯片为高频可控硅芯片或者高频整流管芯片；电极与芯片阴极面接触的部分为凸起的台面。本实用新型具有使功率半导体模块关断时间短且压降小的特点，能够满足静电除尘设备、高频逆变器、高频感应加热、斩波器等设备中对功率半导体模块的需求，主要用于有高频整流和逆变要求的电力电子装置中的功率半导体模块。
【IPC分类】H01L25-07
【公开号】CN204391105
【申请号】CN201520049864
【发明人】刘婧, 杨成标, 孙伟, 李新安, 邢雁, 王维, 孙娅男, 周霖
【申请人】湖北台基半导体股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年1月26日