硅片腐蚀提篮的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及到大批量对硅片表面进行腐蚀时使用的一种硅片腐蚀提篮。
【背景技术】
[0002]单晶硅在生长的过程中，会有一些其他杂质或者原子排列的不稳定性，使晶体排列出现差错，导致点缺陷和线缺陷的产生。对于这种点缺陷和线缺陷，需要借助显微镜、电镜等仪器进行观察。还可以利用硅原子表面的择优腐蚀方法，即将硅片水平放置在酸洗槽中，通过肉眼就能观察到有缺陷的部分(线状痕迹)。对于大直径的硅片因硅片直径大，拿取不方便，放入酸中硅片容易造成酸液的迸溅，对操作人员造成伤害。此外，硅片直径大，表面积也大，需要更多的酸才能把硅表面彻底处理，因此处理成本高。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是要解决现有技术存在的上述问题，提供一种硅片腐蚀提篮，在对硅片进行择优腐蚀时，操作安全，处理成本低。
[0004]本实用新型是这样实现的:
[0005]一种硅片腐蚀提篮，包括材质为聚四氟乙烯的提篮基体，所述提篮基体两侧设有提手，其特殊之处是:所述提手的顶端与插槽的顶面之间的距离为30cm - 50cm ;在提篮基体上均设有多个开口朝上的插槽，所述插槽的前、后面敞开且内底面为内凹弧形，在所述提篮基体底部对应各插槽处分别设有通口 ；在所述提篮基体下面设置有材质为聚四氟乙烯的“L”型推板，“L”型推板的平板和立板分别贴合在提篮基体I的外底面和提篮基体I的前端面底部，在所述推板上设有分别与各豁口对应的挡板，所述挡板由对应的通口向上引出，在所述推板的立板上设有锁紧螺钉。
[0006]在所述提篮基体上设有多个通液孔，增强酸洗液的流通性，提高酸洗效果。
[0007]本实用新型的优点是:
[0008]1、由于在提篮基体两侧设有提手，能够确保操作安全。
[0009]2、由于硅片竖置在提篮的插槽内，插槽底面为内凹弧形，使硅片平稳放置，并且放入酸洗槽中不会造成酸液迸溅。
[0010]3、通过滑动推板调节挡板的横向位置，并通过锁紧螺钉将推板与提篮基体固定在一起，使硅片安放在相应的空间，防止硅片倾倒造成损坏。
[0011]4、采用抗酸腐蚀的材料，一体化设计，强度高，使用寿命长。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图。
[0013]图中:1-提篮基体，2-提手，3-插槽，4-豁口，5-推板，6_挡板，7_锁紧螺钉，8_通液孔。
【具体实施方式】
[0014]一种硅片腐蚀提篮，包括材质为聚四氟乙烯的提篮基体1，所述提篮基体I两侧设有提手2，所述提手2的顶端与插槽3的顶面之间的距离为30cm — 50cm,本实施例为40cm，在提篮基体I上均设有多个开口朝上的插槽3，所述插槽3的前、后面敞开且内底面为内凹弧形，在所述提篮基体I底部对应各插槽3处分别设有通口 4，在所述提篮基体I上设有多个通液孔8 ;在所述提篮基体I外底面设置有材质为聚四氟乙烯的“L”型推板5，“L”型推板5的平板和立板分别贴合在提篮基体I的外底面和提篮基体I的前端面底部，在所述推板5上设有分别与各豁口 4对应的挡板6，所述挡板6与推板5为一体且由对应的通口 4向上引出，在所述推板5的立板上设有锁紧螺钉7。
[0015]操作时，将硅片进行分割后竖立放入插槽3内，然后滑动推板5使挡板6处于适宜位置，并拧紧锁紧螺钉7，再放入酸洗槽内，操作人员戴着防酸手套手提提手进行操作。
【主权项】
1.一种硅片腐蚀提篮，包括材质为聚四氟乙烯的提篮基体，所述提篮基体两侧设有提手，其特征是:所述提手的顶端与插槽的顶面之间的距离为30cm - 50cm ;在提篮基体上均设有多个开口朝上的插槽，所述插槽的前、后面敞开且底面为内凹弧形，在所述提篮基体底面对应各插槽处分别设有通口 ；在所述提篮基体下面设置有材质为聚四氟乙烯的“L”型推板，“L”型推板的平板和立板分别贴合在提篮基体(I)的外底面和提篮基体(I)的前端面底部，在所述推板上设有分别与各豁口对应的挡板，所述挡板与推板为一体且由对应的通口向上引出，在所述推板顶面设有与各豁口分别对应的挡板，在所述推板的侧板上设有锁紧螺钉。
2.根据权利要求1所述的硅片腐蚀提篮，其特征是:在所述提篮基体上设有多个通液孔。
【专利摘要】一种硅片腐蚀提篮，包括材质为聚四氟乙烯的提篮基体，所述提篮基体两侧设有提手，其特殊之处是：所述提手的顶端与插槽的顶面之间的距离为30cm－50cm；在提篮基体上均设有多个开口朝上的插槽，所述插槽的前、后面敞开且内底面为内凹弧形，在所述提篮基体底部对应各插槽处分别设有通口；在所述提篮基体下面设置有材质为聚四氟乙烯的“L”型推板，“L”型推板的平板和立板分别贴合在提篮基体1的外底面和提篮基体1的前端面底部，在所述推板上设有分别与各豁口对应的挡板，所述挡板由通口向上引出，在所述推板的侧板上设有锁紧螺钉。优点是：操作安全，放入酸洗槽中不会造成酸液迸溅；强度高，使用寿命长。
【IPC分类】H01L21-673
【公开号】CN204424231
【申请号】CN201520145689
【发明人】秦朗, 王爱迪, 赵宁宁
【申请人】锦州神工半导体有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月14日