Oled玻璃基板制程设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种OLED玻璃基板制程设备，尤其是一种OLED玻璃基板制程中通入保护气体的制程设备。
【背景技术】
[0002]在OLED玻璃基板的加工制程中，常常会利用加热器对反应腔室内进行加热，以达到制程所需的温度要求，然而加热器在对腔室内部进行加热的同时会受氧浓度的影响，氧浓度过高，加热器会被氧化，其加热性能会受到影响，而且使用寿命也会缩短。因此，通常会在腔室21内通入保护气体(如N2或稀有气体等)，图1所示，OLED玻璃基板20置于腔室21内，减小腔室21内氧气的浓度，保护加热器22不被氧化，延长加热器22的使用寿命。但是，保护气体(如N2或稀有气体等)是在常温下直接通入高温腔室21中的，会对腔室21的实际温度的稳定和均匀性都会有影响，从而影响OLED玻璃基板的TTP及电性等特性。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能够改善低温N2在高温制程中对温度和均匀性的影响，同时提高加热器的使用寿命的OLED玻璃基板制程设备。
[0004]为实现上述技术效果，本实用新型公开了一种OLED玻璃基板制程设备，包括一第一腔室，所述第一腔室上设有一用以向所述第一腔室内通入保护气体的第一气体通道，所述第一腔室内设有一第二腔室，所述第二腔室上设有一用以向所述第二腔室内通入保护气体的第二气体通道，所述第一腔室与所述第二腔室之间形成一中间层，所述中间层内设有一加热器。
[0005]本实用新型进一步的改进在于，所述中间层内还设有一用以过滤所述保护气体的过滤器，用于去除循环加热过程中产生的颗粒杂质。
[0006]本实用新型进一步的改进在于，所述保护气体为N2或稀有气体，减小腔室内氧气的密度，避免加热器被氧气氧化，影响加热效果。
[0007]本实用新型由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果是:在第一腔室内增设第二腔室，将加热器设于第一腔室与第二腔室间的中间层内，使得保护气体(如N2)在中间层内循环加热后再进入第二腔室进行工艺制作，改善了常温保护气体(如N2)进入高温腔室中后对腔室内温度和均匀性的影响。
【附图说明】
[0008]图1是传统OLED玻璃基板制程设备的不意图。
[0009]图2是本实用新型OLED玻璃基板制程设备的示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图以及【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0011]参阅图2所示，本实用新型公开了一种OLED玻璃基板制程设备，包括一第一腔室11，第一腔室上11开设有一用以向第一腔室11内通入保护气体(N2或稀有气体)的第一气体通道110，常温的保护气体自该第一气体通道110通入，第一腔室11内设有一第二腔室12，OLED玻璃基板10设于该第二腔室12内，第二腔室12上开设有一用以向第二腔室12内通入保护气体(N2或稀有气体)的第二气体通道120，第一腔室11与第二腔室12之间形成一中间层13，中间层13内设有一加热器14和一过滤器15，提供加热器14提供设备内温度，向加热器14所处的中间层13内通入保护气体(N2或稀有气体)，减小中间层13内的氧气密度，从而达到避免加热器14被氧化而影响其加热效果的目的。同时，通过设置的中间层13，使得N2或稀有气体等保护气体通过加热器14在中间层13内进行循环加热，以确保后续进入第二腔室12内接触OLED玻璃基板的保护气体具有稳定的温度，改善了常温保护气体进入高温腔室中后对腔室内温度和均匀性的影响。并且保护气体在进入第二腔室12前还经过过滤器15，去除N2循环加热过程中产生的颗粒杂质，有益于提高OLED玻璃基板的出品质量。
[0012]本实用新型高温热N2制程设备在使用时，将常温保护气体(N2或稀有气体)自第一气体通道I1通入第一腔室上11与第二腔室12间的中间层13，加热器14加热使得保护气体在中间层13内循环加热，并且通过过滤器15过滤保护气体去除循环加热过程中产生的颗粒杂质，最后经加热过滤后的保护气体通过第二气体通道120进入到第二腔室12中进行OLED玻璃基板工艺制作，改善了常温保护气体进入高温制程中后对设备内温度和均匀性的影响。
[0013]以上结合附图实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种OLED玻璃基板制程设备，其特征在于:所述设备包括一第一腔室，所述第一腔室上设有一用以向所述第一腔室内通入保护气体的第一气体通道，所述第一腔室内设有一第二腔室，所述第二腔室上设有一用以向所述第二腔室内通入保护气体的第二气体通道，所述第一腔室与所述第二腔室之间形成一中间层，所述中间层内设有一加热器。
2.如权利要求1所述的OLED玻璃基板制程设备，其特征在于:所述中间层内还设有一用以过滤所述保护气体的过滤器。
3.如权利要求1所述的OLED玻璃基板制程设备，其特征在于:所述保护气体为N2或稀有气体。
【专利摘要】本实用新型公开了一种OLED玻璃基板制程设备，包括一第一腔室，所述第一腔室上设有一用以向所述第一腔室内通入保护气体的第一气体通道，所述第一腔室内设有一第二腔室，所述第二腔室上设有一用以向所述第二腔室内通入保护气体的第二气体通道，所述第一腔室与所述第二腔室之间形成一中间层，所述中间层内设有一加热器。本实用新型的一种OLED玻璃基板制程设备通过在第一腔室内增设第二腔室，将加热器设于第一腔室与第二腔室间的中间层内，使得保护气体在中间层内循环加热后再进入第二腔室进行工艺制作，改善了常温保护气体进入高温腔室中后对腔室内温度和均匀性的影响。
【IPC分类】H01L51-56
【公开号】CN204538091
【申请号】CN201520253541
【发明人】刘冲, 彭思君, 徐平
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月22日