喷射机构4的上端设置为与晶片背面相距不超过I?3mm，且距离氮气盖3上表面不超过7?9mm。
[0030]请参阅图3并结合参阅图2，图3是本实用新型的气体喷射机构的结构示意图。如图3所示，环绕所述气体喷射机构的侧面均匀设有多个出气孔6，这些出气孔6在气体喷射机构的侧面形成一圈布置。作为可选的实施方式，所述气体喷射机构可为圆柱形，也可以是正多棱柱形。本实施例采用圆柱形的气体喷射机构。优选地，所述出气孔6环绕所述气体喷射机构侧面均匀且等高设置。在将气体喷射机构与图2的氮气盖3进行组装后，出气孔将露出于氮气盖3的上表面。并且，各出气孔6以气体喷射机构的中心为圆心，按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置，以使从各出气孔6喷射出的气体形成与所述晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层。
[0031]请参阅图5，图5是本实用新型的氮气盖的结构示意图。如图5所示，气体喷射机构与氮气盖之间可采用常用的一些方式进行安装固定。作为一可选的实施方式，可在所述氮气盖的上表面中心加工一个台阶孔11，并在台阶上加工若干安装孔12。台阶孔11可加工成贯通形式。图3中的所述气体喷射机构的下端可通过所述台阶孔11台阶上的安装孔12，与所述氮气盖之间采用螺钉等紧固件进行安装连接。
[0032]请参阅图4，图4是本实用新型的气体喷射机构的剖面结构示意图。如图4所示，作为一可选的实施方式，气体喷射机构可设有沿所述出气孔6向内延伸的气道8，所述气道8连接至所述卡盘内的气管(图略)。进一步地，可在所述气体喷射机构中部加工出一个空腔9，这样，所述气道8可向所述空腔9引出，并通过空腔9采用连接管连接至所述卡盘内的气管。从图4可以看到，各气道8及其连通的出气孔6环绕气体喷射机构侧面均匀且等高设置。并且，各气道8及其出气孔6以气体喷射机构的中心为圆心，按辐射状朝向位于其上方的晶片(图略)背面的边缘方向成一定上倾角度设置，以使从各出气孔6喷射出的气体形成与所述晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层。
[0033]请继续参阅图4。作为可选的实施方式，可以将所述空腔9在所述气体喷射机构的上下表面打通，形成上下贯通的空腔。这样也同时可与图5中氮气盖中部的台阶孔11相贯通。如图3所示，可在气体喷射机构的上下表面中部加工一圆孔7，并与图4中气体喷射机构内部的空腔9相通。在气体喷射机构、氮气盖中部形成的孔(空腔)可作为透光孔使用，目的是可以让检测晶片在不在卡盘上的感应器的光透过。该感应器可安装在整个工艺腔室的顶部，在卡盘下面可安装接受此感应器发射光的接收器，通过把气体喷射机构、氮气盖中部位置处加工出透光的孔，以便感应器发射的光可以让卡盘下面的接受器接受到。优选地，在所述空腔9的上端口可采用一层透光材料10进行遮盖，避免孔内受到外界污染。
[0034]请继续参阅图4。以应用于300mm晶片为例，则晶片的半径R为150mm。作为可选的实施方式，所述出气孔6的出气方向引线与所述晶片(图略)背面相交，其交点距离所述晶片边缘的距离H为5_以内，例如H可为I?3_。这样，可使得整个晶片的背面都可被从出气孔6喷射出的气体覆盖，形成一圈倒伞形的气体保护层。这样的形态可有效阻挡回溅的清洗液穿透该保护层溅落到晶片背面。并且，可将气体喷射机构的上端设置为与晶片背面相距2mm左右，且气体喷射机构的上端距离氮气盖上表面约8mm。这样，相比现有技术，虽然使得气体从出气孔喷射到晶片背面边缘的距离增加了，但可在整个晶片背面形成厚实的一层气体保护层，且由于气体可以倾斜角度喷射，因此还可适当增加喷射时的气压，可同时起到更好的保护作用。
[0035]在对晶片进行清洗保护时，所述出气孔可用于喷射惰性气体，例如，常用氮气作为保护气体使用。并且，作为本实用新型的应用拓展，也可以利用本实用新型向晶片等目标物喷射其他气体。
[0036]综上所述，本实用新型通过在氮气盖上表面中部设置带有一圈出气孔的气体喷射机构，既可不影响机械手取放晶片，又可使从出气孔喷射出的气体以一定的倾斜角度喷射到晶片的边缘处，形成与晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层，这样可保证晶片整个背面都得到气体的保护，并增强了阻挡回溅清洗液的能力，可有效避免工艺时晶片在高速旋转的过程中，清洗液甩出晶片表面后，打在清洗腔侧壁上，重新飞溅到晶片背面所造成的二次污染。
[0037]以上所述的仅为本实用新型的优选实施例，所述实施例并非用以限制本实用新型的专利保护范围，因此凡是运用本实用新型的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种用于单片清洗设备的防止晶片背面污染的装置，包括同心设于旋转卡盘上面的氮气盖，其特征在于，所述氮气盖的上表面中部凸出设有一气体喷射机构，环绕所述气体喷射机构侧面均匀设有多个出气孔，所述出气孔按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置，以使从所述出气孔喷射出的气体形成与所述晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层。2.根据权利要求1所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述气体喷射机构设有沿所述出气孔向内延伸的气道，所述气道连接至所述卡盘内的气管。3.根据权利要求2所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述气体喷射机构设有空腔，所述气道向所述空腔引出，并连接至所述卡盘内的气管。4.根据权利要求3所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述空腔在所述气体喷射机构上下表面贯通。5.根据权利要求4所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述空腔上端口设有透光材料。6.根据权利要求1或2所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述出气孔环绕所述气体喷射机构侧面均匀等高设置。7.根据权利要求6所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述气体喷射机构为圆柱形。8.根据权利要求1所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述出气孔的出气方向引线与所述晶片背面相交，其交点距离所述晶片边缘5mm以内。9.根据权利要求1所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述氮气盖的上表面中心设有台阶孔，所述气体喷射机构下端通过所述台阶孔与所述氮气盖固接。10.根据权利要求1所述的防止晶片背面污染的装置，其特征在于，所述出气孔用于喷射惰性气体。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于单片清洗设备的防止晶片背面污染的装置，包括同心设于旋转卡盘上面的氮气盖，在氮气盖的上表面中部凸出设有一气体喷射机构，环绕气体喷射机构侧面均匀设有多个出气孔，出气孔按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置，既可不影响机械手取放晶片，又可使从出气孔喷射出的气体形成与晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层，可保证晶片整个背面都得到气体的保护，并可有效阻挡回溅的清洗液，避免对晶片背面造成二次污染。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN204632736
【申请号】CN201520356146
【发明人】刘效岩, 吴仪, 赵曾男, 张豹, 姬丹丹
【申请人】北京七星华创电子股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月28日