一种新型磁路结构的软磁磁芯的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型一种新型磁路结构的软磁磁芯。
【背景技术】
[0002]磁芯是由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物，用在电路中能够加大电磁线圈磁路的磁通密度，降低铜损耗，以增加电磁感应强度，提高电压转化效率。一直以来，磁芯作为磁性元件的重要组成部分，一直备受关注。特别是近几年，伴随着电子元件的不断发展，对磁芯的要求也越来越高。然而在满足要求的前提下，降低成本、自动化、环保、开发新产品、探索新工艺成为了当今磁芯制造行业的发展主题。
[0003]传统的软磁磁芯结构较多，如图1所示，磁芯为E E型结构；如图2所示，磁芯为EP型结构，还有其他EER、UF、RM、PQ、PM、Q、T和LP等结构的磁芯。虽然现有的磁芯品种足够多，而且制造工艺简单成熟，成本较低。但尺寸较大，且较多磁芯中柱界面为方形，绕线柱均设在内部，给线圈绕制带来麻烦，导致磁通密度分布不均匀，磁芯的有效利用面积小，且不利于散热。
【发明内容】
[0004]本申请提供一种磁通分布均匀、磁芯有效利用面积大、以及散热效果好的软磁磁芯。
[0005]一种实施例中提供一种新型磁路结构的软磁磁芯，包括:
[0006]底座；
[0007]以及若干个绕线柱，绕线柱为圆柱型结构，若干个绕线柱间隔开垂直设置在底座的一个面上，且排列在一条直线上。
[0008]进一步地，包括8个绕线柱，位于中间的两个绕线柱之间的间距大于其余相邻的绕线柱之间的间距，且其余相邻的绕线柱之间的间距均相等。
[0009]进一步地，位于中间的两个绕线柱之间的间距为1.3±0.1mm，其余相邻的绕线柱之间的间距为1.0±0.I臟。
[0010]进一步地，底座为长方体结构。
[0011]进一步地，绕线柱的高度为底座厚度的0.8?0.9倍。
[0012]进一步地，绕线柱的高度为1.5±0.1mm，半径为0.7±0.05mm。
[0013]进一步地，两端的绕线柱分别距离底座两端的间距相等。
[0014]进一步地，底座和绕线柱由NiZn铁氧体粉压一体成型。
[0015]依据上述实施例的新型磁路结构的软磁磁芯，由于若干个圆柱型绕线柱间隔开垂直设置在底座上，且排列在一条直线上，使得绕线柱绕线分布均匀，即使得磁通分布均匀，增加了磁芯的有效利用面积。又由于绕线柱裸露在外面，增加了磁芯的散热面积，即提高了散热效果。
【附图说明】
[0016]图1为现有技术中EE型磁芯的结构示意；
[0017]图2为现有技术中EP型磁芯的结构示意；
[0018]图3为本实用新型磁路结构的软磁磁芯的结构示意图；
[0019]图4为本实用新型磁路结构的软磁磁芯的俯视图。
【具体实施方式】
[0020]下面通过【具体实施方式】结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
[0021]如图3所示，在本实用新型实施例中提供一种新型磁路结构的软磁磁芯，磁芯包括底座I和8个绕线柱2。底座I和绕线柱2由磁导率较高的NiZn铁氧体粉压一体成型。
[0022]底座I为长方体结构，具体尺寸为19.8mm*3.3mm*2mm。
[0023]8个绕线柱2均为圆柱型结构且大小相等。8个绕线柱2间隔开设置在底座I的19.8mm*3.3mm面上，8个绕线柱2排列在一条直线上。如图4所示，位于中间的两个绕线柱2之间的间距LI大于其余相邻的绕线柱2之间的间距L2，具体的，位于中间的两个绕线柱2之间的间距LI为1.3±0.1mm，其余相邻的绕线柱2之间的间距LI为1.0±0.1mm。绕线柱2的高度为底座I厚度的0.8?0.9倍，具体的，绕线柱2的高度为1.5 ±0.1mm。两端的绕线柱2分别距离底座I两端的间距L3相等，间距L3均为0.65mm。
[0024]本实施例提供的新型磁路结构的软磁磁芯，由于8个圆柱型绕线柱2间隔开垂直设置在底座I上，且排列在一条直线上，使得绕线柱2绕线分布均匀，即使得磁通分布均匀，增加了磁芯的有效利用面积，即本实用新型的磁芯整体结构可小于相对现有技术的磁芯，而磁芯的有效利用面积与现有磁芯保存一致或更大，实现了磁芯的小型化。又由于绕线柱2裸露在外面，增加了磁芯的散热面积，即提高了散热效果，降低了磁芯温度，从而使磁芯损耗更低，减少了器件的功率损耗。
[0025]以上应用了具体个例对本实用新型进行阐述，只是用于帮助理解本实用新型，并不用以限制本实用新型。对于本实用新型所属技术领域的技术人员，依据本实用新型的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。
【主权项】
1.一种新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，包括: 底座； 以及若干个绕线柱，所述绕线柱为圆柱型结构，若干个所述绕线柱间隔开垂直设置在所述底座的一个面上，且排列在一条直线上。2.如权利要求1所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，包括8个所述绕线柱，位于中间的两个所述绕线柱之间的间距大于其余相邻的所述绕线柱之间的间距，且其余相邻的所述绕线柱之间的间距均相等。3.如权利要求2所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，位于中间的两个所述绕线柱之间的间距为1.3±0.1臟，其余相邻的所述绕线柱之间的间距为1.0±0.1mm。4.如权利要求3所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，所述底座为长方体结构。5.如权利要求4所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，所述绕线柱的高度为所述底座厚度的0.8?0.9倍。6.如权利要求5所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，所述绕线柱的高度为1.5±0.1mm,半径为 0.7±0.05mm。7.如权利要求6所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，两端的所述绕线柱分别距离所述底座两端的间距相等。8.如权利要求1至7任一项所述的新型磁路结构的软磁磁芯，其特征在于，所述底座和绕线柱由NiZn铁氧体粉压一体成型。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型磁路结构的软磁磁芯，包括：底座；以及若干个绕线柱，绕线柱为圆柱型结构，若干个绕线柱间隔开垂直设置在底座的一个面上，且排列在一条直线上。由于若干个圆柱型绕线柱间隔开垂直设置在底座上，且排列在一条直线上，使得绕线柱绕线分布均匀，即使得磁通分布均匀，增加了磁芯的有效利用面积。又由于绕线柱裸露在外面，增加了磁芯的散热面积，即提高了散热效果。
【IPC分类】H01F1/36, H01F27/24, H01F27/26
【公开号】CN204668095
【申请号】CN201520390487
【发明人】朱勇, 张冲
【申请人】深圳市高斯博电子科技有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月8日