时，其使孔120a的上表面露出，进而使第一导电型半导体层121部分地露出。进而，第一绝缘层151可以覆盖发光结构体120的侧面。
[0100]第一绝缘层151可以包括位于与多个孔120a所处位置相对应位置的第一开口部151a，以及使电极层130部分地露出的第二开口部151b。可以通过第一开口部151a及孔120a，使第一导电型半导体层121部分地露出，可以通过第二开口部151b，使电极层130部分地露出。
[0101]第一绝缘层151可以包含绝缘性的物质，例如，可以包含5102或511。进而，第一绝缘层151可以包括多层，也可以包括折射率不同的物质交替层叠的分布式布拉格反射器。
[0102]第一金属层140可以位于发光结构体120的下面，第一金属层可以填充多个孔120a及/或第一开口部151a，其与第一导电型半导体层121形成欧姆接触。第一金属层140可以形成为全面覆盖除了第一绝缘层151下表面的部分区域以外的其他部分。另外，不同于图中所示，第一金属层可以形成为覆盖至发光结构体120的侧面。第一金属层140也形成在发光结构体120的侧面时，能够向上部反射从活性层123向侧面释放的光，提高发光二极管10b向上部反射的光的比率。另一方面，第一金属层140可以不位于与第一绝缘层151的第二开口部151b对应的区域，与电极层130隔开并绝缘。
[0103]第一金属层140形成为除部分区域以外全面覆盖发光结构体120的下表面，能够进一步提高电流分散效应。另外，未被电极层130覆盖的部位则由第一金属层140覆盖，更有效地进彳丁光反射，提尚发光一极管10b的发光效率。
[0104]第一金属层140与第一导电型半导体层121形成欧姆接触，而且发挥光反射作用。因此，第一金属层140可以包含铝层等高反射金属层，所述高反射金属层可以形成在钛、铬或镍等的粘合层上面。
[0105]发光二极管10b还可以包括第二绝缘层153，第二绝缘层153可以覆盖第一金属层140。第二绝缘层153可以包括使第一金属层140部分地露出的第三开口部153a，以及使电极层130部分地露出的第四开口部153b。此时，第四开口部153b可以在对应于第二开口部151b的位置形成。
[0106]第三开口部153a及第四开口部153b可以形成一个以上。另外，第三开口部153a位于邻接发光二极管10b的一角时，第四开口部153b可以位于邻接的另一角。
[0107]第二绝缘层153可以包含绝缘性的物质，例如，可以包含二氧化硅(S12)或SiNx。进而，第二绝缘层153可以包括多层，也可以包括折射率不同的物质交替层叠的分布式布拉格反射器。
[0108]第一凸块161可以位于第二绝缘层153的下面，通过第三开口部153a与第一金属层140电连接。第二凸块163可以位于第二绝缘层153的下面，通过第四开口部153b与电极层130电连接。因此，第一凸块161及第二凸块163分别与第一导电型半导体层121及第二导电型半导体层125电连接。因此，第一凸块161及第二凸块163可以发挥从外部向发光二极管供给电源的电极作用。
[0109]散热电极170可以位于第二绝缘层153的下面，可以位于发光结构体120的下部。散热电极170以物理方式与发光结构体120连接，起到将发光结构体120产生的热量从发光结构体120向外散热的作用。另外，散热电极170可以位于第一凸块161和第二凸块163之间，进而位于发光结构体120中心部位下侧。但是，本实用新型并非限定于此，散热电极170、第一凸块161及第二凸块163的配置可进行多样的变更。
[0110]另外，如图2实施例中说明，第一凸块161及第二凸块163和散热电极170可以包含焊料。
[0111]根据本实用新型，能够提供包括图5(a)与图5(b)至图7的实施例中说明的发光二极管10b的发光装置。本实施例的发光二极管100b，其电流分散效应高，能够接通高电流，另外，即便接通高电流，其散热效率仍然高。因此，本实施例的发光二极管结构非常适合用于高功率发光装置。
[0112]以上对本实用新型的多种实施例进行了说明，但本实用新型并非限定于所述的多种实施例，在不超出本实用新型技术思想的范围内，可以多样地变形和变更。
【主权项】
1.一种发光装置，其特征在于，包括: 发光二极管；以及 基板，所述基板包括基座及位于所述基座上的导电性图案，且所述基板贴装到所述发光二极管， 所述发光二极管包括: 发光结构体，所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层的下面的活性层以及位于所述活性层的下面的第二导电型半导体层； 部分地去除所述活性层及所述第二导电型半导体层而使所述第一导电型半导体层的下表面部分地露出的区域； 电极层，位于所述第二导电型半导体层的下面而形成欧姆接触； 第一金属层，其通过所述第一导电型半导体层露出的所述区域而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触； 第一绝缘层，其部分地覆盖所述第一金属层和所述电极层； 第一凸块及第二凸块，其位于所述发光结构体的下部而与所述导电性图案接触，所述第一凸块及所述第二凸块分别与所述第一金属层及所述电极层电连接；以及散热电极，其位于所述发光结构体的下部且与所述基座接触； 其中所述第一导电型半导体层部分地露出的所述区域包括所述第一导电型半导体层露出的多个孔以及连接所述孔的至少一个连接孔， 而所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极相互隔开，所述散热电极的热传导性高于所述第一凸块及所述第二凸块的热传导性。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于: 所述发光二极管还包括绝缘物质部，所述绝缘物质部覆盖所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极的侧面。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于: 所述绝缘物质部的下表面、所述第一凸块的下表面、所述第二凸块的下表面及所述散热电极的下表面以相同高度并排形成。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于: 所述基座包括突出部，所述突出部的上表面、所述导电性图案的上表面以相同高度并排形成。5.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于:所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极包含焊料。6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于: 所述散热电极位于所述第一凸块和所述第二凸块之间。7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于: 所述导电性图案包括与所述第一凸块接触的第一导电性图案以及与所述第二凸块接触的第二导电性图案，所述基座包括位于所述第一导电性图案及所述第二导电性图案之间的突出部。8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于: 所述发光二极管还包括位于所述发光结构体和所述散热电极之间的绝缘层。9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于: 所述第一凸块及所述第二凸块与所述导电性图案直接粘接。10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于: 还包括位于所述基座和所述导电性图案之间的绝缘图案，所述基座及所述导电性图案包含金属。11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于: 所述电极层以单一体形成。12.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于: 所述第一凸块和所述第二凸块分别与所述第一金属层的一部分及所述电极层的一部分直接接触。13.一种发光二极管，其特征在于，包括: 发光结构体，其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层下面的活性层及位于所述活性层下面的第二导电型半导体层； 部分地去除所述活性层及所述第二导电型半导体层而使所述第一导电型半导体层的下表面部分地露出的区域； 电极层，其位于所述第二导电型半导体层的下面而形成欧姆接触； 第一金属层，其通过所述第一导电型半导体层露出的所述区域而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触； 第一绝缘层，其部分地覆盖所述第一金属层和所述电极层； 第一凸块及第二凸块，其位于所述发光结构体的下部且分别与所述第一金属层及所述电极层电连接；以及 散热电极，其位于所述发光结构体的下部； 其中，所述第一导电型半导体层部分地露出的所述区域包括所述第一导电型半导体层露出的多个孔以及连接所述孔的至少一个连接孔，且 所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极相互隔开，所述散热电极的热传导性高于所述第一凸块及所述第二凸块的热传导性。14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于: 所述发光二极管还包括绝缘物质部，所述绝缘物质部覆盖所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极的侧面。15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于: 所述第一凸块、所述第二凸块及所述散热电极包含焊料。16.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于: 所述散热电极位于所述第一凸块和所述第二凸块之间。17.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，还包括: 位于所述发光结构体和所述散热电极之间的绝缘层。
【专利摘要】公开一种散热效率提升的发光装置和一种发光二极管。根据本实用新型的发光装置包括：发光二极管；基板，其包括基座及所述基座上的导电性图案，基板贴装所述发光二极管；其中，所述发光二极管包括：第一凸块及第二凸块，其位于所述发光结构体的下部，与所述导电性图案接触，分别与所述第一金属层及所述电极层电连接；及，散热电极，其位于所述发光结构体的下部，与所述基座接触；其中，所述第一凸块、第二凸块及所述散热电极相互隔开，散热电极的热传导性高于所述第一及第二凸块的热传导性。因此，提供一种散热效率提升、制造方法简单的发光装置。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/62, H01L33/64
【公开号】CN204668358
【申请号】CN201520371774
【发明人】金彰渊, 朴柱勇, 孙成寿
【申请人】首尔伟傲世有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月2日