一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种一种氧化铍陶瓷基板衰减片，特别涉及一种氧化铍陶瓷基板200瓦20dB的衰减片。
【背景技术】
[0002]氧化铍陶瓷基板200瓦20dB的衰减片是同轴固定衰减器芯片的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件，要求对两端电路的影响越小越好。目前市场上针对大功率的衰减片精度和驻波比少数能达到2GHz，要做到4GHz等更高频率非常困难。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片。
[0004]为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0005]—种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，所述4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线和第四接地导线，所述输入电极与第一膜状电阻连接，所述第一膜状电阻与第二膜状电阻连接，所述第二膜状电阻与输出电极连接，所述第一接地导线和第二接地导线分别连接在第一膜状电阻两端，所述第三接地导线和第四接地导线分别连接在第二膜状电阻的两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第二膜状电阻的输出端连接有第二焙银。
[0006]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻和第二膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻，所述第一膜状电阻的输入端和第二膜状电阻的输出端分别与接地端的阻抗为50±1Ω。
[0007]在本实用新型的一个优选实施例中，所述化铍基板体积为25.5*25.5*3.2mm。
[0008]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻和第二膜状电阻分别通过厚膜工艺制成，所述厚膜电路衰减片的特性阻抗为50 Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。
[0009]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻和第二膜状电阻对称设置在氧化铍基板的中心位置。
[0010]本实用新型的有益效果是:
[0011]本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，
重复性好。
[0012]本实用新型可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0016]参见图1，本实用新型提供的4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其包括一氧化铍基板100。
[0017]氧化铍基板100的体积具体为25.5*25.5*3.2mm，其背面无电路非金属化，在其正面设有输入电极200、输出电极300、第一膜状电阻400、第二膜状电阻500、第一接地导线610、第二接地导线620、第三接地导线630和第四接地导线640。
[0018]输入电极200与第一膜状电阻400的输入端连接，第一膜状电阻400的输出端与第二膜状电阻500的输入端连接，第二膜状电阻500的输出端与输出电极300连接.这样输入电极200、第一膜状电阻400、第二膜状电阻500和输出电极300可形成一卡片式衰减网络，当信号通过第一膜状电阻400输入端进入到厚膜电路衰减片后，可通过第一膜状电阻400和第二膜状电阻500对功率进行逐级吸收，最后通过第二膜状电阻500输出端输出实际所需要的信号。
[0019]第一膜状电阻400的输入端具体连接有第一焙银700，第二膜状电阻500的输出端具体连接有第二焙银800。
[0020]另外，输入电极200、第一膜状电阻400、第二膜状电阻500和输出电极300整体为对称状。
[0021]在第一膜状电阻400的两端对称连接有第一接地导线610和第二接地导线620，第一膜状电阻400通过第一接地导线610和第二接地导线620接地导通。
[0022]在第二膜状电阻500的两端对称连接有第三接地导线630和第四接地导线640，第二膜状电阻500通过第三接地导线630和第四接地导线640接地导通。
[0023]第一膜状电阻400和第二膜状电阻500具体通过厚膜工艺制成，第一膜状电阻400和第二膜状电阻500分别通过激光调阻机进行激光调阻，第一膜状电阻400的输入端和第二膜状电阻500的输出端分别与接地端的阻抗为50± I Ω，这样使得厚膜电路衰减片的特性阻抗为50Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。
[0024]第一膜状电阻400和第二膜状电阻500具体对称设置在氧化铍基板100的中心位置，并且输入电极200、第一膜状电阻400、第二膜状电阻500和输出电极300形成的卡片式衰减网络也为对称结构，这样使得厚膜电路衰减片的衰减电路处于一个完全对称的状态，这样使得厚膜电路衰减片的衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，重复性好。
[0025]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线和第四接地导线，所述输入电极与第一膜状电阻连接，所述第一膜状电阻与第二膜状电阻连接，所述第二膜状电阻与输出电极连接，所述第一接地导线和第二接地导线分别连接在第一膜状电阻两端，所述第三接地导线和第四接地导线分别连接在第二膜状电阻的两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第二膜状电阻的输出端连接有第二焙银。2.根据权利要求1所述的一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻和第二膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻，所述第一膜状电阻的输入端和第二膜状电阻的输出端分别与接地端的阻抗为50±1 Ω。3.根据权利要求1所述的一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述化铍基板体积为25.5*25.5*3.2mm。4.根据权利要求1所述的一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻和第二膜状电阻分别通过厚膜工艺制成，所述厚膜电路衰减片的特性阻抗为50Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。5.根据权利要求1所述的一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻和第二膜状电阻对称设置在氧化铍基板的中心位置。
【专利摘要】本实用新型公开了一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，所述4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线和第四接地导线，所述输入电极与第一膜状电阻连接，所述第一膜状电阻与第二膜状电阻连接，所述第二膜状电阻与输出电极连接，所述第一接地导线和第二接地导线分别连接在第一膜状电阻两端，所述第三接地导线和第四接地导线分别连接在第二膜状电阻的两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第二膜状电阻的输出端连接有第二焙银。本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好。
【IPC分类】H01P1/22
【公开号】CN205319277
【申请号】CN201521079836
【发明人】戴林华, 周蕾, 周敏
【申请人】上海华湘计算机通讯工程有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月22日