一种可变耦合度的耦合器结构的制作方法

文档序号:10805335阅读:414来源:国知局
一种可变耦合度的耦合器结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种可变耦合度的耦合器结构,其包括耦合器本体,所述耦合器本体内部为腔体,所述腔体内设有主带与副带,所述主带与所述耦合器本体两边连接并设有所述腔体上端,所述副带设于所述腔体下端,所述主带横向设置于所述腔体内,所述主带在所述腔体内可上下调节位置以改变与所述副带之间的间距。本实用新型提供的可变耦合度的耦合器结构可以调节主带与副带之间的间距,完成耦合度的改变,使本实用新型应用于不同的通信产品中。
【专利说明】
一种可变耦合度的耦合器结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及到一种用于通信传输的耦合器,特别是一种可变耦合度的耦合器结构。
【背景技术】
[0002]腔体耦合器目前大量用于通信信号的传输,但目前腔体耦合器的主带和副带在腔体内耦合区的部分形状均为对称的,主带与副带之间的距离较接近,这样不能很好的控制主带与副带之间的耦合度,使得腔体耦合器整体耦合效果不理想。同时现有技术提供的腔体耦合器的耦合度为固定值,只能用于一种产品,使用灵活度较低。
【实用新型内容】
[0003]为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种可变耦合度的耦合器结构,其包括耦合器本体,所述耦合器本体内部为腔体,所述腔体内设有主带可变耦合度的耦合器结构与副带,所述主带与所述耦合器本体两边连接并设有所述腔体上端,所述副带设于所述腔体下端,所述主带横向设置于所述腔体内,所述主带在所述腔体内可上下调节位置以改变与所述副带之间的间距。
[0004]较佳地,所述主带通过导体连接所述所述耦合器本体上,所述主带在与所述导体连接点可上下调节。
[0005]较佳地,所述主带两端宽度较中间位置窄。
[0006]较佳地,所述主带两端位置向上具有10-30度的倾斜角。
[0007]本实用新型具有以下有益效果:
[0008]本实用新型提供的可变耦合度的耦合器结构可以调节主带与副带之间的间距,完成耦合度的改变,使本实用新型应用于不同的通信产品中。
[0009]当然,实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本实用新型实施例提供的可变耦合度的耦合器结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0013]本实用新型提供了一种可变耦合度的耦合器结构,其包括耦合器本体,所述耦合器本体内部为腔体,所述腔体内设有主带3与副带7,主带3与所述耦合器本体两边连接并设有所述腔体上端,副带7设于所述腔体下端,主带3横向设置于所述腔体内,主带3在所述腔体内可上下调节位置以改变与副带7之间的间距。
[0014]其中主带3通过第一导体2与第二导体4连接所述耦合器本体上,主带3在与第一导体2、第二导体4连接点可上下调节。
[0015]本实施中主带3两端宽度较中间位置窄。
[0016]其中主带3两端分别在1/5位置向上具有10-30度的倾斜角。中间的2/5位置的宽度为两边1/5位置宽2倍。两边倾斜部分分别占1/10的长度。
[0017]本实施例提供的可变耦合度的耦合器结构包括第一端口1、第二端口 5与第三端口
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[0018]以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该实用新型仅为所述的【具体实施方式】。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
【主权项】
1.一种可变耦合度的耦合器结构,其特征在于,包括耦合器本体,所述耦合器本体内部为腔体,所述腔体内设有主带与副带,所述主带与所述耦合器本体两边连接并设有所述腔体上端,所述副带设于所述腔体下端,所述主带横向设置于所述腔体内,所述主带在所述腔体内可上下调节位置以改变与所述副带之间的间距。2.如权利要求1所述的可变耦合度的耦合器结构,其特征在于,所述主带通过导体连接所述耦合器本体上,所述主带在与所述导体连接点可上下调节。3.如权利要求1所述的可变耦合度的耦合器结构,其特征在于,所述主带两端宽度较中间位置窄。4.如权利要求1所述的可变耦合度的耦合器结构,其特征在于,所述主带两端位置向上具有10-30度的倾斜角。
【文档编号】H01P5/12GK205488452SQ201620312131
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月13日
【发明人】胡为民
【申请人】恒天科技(滁州)有限公司
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