专利名称：半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及到一种保护半导体激光器免于静电破坏的半导体激光 器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置，具体而言涉及到一 种使对光盘或光磁盘等盘状光记录介质进行的信息记录重放所使用的 半导体激光器免于受到静电破坏的半导体激光器保护电路、光拾取装 置、及信息记录重放装置。
背景技术：
在向致密光碟(Compact Disk:简称CD)或数字多用盘(Digital Versatile Disk:简称DVD)等光记录介质进行信息记录重放的信息记 录重放装置中，使用搭载了半导体激光器的光拾取装置。
保护光拾取装置中安装的半导体激光器不受静电千扰的静电对策 例如如下进行半导体激光器安装在软性基板或硬质基板等基板上时，
在基板上通过锡焊直接连接半导体激光器的两个端子，使其为短路状 态。静电产生的电流即使流入到半导体激光器中，由于半导体激光器 的端子之间为短路状态，因此可保护半导体激光器免受静电干扰。例
如存在以下技术在光拾取装置中形成二个短路图案，使这二个短路 图案与半导体激光器的各端子连接，通过锡焊使这二个短路图案连接，
从而使半导体激光器的两个端子之间为短路状态。
在该技术中，需要进行以下作业光拾取装置单体下的短路图案 的锡焊作业；将光拾取装置组装到光记录介质的记录重放装置时的短 路图案的焊锡去除作业。锡焊作业及焊锡去除作业使用焊烙铁时，存
在因焊烙铁的接地不良导致泄漏电流可能流入到半导体激光器的问 题。在JP特开2006-49549号公报公开的技术中，半导体激光器保护 电路将芯片电阻器或由导电性材料构成的电阻器与半导体激光器并 联，使半导体激光器为短路状态。通过与半导体激光器并联的电阻器， 保护半导体激光器不受静电干扰。拾取调整结束后，在芯片电阻器的 情况下，将连接芯片电阻器的图案断开，在导电性材料的情况下，通 过拂拭或剥离去除导电性材料，解除半导体激光器的短路状态。
在JP特开2006-49549号公报公开的技术中，通过电阻器保护半 导体激光器不受静电干扰，不使用焊烙铁便可解除电阻器的短路状态， 因此可避免泄漏电流流入，但在拾取调整结束后，存在需要解除电阻 器短路状态的作业的问题。
在JP实开平6-5201S号公报公开的技术中，光信息记录重放装置 使激光二极管保护电路连接到激光二极管的阳极。激光二极管保护电 路包括与激光二极管并联的晶体管，施加到光信息记录重放装置的电 源电压，直到激光二极管保护电路以外的电路变为正常动作的电源电 压为止，使晶体管为通电状态，避免最大额定值以上的电流流入到阳 极接地的激光二极管，防止激光二极管的破坏。
JP实开平6-52018号公报公开的技术可避免最大额定值以上的电 流流入到激光二极管，并防止激光二极管的破坏，但需要向激光二极 管保护电路也提供电力，在无法向光拾取装置提供电力的状态下，存 在无法保护激光二极管等的半导体激光器的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可使半导体激光器不受静电及泄漏电 流干扰、无需解除短路状态的作业的半导体激光器保护电路、光拾取 装置、及信息记录重放装置。本发明提供一种半导体激光器保护电路，用于保护半导体激光器， 该半导体激光器具有二个端子，其中一个端子接地，其特征在于，包 括与半导体激光器的另一个端子连接的晶体管，该晶体管在基极被施
加预先确定的电压以上的电压时变为导通状态，经由该晶体管使半导 体激光器的另一个端子接地，进一步，在基极被施加比预先确定的电 压小的电压时变为绝缘状态，使半导体激光器的上述另一个端子断开。
并且，本发明优选还包括第1电阻器，与上述基极连接；和第 1外部端子，与上述第1电阻器连接，用于施加使施加到上述基极的电 压为预先确定的上述第1电压以上的电压。
并且，本发明优选，包括第2电阻器，具有二个端子，其中一 个端子与上述半导体激光器的上述另一个端子连接；第2外部端子， 与第2电阻器的另一个端子连接；和第2晶体管，与第2外部端子连 接，上述第2晶体管当在第2外部端子施加了预先确定的第2电压时， 经由该第2晶体管使上述晶体管的基极接地，使施加到基极的电压为 比上述预先确定的第1电压小的电压。
并且，本发明提供一种光拾取装置，使用激光对光记录介质进行 信息的记录或重放，其特征在于，包括上述半导体激光器保护电路； 和半导体激光器，射出上述激光，与上述半导体激光器保护电路连接。
并且，本发明优选，包括导电性的筐体，上述半导体激光器保护 电路接地到上述筐体上。
并且，本发明优选，上述半导体激光器保护电路被集成化。
并且，本发明优选，包括软性基板，上述半导体激光器保护电路 安装在上述软性基板上。并且，本发明优选，包括硬质基板，上述半导体激光器保护电路 安装在上述硬质基板上。
并且，本发明也可提供一种光模块，包括将上述半导体激光器 保护电路集成化的电路；半导体激光器，射出激光，与上述半导体激 光器保护电路连接；和受光元件，接收激光。
并且，本发明也可提供一种光拾取装置，其含有上述光模块。
并且，本发明提供一种信息记录重放装置，其特征在于，使用上 述光拾取装置，对光记录介质进行信息的记录或重放。
根据本发明，半导体激光器保护电路用于保护半导体激光器，该 半导体激光器具有二个端子，其中一个端子接地，其包括与半导体激 光器的另一个端子连接的晶体管，该晶体管在基极被施加预先确定的 电压以上的电压时变为导通状态，经由该晶体管使半导体激光器的上 述另一个端子接地，进一步，在基极被施加比预先确定的电压小的电 压时变为绝缘状态，使半导体激光器的上述另一个端子断开。
因此，通过使施加到基极的电压小于预先确定的电压，可解除短 路状态，因此可取消用于解除短路状态的作业。无需为了解除短路状 态而使用焊烙铁，因此也可避免泄漏电流流入。因此，可提高半导体 激光器的成品率，提高搭载的半导体激光器的可靠性，并且由于可取 消用于解除短路状态的作业，而可提高生产效率。
光拾取装置也可含有上述光模块，此时，无需另行设置用于搭载 半导体激光器保护电路的空间，可使光拾取装置小型化。
根据本发明，在信息记录重放装置中，使用上述光拾取装置对光 记录介质进行信息的记录或重放，因此在信息记录重放装置一侧无需进行半导体激光器的静电对策。
本发明的目的、特色及优点通过以下详细说明及附图可得以明确。
图1是表示本发明的一个实施方式的电气开关电路的构成的图。 图2是表示本发明的一个实施方式的光拾取装置的概观的一例的图。
图3是用于判断电气开关电路处于哪一状态的流程图。
图4是表示本发明的其他实施方式的光拾取装置的概观的一例的图。
图5是表示本发明的一个实施方式的光模块的概观的一例的图。
具体实施例方式
以下参照附图详细说明本发明的优选实施方式。
图1是表示本发明的一个实施方式的电气开关电路1的构成的图。 作为半导体激光器保护电路的电气开关电路1包括晶体管ll、数字 晶体管12、第1电阻器13、第1外部端子14、第2外部端子15、及 第2电阻器16。
半导体激光器10例如由激光二极管构成。半导体激光器10的阴 极接地，阳极与晶体管11连接。作为晶体管的晶体管11是npn型的 双极晶体管，集电极与半导体激光器IO的阴极连接，发射极接地，基 极通过第1电阻器13与第1外部端子14连接。第1电阻器13例如由 碳质电阻构成，电阻值例如是10KQ (欧姆)。
作为第2晶体管的数字晶体管12例如由电阻内置型的叩n型晶体 管构成。数字晶体管12中内置二个电阻，二个电阻中的一个电阻的电 阻值例如为4.7KQ，与基极连接，其他电阻的电阻值例如为47KQ，连接在基极和发射极之间。数字晶体管12的集电极与晶体管11的基
极连接，发射极接地，基极经由电阻与第2外部端子15连接。
第2外部端子15经由第2电阻器16与半导体激光器10的阳极连 接。第2电阻器16是用于保护半导体激光器10不受施加到第2外部 端子15的电压的干扰的电阻器，例如由碳质电阻构成，电阻值例如为 10Q 。
电压未施加到晶体管11的基极时，晶体管ll为断开状态、即绝 缘状态，半导体激光器10中，经由第2电阻器16接地，电流流入到 半导体激光器IO，变为ON(打开)。
进一步，电压施加到第1外部端子14，通过施加到第l外部端子 14的电压，施加到晶体管11的基极的电压为预先确定的第1电压、例 如1.0V(伏)的电压以上时，晶体管ll变为导通状态，半导体激光器 IO经由晶体管ll接地。
半导体激光器IO经由晶体管11接地时，来自焊烙铁的泄漏电流 或静电所产生电流经由晶体管11放电，因此可防止半导体激光器10 被泄漏电流或静电破坏。
进一步，电压施加到第2外部端子15，施加到第2外部端子15 的电压为预先确定的第2电压、例如3V的电压以上时，电流流入到数 字晶体管12的基极，数字晶体管12变为导通状态。当数字晶体管12 变为导通状态时，晶体管11的基极经由数字晶体管12接地，晶体管 ll变为绝缘状态。当晶体管ll变为绝缘状态时，半导体激光器10打 开，可进行动作。
这样一来，电气开关电路1是用于保护半导体激光器10的半导体 激光器保护电路，该半导体激光器具有二个端子， 一个端子接地。该电气开关电路1包括晶体管U，该晶体管11与半导体激光器另一个端 子连接，在基极被施加预先确定的电压以上的电压时变为导通状态， 使半导体激光器IO的上述另一个端子经由该晶体管11接地，进一步， 在基极被施加比预先确定的电压小的电压时变为绝缘状态，打开半导 体激光器10的上述另一个端子。
因此，通过使施加到基极的电压小于预先确定的电压，可解除短 路状态，因此可取消用于解除短路状态的作业。无需为了解除短路状 态而使用焊烙铁，因此也可避免泄漏电流流入。因此，可提高半导体 激光器的成品率，并提高搭载的半导体激光器的可靠性，并且可取消 用于解除短路状态的作业，从而可提高生产效率。
进一步，电气开关电路l还包括第1电阻器13，与上述基极连 接；和第1外部端子14，与第1电阻器13连接，用于施加使施加到上 述基极的电压为上述预先确定的第1电压以上的电压。因此，通过改 变施加到第1外部端子14的电压，可使半导体激光器10经由晶体管 ll接地、或者控制接地的解除。
进一步，电气开关电路1包括第2电阻器16，其具有二个端子， 一个端子与半导体激光器10的上述另一个端子连接;第2外部端子15， 与第2电阻器16的另一个端子连接；和第2晶体管12，与第2外部端 子15连接。通过数字晶体管12，在第2外部端子15被施加预先确定 的第2电压时，晶体管11的基极经由数字晶体管12接地，施加到基 极的电压为小于上述预先确定的电压的电压。因此，即使电压施加到 第1外部端子14、半导体激光器IO经由晶体管11接地，也可通过施 加到第2外部端子15的电压来解除接地。
图2是表示本发明的一个实施方式的光拾取装置20的概观的一例 的图。光拾取装置20是使用激光对光记录介质记录或重放信息的装置， 包括电气开关电路l、半导体激光器IO、筐体21、及软性基板22。半导体激光器10安装在筐体21上，电气开关电路1安装在软性
基板22上。半导体激光器IO的阳极与电气开关电路1的晶体管11的 集电极连接。电气开关电路1接地到筐体21。
这样一来，由于电气开关电路1安装到软性基板22上，因此无需 使用专用的基板，可使光拾取装置20小型化。
图3是用于判断电气开关电路1处于哪一状态的流程图。从该流 程图的步骤Al开始推进，可判断电气开关电路1处于哪个状态或将要 成为哪个状态。
在步骤Al中，判断光拾取装置20是否搭载到信息记录重放装置。 当光拾取装置20搭载到信息记录重放装置时，前进到步骤A6，当光 拾取装置20未搭载到信息记录重放装置时，前进到步骤A2。在步骤 A2中，光拾取装置20处于未搭载到信息记录重放装置的单体状态。
在步骤A3中，判断电压是否施加到第2外部端子。当施加到第2 外部端子15的电压为预先确定的第2电压以上时，判断电压施加到了 第2外部端子，前进到步骤AIO。当施加到第2外部端子15的电压小 于预先确定的第2电压时，判断电压未施加到第2外部端子，前进到 步骤A4。在步骤A4中半导体激光器10处于经由晶体管11接地的状 态。在步骤A5中半导体激光器IO处于被保护不受静电干扰的状态。
在步骤A6中，光拾取装置20处于搭载到信息记录重放装置的状 态。在步骤A7中，判断电压是否施加到第1外部端子。通过施加到第 1外部端子14的电压，而施加到晶体管11的基极的电压为预先确定的 第l电压以上时，判断电压施加到了第l外部端子，前进到步骤A8。 通过施加到第1外部端子14的电压，而施加到晶体管11的基极的电 压小于预先确定的第1电压时，判断电压未施加到第1外部端子，返回到步骤A7。
在步骤A8中晶体管11变为导通状态。在步骤A9中半导体激光 器IO经由晶体管11接地，成为被保护不受静电干扰的状态。在步骤 A10中，判断电压是否施加到第2外部端子。当施加到第2外部端子 15的电压为预先确定的第2电压以上时，判断电压施加到了第2外部 端子，前进到步骤All。当施加到第2外部端子15的电压小于预先确 定的第2电压时，判断电压未施加到第2外部端子，返回到步骤AIO。
在步骤All中，通过数字晶体管12，使晶体管11的基极经由数 字晶体管12接地，晶体管ll变为绝缘状态。在步骤A12中，半导体 激光器10的经由晶体管11的接地被解除。在步骤A13中，半导体激 光器IO变为可进行动作的状态。
图4是表示本发明的其他实施方式的光拾取装置30的概观的一例 的图。光拾取装置30是使用激光对光记录介质记录或重放信息的装置， 包括电气开关电路l、半导体激光器IO、筐体31、及硬质基板32。硬 质基板32不是软性基板那样具有柔软性的材料，而是由不具有柔软性 的基材构成的硬质基板。
半导体激光器10安装在筐体31上，电气开关电路l安装在硬质 基板32上。半导体激光器10的阳极与电气开关电路1的晶体管11的 集电极连接。电气开关电路1接地到筐体31。
这样一来，由于电气开关电路1安装在硬质基板32上，因此无需 使用专用的基板，可使光拾取装置30小型化。
进一步，电气开关电路l接地到导电性筐体21、 31，因此可使用 光拾取装置20、 30—侧的电压，控制晶体管11的导通或绝缘。在上述实施方式中，分别连接单体的电阻器、晶体管、及数字晶 体管而构成电气开关电路1，但也可用集成了电阻器、晶体管、及数字 晶体管的集成电路来构成。
这样一来，电气开关电路l集成化，因此可使光拾取装置20、 30 小型化。
图5是表示本发明的一个实施方式的光模块40的概观的一例的 图。光模块40包括电气开关电路la、射出激光的半导体激光器10、 及接收激光的受光元件41。电气开关电路la是将图l所示的电气开关 电路1集成化的装置，电气开关电路la的电路构成与电气开关电路1 的电路构成相同，为了避免重复而省略其说明。半导体激光器10的阳 极与电气开关电路la的晶体管11的集电极连接。
这样一来，光模块40包括使电气开关电路1集成化的电气开关电 路la，通过与电气开关电路la连接的半导体激光器10，射出激光，通 过受光元件41，激光被接收。
上述光拾取装置20、 30将电气开关电路1安装到软性基板22或 硬质基板32，但也可通过安装搭载了电气开关电路la的光模块40， 使用电气开关电路la来替代电气开关电路1。
这样一来，光拾取装置由于含有光模块40，因此无需另行设置搭 载电气开关电路la的空间，可使光拾取装置小型化。
光拾取装置20、 30、及使用了光模块40的光拾取装置可适用于 对致密光碟(Compact Disk:简称CD)或数字多用盘(Digital Versatile Disk:简称DVD)等光记录介质进行信息记录重放的信息记录重放装 置。这样一来，在信息记录重放装置中，使用光拾取装置20、 30、或 利用了光模块40的光拾取装置，信息记录或重放到光记录介质，因此 在信息记录重放装置一侧无需进行半导体激光器10的静电对策。
本发明不脱离其精神及主要特征时，可以各种方式实施。因此， 上述实施方式从各方面而言仅是单纯的示例，本发明的范围如权利要 求范围所示，不受说明书正文的任何约束。进一步，属于权利要求范 围的变形、变更全部在本发明的范围内。
权利要求
1. 一种半导体激光器保护电路，用于保护半导体激光器，该半导体激光器具有二个端子，其中一个端子接地，所述半导体激光器保护电路的特征在于，包括与半导体激光器的另一个端子连接的晶体管，该晶体管在基极被施加预先确定的电压以上的电压时变为导通状态，经由该晶体管使半导体激光器的上述另一个端子接地，进一步，在基极被施加比预先确定的电压小的电压时变为绝缘状态，使半导体激光器的上述另一个端子断开。
2. 根据权利要求l所述的半导体激光器保护电路，其特征在于， 还包括第1电阻器，与上述基极连接；和第1外部端子，与上述第1电阻器连接，用于施加使施加到上述 基极的电压为上述预先确定的第1电压以上的电压。
3. 根据权利要求2所述的半导体激光器保护电路，其特征在于， 包括第2电阻器，具有二个端子，其中一个端子与上述半导体激光器的上述另一个端子连接；第2外部端子，与第2电阻器的另一个端子连接；和 第2晶体管，与第2外部端子连接，上述第2晶体管，当在第2外部端子施加了预先确定的第2电压 时，经由该第2晶体管使上述晶体管的基极接地，使施加到基极的电 压为比上述预先确定的第1电压小的电压。
4. 一种光拾取装置，使用激光对光记录介质进行信息的记录或重 放，其特征在于，包括权利要求l所述的半导体激光器保护电路；和半导体激光器，射出上述激光，与上述半导体激光器保护电路连接。
5.根据权利要求4所述的光拾取装置，其特征在于，包括导电性的筐体，上述半导体激光器保护电路接地到上述筐体上。
6.根据权利要求4所述的光拾取装置，其特征在于，上述半导体 激光器保护电路被集成化。
7. 根据权利要求6所述的光拾取装置，其特征在于， 包括软性基板，上述半导体激光器保护电路安装在上述软性基板上。
8. 根据权利要求6所述的光拾取装置，其特征在于， 包括硬质基板，上述半导体激光器保护电路安装在上述硬质基板上。
9. 一种信息记录重放装置，其特征在于，使用权利要求4所述的 光拾取装置，对光记录介质进行信息的记录或重放。
全文摘要
本发明提供一种半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置。半导体激光器(10)的阴极接地，阳极与晶体管(11)的集电极连接。晶体管(11)的发射极接地，基极经由第1电阻器(13)与第1外部端子连接。数字晶体管(12)的集电极与晶体管(11)的基极连接，发射极接地，基极经由电阻与第2外部端子(15)连接。在晶体管(11)的基极施加预先确定的第1电压以上的电压时，晶体管(11)变为导通状态，半导体激光器(10)经由晶体管(11)接地，保护其不受静电、泄漏电流干扰。
文档编号H02H7/20GK101420102SQ200810169100
公开日2009年4月29日 申请日期2008年10月27日 优先权日2007年10月25日
发明者铃木弘文 申请人:夏普株式会社