专利名称：半导体激光器保护装置的制作方法
技术领域：
半导体激光器保护装置
技术领域：
本实用新型涉及半导体激光器控制领域，特别涉及一种半导体激光器LD(LaSerDiode)保护装置。
背景技术：
半导体激光器系统，其核心部分为高精度的半导体激光器，然而半导体激光器是很脆弱的精密部件。在电路装配时如果受到静电干扰影响，瞬态的电流或电压尖峰脉冲，以及电路中发生的过流、过压现象都会损坏半导体激光器，当电源被随意关闭或开启、或出现较快速电压波动时都会导致激光器永久性的损坏。半导体激光器LD的PN结非常脆弱，极
为容易损坏，容易使半导体激光器两端面腔镜产生损伤造成激光器永久性损坏。现今常用的半导体激光设备工作用稳流电源抗干扰能力较差，迫切需要有适用于激光器用的保护装置，实现防浪涌、慢启动、慢关闭等功能，实现对激光器和保护。
发明内容本实用新型针对以上问题提出了一种能慢速启动或关闭，避免瞬时电压剧变对半导体激光器进行有效保护的半导体激光器保护装置。本实用新型的技术方案是一种半导体激光器保护装置，其特征在于，在半导体激光器两端并联了一个小电容C126，同时并联一个防止LD受到反方向电压的反向二极管D66。在经过半导体激光器的电路中设置一个采样传感器(U23)，所述采样传感器U23输出端连接到具有限流值比较功能的比较器LM339A(U26A)，而比较器的输出端连接到电流调整电路，在所述电流调整电路中具有一个能调节电流大小的稳压二极管D21。本实用新型的有益效果是通过该保护装置可以防止反向电压冲击，同时可以实现对半导体激光器的慢速启动，控制电压不突然急剧加在整个恒流源电路上，而是在设定时间内从零逐渐增大，慢速关闭是指控制电压Vs不突然减为0，而是在设定的时间内逐渐减至0，当电路中电流过大时，也可以通过电流值比较器和D21对电路进行调整，限制最大电流。
图I是本实用新型电路原理图。
具体实施方式为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。实施例I :半导体激光器是很脆弱的精密部件。在电路装配时如果受到静电干扰影响，瞬态的电流或电压尖峰脉冲，以及电路中发生的过流、过压现象都会损坏半导体激光器，当电源被随意关闭或开启、或出现较快速电压波动时都会导致激光器永久性的损坏。半导体激光器LD的PN结非常脆弱，极为容易损坏，容易使半导体激光器两端面腔镜产生损伤造成激光器永久性损坏。整个电路希望以软启动方式，所谓软启动方式是指驱动电源开启后，电压不是在一瞬间就加到整个恒流源上，这样会在瞬间产生高峰电压或者尖峰脉冲，这样就要控制电压在驱动电源开启时在设定时间内从零逐渐加到额度电压，同样，在管壁驱动电压时，也不能让电压在瞬间减为0，而是在设定时间内从额定电压减为O。一种半导体激光器保护装置，其特征在于，在半导体激光器两端并联了一个电容C126,同时并联一个防止LD受到反向电压冲击的反向二极管D66。其中，在电路中具有一个电流值比较器LM339A (U26A)，采样传感器U23输出端连接到具有限流值比较功能的电流值比较器LM339A(U26A)，而电流值比较器的输出端连接到 电流调整电路，通过调整稳压二极管D21值即可调整电流大小，进而实现对电路中电流大小的控制，不会出现尖峰脉冲冲击。
权利要求1.一种半导体激光器保护装置，其特征在于，在半导体激光器两端并联了一个小电容C126,同时并联一个防止半导体激光器受到反方向电压冲击的反向二极管D66。
2.根据权利要求I所述半导体激光器保护装置，其特征在于，在经过半导体激光器的电路中设置一个采样传感器(U23)，所述采样传感器(U23)输出端连接到具有限流值比较功能的比较器LM339A (U26A)，而比较器的输出端连接到电流调整电路，在所述电流调整电路中具有一个能调节电流大小的稳压二极管D21。
专利摘要一种半导体激光器保护装置，其特征在于，并联一个防止LD受到反相电压冲击的反向二极管，防止LD因反向电压而损坏，并在半导体激光器两端并联了一个小电容，该保护装置可以实现对半导体激光器的慢速启动，控制电压不突然急剧加在整个恒流源电路上，而是在设定时间内从零逐渐增大，慢速关闭是指控制电压Vs不突然减为0，而是在设定的时间内逐渐减至0，当电路中电流过大时，也可以通过比较器LM339A和稳压二级管对电路进行调整，限制最大电流。
文档编号H02H11/00GK202651783SQ201220246748
公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月29日 优先权日2012年5月29日
发明者郑全昌, 胡德洲, 甘义成, 佟之晖, 卢红星 申请人:深圳市瑞丰恒科技发展有限公司