专利名称：半导体晶片发电系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发电系统，是利用半导体晶片热电效应逆向原理产生电流，进而发电的技术。
背景技术：
将两块不同的金属用导体连接，接通直流电后，一块金属温度降低，另一块金属温度升高；若将电源反接，则金属的温度相反变化，此现象即为热电效应。热电效应是温差与电压的相互转换现象，即当受热物体中的电子(洞)，随着温度梯度由高温区往低温区移动时，所产生电流或电荷堆积的一种现象。热电制冷又称作温差电制冷，是利用热电效应的一种制冷方式，若用一个N型半导体和一个P型半导体替代金属，利用半导体的这种单向传导特性，产生的热电效应就大得多。半导体晶片是利用半导体的热电效应制取冷量的器件。实验证实，使用热电效应的逆向原理，在金属的两侧加上两片导热体，并给两片导热体给予不同温度，因为温差效应也会让金属内部上产生电子流通，相对地也会产生电流，金属两端用导线连接出来会有一定的微弱电流。但是一般的金属产生的电力极弱，不能满足用电设备的基本要求，故需要一种可以产生较高电力的发电系统。
实用新型内容实用新型目的:本实用新型的目的是为了解决以上现有技术的不足，提供一种产电量大，满足一般用电需求的半导体晶片发电系统。技术方案:本实用新型所述的半导体晶片发电系统，其目的是这样实现的:一种半导体晶片发电系统，包括半导体晶片、导热体、整流模块、防止逆向电流保护模块，所述半导体晶片设于两块导热体之间，使两块导热体之间产生一定的温度差，半导体晶片的两端连接整流模块和防止逆向电流保护模块。所述导热体包括受热面与设于受热面一侧的若干间隔设置的导热片，受热面的另一侧与半导体晶片连接。所述半导体晶片与导热体结合面之间还设有导热胶层。动作原理:1.热源置于一侧导热体的导热片上，冷源置于另一侧导热体的导热片上，使得半导体左右两侧产生温差，应用热电效应原理，半导体晶片的N极电子会向P极电洞补满空位而产生电子流，将半导体的导热片P极和N极用导线引出，接上用电设备形成用电回路，将会在此电路上直接产生电流，提供给用电设备使用或提供给电力存储设备存储电力。2.整流模块和防止逆向电流保护模块可以确保半导体发电对用电回路的连续输出状态，防止两侧导热体温度达到相同临界温度或相反时，产生供电给半导体晶片，如此保护下可以确保所产生的电能可以确定是半导体晶片输出，而不是对半导体晶片输入电能，逆向输电反而会影响电路的不稳定。3.只要有冷热温差加在半导体晶片两侧的导热片上，即对半导体晶片提供了动能，推动N极的电子流向P极电洞，应用此方式发电产生电能。有益效果:本实用新型所述的半导体晶片发电系统，利用具有温差的两个介质之间的温度传递而产生电能，直接产生直流，没有交流电功率因数损失；不是使用传统的电机发电，不会产生机械损失，可应用于小功率的电路发电。
图1是本实用新型的连接结构示意图；图2是本实用新型半导体晶片的电路连接不意图。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。参见图1所示，半导体晶片发电系统，包括半导体晶片I和导热体2，导热体2由受热面3和导热片4构成，受热面3是直接与半导体晶片I的两侧面对接导热的，导热片4是间隔均匀排列于受热面3的另一侧的，这样有利于温度的快速传导，半导体晶片与导热体结合面之间还设有导热胶层5。参见图2所示，半导体晶片I的两端连接整流模块6和防止逆向电流保护模块7，确保所产生的电能可以确定是半导体晶片I输出到用电设备8，而不是对半导体晶片I输入电能，逆向输电反而会影响电路的不稳定。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种半导体晶片发电系统，其特征在于:包括半导体晶片、导热体、整流模块、防止逆向电流保护模块，所述半导体晶片设于两块导热体之间，半导体晶片的两端连接整流模块和防止逆向电流保护模块。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片发电系统，其特征在于:所述导热体包括受热面与设于受热面一侧的若干间隔设置的导热片，受热面的另一侧与半导体晶片连接。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片发电系统，其特征在于:所述半导体晶片与导热体结合面之间还设有导热胶层。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体晶片发电系统，包括半导体晶片、导热体、整流模块、防止逆向电流保护模块，所述半导体晶片设于两块导热体之间，半导体晶片的两端连接整流模块和防止逆向电流保护模块。本实用新型所述的半导体晶片发电系统，利用具有温差的两个介质之间的温度传递而产生电能，直接产生直流，没有交流电功率因数损失；不是使用传统的电机发电，不会产生机械损失，可应用于小功率的电路发电。
文档编号H02N11/00GK202940754SQ201220602010
公开日2013年5月15日 申请日期2012年11月15日 优先权日2012年11月15日
发明者魏政焕 申请人:苏州仲暄通讯技术有限公司