1.一种原边电流可控的无辅助绕组隔离式开关电源的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括高压整流滤波电路模块、隔离式变压器和集成电路模块，所述的高压整流滤波电路模块为所述的集成电路模块提供直流电，所述的集成电路模块与所述的隔离式变压器的原边相连接。
2.根据权利要求1所述的原边电流可控的无辅助绕组隔离式开关电源的电路结构，其特征在于，所述的高压整流滤波电路模块包括高压整流滤波电路、交流电源和启动电阻，所述的交流电源的输出端与所述的高压整流滤波电路的输入端相连接，所述的高压整流滤波电路的输出端分别与所述的启动电阻的第一端和所述的集成电路模块的第二输入端相连接，所述的启动电阻的第二端与所述的集成电路模块的第一输入端相连接。
3.根据权利要求1所述的原边电流可控的无辅助绕组隔离式开关电源的电路结构，其特征在于，所述的集成电路模块包括双极型高压开关功率管、辅助开关管、VCC整流二极管、第三电压跟随器、预关断控制电阻、第一比较器、第二比较器、第一驱动、第二驱动和供电时间调节器，所述的电路结构还包括储能滤波电容和采样电阻，所述的第三电压跟随器的同相输入端接VREF，所述的第三电压跟随器的反相输入端分别与所述的第三电压跟随器的输出端、所述的第一比较器的同相输入端和所述的预关断控制电阻的第一端相连接，所述的第一比较器的反相输入端分别与所述的第二比较器的反相输入端、所述的隔离式变压器的原边绕组的异名端和所述的采样电阻的第二端相连接，所述的第一比较器的输出端与所述的第一驱动的第一输入端相连接，所述的第一驱动的输出端分别与所述的集成电路模块的第一输入端和所述的双极型高压开关功率管的基极相连接，所述的双极型高压开关功率管的集电极与所述的集成电路模块的第二输入端相连接，所述的双极型高压开关功率管的发射极分别与所述的VCC整流二极管的正极和所述的辅助开关管的漏极相连接，所述的VCC整流二极管的负极分别与所述的供电时间调节器的第一端和所述的储能滤波电容的第一端相连接，所述的储能滤波电容的第二端分别与所述的辅助开关管的源极和所述的采样电阻的第一端相连接并接浮地点，所述的供电时间调节器的第二端分别与所述的预关断控制电阻的第二端和所述的第二比较器的同相输入端相连接，所述的第二比较器的输出端分别与所述的第一驱动的第二输入端和所述的第二驱动的输入端相连接，所述的第二驱动的输出端与所述的辅助开关管栅极相连接。
4.根据权利要求3所述的原边电流可控的无辅助绕组隔离式开关电源的电路结构，其特征在于，所述的供电时间调节器还包括第一电压跟随器、第二电压跟随器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述的第一电压跟随器的同相输入端接VREF，所述的第一电压跟随器的反相输入端分别与所述的第一PMOS管的漏极和所述的第三电阻的第一端相连接，所述的第一电压跟随器的输出端分别与所述的第一PMOS管的栅极和所述的第二PMOS管的栅极相连接，所述的第一PMOS管的源极与所述的第二PMOS管的源极相连接并接VDD，所述的第二PMOS管的漏极分别与所述的第一NMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的栅极相连接，所述的第二NMOS管的漏极与所述的供电时间调节器的电流输出端相连接，所述的第二NMOS管的源极与所述的第一NMOS管的源极相连接并接地，所述的第三电阻的第一端分别与所述的第二电压跟随器的输出端和所述的第二电压跟随器的反相输入端相连接，所述的第二电压跟随器的同相输入端分别与所述的第一电阻的第二端和所述的第二电阻的第一端相连接，所述的第一电阻的第一端接VCC，所述的第二电阻的第二端接地。
5.根据权利要求1所述的原边电流可控的无辅助绕组隔离式开关电源的电路结构，其特征在于，所述的隔离式变压器还包括副边整流二极管，所述的副边整流二极管的正极与所述的隔离式变压器的副边绕组的同名端相连接，所述的副边整流二极管的负极与输出负载相连接。