一种DTU的电池管理电路的制作方法

本实用新型属于DTU技术领域，更具体的说是涉及一种DTU的电池管理电路。

背景技术：

DTU是数据传输单元，是专门用于将串口数据转换为IP数据或将IP数据转换为串口数据通过无线通信网络进行传送的无线终端设备。现有技术中，为了实现快速充电，DTU充电的充电电流越来越大，较大的充电电流在通过充电管理芯片时，会使充电管理芯片发热，而且充电电流越大，发热量也越大，会导致局部过热问题。

因此，如何提供一种DTU的电池管理电路成为了本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供了一种DTU的电池管理电路，解决了现有DTU充电电流过大，充电管理芯片易损坏的问题，可实现温度的监测，有利于提高使用寿命。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种DTU的电池管理电路，包括：充电管理芯片和PMOS晶体管；其中，所述充电管理芯片的PGND端口和GND端口均接地；所述充电管理芯片的CHRG端口与发光二极管的负极连接，发光二极管的正极连接通过电阻与电源相连；所述充电管理芯片的TEMP端口连接电阻R87的一端，电阻R87的另一端接地；所述充电管理芯片的EOC端口连接电阻R80的一端，电阻R80的另一端接地；所述充电管理芯片的COM1端口分别连接电阻R81和电容C46的一端，电阻R81和电容C46的另一端均接地；所述充电管理芯片的COM2端口通过电阻R79与电容C45的一端连接，电容C45的另一端接地；所述充电管理芯片的TEST端口接地；所述充电管理芯片的COM3端口连接电容C44的一端，电容C44另一端接地；所述充电管理芯片的BAT端口分别连接有电源、电池的一个端口、电容C41的一端、电阻R77的一端，电池的另一端口以及电容C41的另一端均接地，电阻R77的另一端分别与所述充电管理芯片的CSP端口以及自感线圈L5的一端相连，自感线圈L5的另一端分别与所述PMOS晶体管的漏极以及肖特基二极管D16的一端相连，肖特基二极管D16的另一端接地；所述充电管理芯片的V+端口与电源相连；所述充电管理芯片的DRV端口与所述PMOS晶体管的栅极连接；所述PMOS晶体管的源极分别连接有电源、二极管D15的负极、电容C42和电容C43的一端，二极管D15的正极连接有VCC DC，电容C42的另一端接地，电容C43的另一端与所述充电管理芯片的VG端口相连。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型电路设计简单，使用方便，在TEMP端口连接一个的负温度系数的热敏电阻，可方便监测DTU供电电池温度，如果DTU供电电池温度超出正常范围，充电过程将被暂停，直到DTU供电电池温度回复到正常温度范围内为止，从而为DTU供电电池提供了一种保护，有利于提高使用寿命。当BAT端口电压由于负载变化或者突然移走DTU供电电池等原因而上升时，如果BAT端口电压上升到一定高度时，关断片外的PMOS晶体管，充电器暂时停止，直到BAT端口电压回复到恒压充电电压以下，解决了现有DTU充电电流过大，充电管理芯片易损坏的问题；且PMOS晶体管与充电管理芯片的连接，有利于提高充电器的充电效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1附图为本实用新型的电路原理示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅附图1，本实用新型提供了一种DTU的电池管理电路，包括：充电管理芯片和PMOS晶体管；其中，充电管理芯片的PGND端口和GND端口均接地；充电管理芯片的CHRG端口与发光二极管的负极连接，发光二极管的正极连接通过电阻与电源相连；充电管理芯片的TEMP端口连接电阻R87的一端，电阻R87的另一端接地；充电管理芯片的EOC端口连接电阻R80的一端，电阻R80的另一端接地；充电管理芯片的COM1端口分别连接电阻R81和电容C46的一端，电阻R81和电容C46的另一端均接地；充电管理芯片的COM2端口通过电阻R79与电容C45的一端连接，电容C45的另一端接地；充电管理芯片的TEST端口接地；充电管理芯片的COM3端口连接电容C44的一端，电容C44另一端接地；充电管理芯片的BAT端口分别连接有电源、电池的一个端口、电容C41的一端、电阻R77的一端，电池的另一端口以及电容C41的另一端均接地，电阻R77的另一端分别与充电管理芯片的CSP端口以及自感线圈L5的一端相连，自感线圈L5的另一端分别与PMOS晶体管的漏极以及肖特基二极管D16的一端相连，肖特基二极管D16的另一端接地；充电管理芯片的V+端口与电源相连；充电管理芯片的DRV端口与PMOS晶体管的栅极连接；PMOS晶体管的源极分别连接有电源、二极管D15的负极、电容C42和电容C43的一端，二极管D15的正极连接有VCC DC，电容C42的另一端接地，电容C43的另一端与充电管理芯片的VG端口相连。

在另一种实施例中，充电管理芯片型号为CN3703。

在另一种实施例中，PMOS晶体管型号为AO4407。

在另一种实施例中，肖特基二极管型号为SR560。

本实用新型电路设计简单，使用方便，在TEMP端口连接一个的负温度系数的热敏电阻，可方便监测DTU供电电池温度，如果DTU供电电池温度超出正常范围，充电过程将被暂停，直到DTU供电电池温度回复到正常温度范围内为止，从而为DTU供电电池提供了一种保护，有利于提高使用寿命。当BAT端口电压由于负载变化或者突然移走DTU供电电池等原因而上升时，如果BAT端口电压上升到一定高度时，关断片外的PMOS晶体管，充电器暂时停止，直到BAT端口电压回复到恒压充电电压以下，解决了现有DTU充电电流过大，充电管理芯片易损坏的问题；且PMOS晶体管与充电管理芯片的连接，有利于提高充电器的充电效率。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。