1.一种直流故障阻断能力等效全桥子模块的mmc子模块拓扑结构，其特征在于，包括第一输出端(a)、第二输出端(b)、第一晶体管(vt1)、第二晶体管(vt2)、第三晶体管(vt3)、第四晶体管(vt4)、第五晶体管(vt5)、第六晶体管(vt6)、第一二极管(vd1)、第二二极管(vd2)、第三二极管(vd3)、第四二极管(vd4)、第五二极管(vd5)、第六二极管(vd6)、第七二极管(vd7)、第八二极管(vd8)、第一稳压电容(c1)及第二稳压电容(c2)，其中，第一稳压电容(c1)、第一晶体管(vt1)、第二晶体管(vt2)、第一二极管(vd1)及第二二极管(vd2)组成第一半桥子模块(1)；第二稳压电容(c2)、第三晶体管(vt3)、第四晶体管(vt4)、第三二极管(vd3)及第四二极管(vd4)组成第二半桥子模块(2)；
第一输出端(a)与第一晶体管(vt1)的发射极及第二晶体管(vt2)的集电极相连接，第二晶体管(vt2)的发射极与第五晶体管(vt5)的发射极及第一稳压电容(c1)的负极相连接，第一稳压电容(c1)的正极与第一晶体管(vt1)的集电极及第七二极管(vd7)的负极相连接，第五晶体管(vt5)的集电极与第六晶体管(vt6)的发射极、第七二极管(vd7)的正极及第八二极管(vd8)的负极相连接，第六晶体管(vt6)的发射极与第二稳压电容(c2)的正极及第三晶体管(vt3)的集电极相连接，第三晶体管(vt3)的发射极与第四晶体管(vt4)的集电极相连接，第四晶体管(vt4)的发射极与第二稳压电容(c2)的负极及第八二极管(vd8)的正极相连接；
第一二极管(vd1)的负极与第一晶体管(vt1)的集电极相连接，第一二极管(vd1)的正极与第一晶体管(vt1)的发射极相连接；
第二二极管(vd2)的负极与第二晶体管(vt2)的集电极相连接，第二二极管(vd2)的正极与第二晶体管(vt2)的发射极相连接；
第三二极管(vd3)的负极与第三晶体管(vt3)的集电极相连接，第三二极管(vd3)的正极与第三晶体管(vt3)的发射极相连接；
第四二极管(vd4)的负极与第四晶体管(vt4)的集电极相连接，第四二极管(vd4)的正极与第四晶体管(vt4)的发射极相连接；
第五二极管(vd5)的负极与第五晶体管(vt5)的集电极相连接，第五二极管(vd5)的正极与第五晶体管(vt5)的发射极相连接；
第六二极管(vd6)的负极与第六晶体管(vt6)的集电极相连接，第六二极管(vd6)的正极与第六晶体管(vt6)的发射极相连接。
2.根据权利要求1所述的直流故障阻断能力等效全桥子模块的mmc子模块拓扑结构，其特征在于，当系统正常工作时，第五晶体管(vt5)及第六晶体管(vt6)处于导通状态，工作电流依次经第五晶体管(vt5)及第六晶体管(vt6)；当系统出现直流故障时，第一晶体管(vt1)、第二晶体管(vt2)、第三晶体管(vt3)、第四晶体管(vt4)、第五晶体管(vt5)及第六晶体管(vt6)关闭，第一稳压电容(c1)及第二稳压电容(c2)处于故障回路上，通过第一稳压电容(c1)及第二稳压电容(c2)提供二倍阻断电压，以抑制故障电流，mmc子模块拓扑结构的故障阻断能力等同于全桥子模块。
3.根据权利要求1所述的直流故障阻断能力等效全桥子模块的mmc子模块拓扑结构，其特征在于，当系统出现直流故障时，第五晶体管(vt5)或第六晶体管(vt6)关闭。