专利名称：表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及采用压电基板的表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块直O
背景技术：
一直以来，在电子设备中广泛利用了使用表面声波(Surface Acoustic Wave: SAW)的表面声波谐振器。近年来，随着便携设备的普及，要求用于这些便携设备的表面声波谐振器小型化。 在表面声波谐振器小型化的过程中，会引起Q值降低或者CI (Crystal Impedance 晶体阻抗)值增加，存在无法充分获得表面声波谐振器的特性的问题。作为其对策，例如在专利文献1中公开了如下技术随着从梳齿状电极的中央部向两端接近，使梳齿状电极的电极指宽度与电极指间距之比即线宽比(线占有率)变小，由此提高Q值。专利文献1 日本特开昭63-135010号公报发明的概要发明要解决的问题但是，在专利文献1的表面声波谐振器的结构中，IDT(interdigital transducer) 端部处的表面声波的反射强，相比于IDT中央部，IDT端部的频率上升。由此，IDT内的表面声波能量的封闭性劣化，无法充分提高Q值。
发明概要用于解决问题的手段本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。[应用例1]本应用例的表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该 IDT具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述IDT的使得机电耦合系数最大的线占有率与使得上述表面声波的反射最大的线占有率不同，与上述IDT的端部相比，上述IDT的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与上述IDT的中央部相比，上述IDT的端部具有使得上述表面声波的反射更大的线占有率。根据该结构，在使得机电耦合系数最大的线占有率与使得表面声波的反射最大的线占有率不同的IDT中，利用线占有率进行了加权。与IDT的端部相比，IDT的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与IDT的中央部相比，IDT的端部具有使得表面声波的反射更大的线占有率。
关于在表面声波谐振器中产生的表面声波的驻波，在IDT的中央部该驻波的振动移位大，在其两个外侧的端部该驻波的振动移位小。在振动移位大的中央部，为了抑制CI 值的上升而选择使得机电耦合系数提高的线占有率，在振动移位小的端部，为了提高振动能量在IDT内的封闭效果而选择使得表面声波反射增大的线占有率。由此，能够实现CI值与Q值双方良好的表面声波谐振器。因此，能够提供如下的表面声波谐振器，其能够提高Q值而使表面声波谐振器小型化，且能够降低CI值而使得功耗小。[应用例2]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述线占有率从上述 IDT的中央部向上述IDT的端部依次变化。根据该结构，由于线占有率从IDT的中央部向IDT的端部依次变化，所以在相邻的电极指之间，线占有率不会发生急剧变化。因此，无需将表面声波的一部分的模式变换成体波等，就能够在IDT的中央部保持较大的振动移位，维持良好的Q值。[应用例3]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述压电基板是欧拉角为(-1° +1°、113° 135°、士00° 49° ))的石英基板，上述IDT的中央部的线占有率nc为0.3彡nc彡0.5，并且，上述IDT的端部的线占有率ne为0.15彡ne < 0. 3。根据该结构，采用石英基板作为压电基板，并设IDT中央部的线占有率ne为 0. 3彡η c彡0. 5、IDT端部的线占有率η e为0. 15彡ne <0.3,由此能够使频率温度特性良好，实现CI值与Q值双方都良好的表面声波谐振器。[应用例4]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的端部的线占有率η e与上述IDT的中央部的线占有率nc之比η e/η c为0. 34 < ne/nc< 1.0。如果设IDT的端部的线占有率ne与IDT的中央部的线占有率nc之比ne/nc 为0. 34 < Il e/ Il c < 1. 0，则相比于现有的表面声波谐振器，能够获得Q值提高的表面声波谐振器。[应用例5]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的端部的线占有率η e与上述IDT的中央部的线占有率nc之比η e/η c为0. 46彡ne/nc彡0. 8。如果设IDT的端部的线占有率ne与IDT的中央部的线占有率nc之比η e/η c 为0. 46 < η e/ η c < 0. 8，则相比于现有的表面声波谐振器，能够获得进一步提高了 Q值的表面声波谐振器。[应用例6]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的相邻上述电极指的中心与中心的间隔即电极指间隔从上述IDT的中央部向两侧端部依次变大。根据该结构，除了线占有率之外，电极指间隔也形成为从IDT的中央部向两侧端部依次变大。这样，通过将电极指间隔形成为从IDT的中央部向端部增大，能降低IDT的端部的频率，提高振动能量的封闭效果。由此，能够实现Q值良好的表面声波谐振器。[应用例7]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT中的端部的电极指间隔PiTs与上述IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1 <PTs/PT< 1. 0355。根据该结构，如果设IDT中的端部的电极指间隔PTs与IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1 < PTs/PT < 1. 0355，则相比于现有的表面声波谐振器，能获得Q值提高的表面声波谐振器。[应用例8]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT中的端部的电极指间隔PTs与上述IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1. 004≤PTs/ PT ≤1. 0315。根据该结构，如果设IDT中的端部的电极指间隔PTs与IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1. 004 ^ PTs/PT ^ 1. 0315，则相比于现有的表面声波谐振器，能获
得Q值进一步提高的表面声波谐振器。[应用例9]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在上述IDT的中央部具有电极指间隔相同的区域。根据该结构，由于在IDT的中央部具有电极指间隔相同的区域，因此在IDT的中央部能够保持较大的振动移位，提高Q值。[应用例10]在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的中央部的电极指间隔相同的区域的电极指的对数Nf与上述IDT的对数N之比Nf/N为0 < Nf/N < 0. 36。根据该结构，在电极指间隔相同的区域的电极指的对数Nf与IDT的对数N之比 Nf/N处于0 < Nf/N < 0. 36的范围的情况下，能够获得良好的Q值。[应用例11]在本应用例的表面声波振荡器中，其特征在于，该表面声波振荡器在封装内搭载有上述记载的表面声波谐振器和电路元件。根据该结构，由于搭载有Q值提高且小型化的表面声波谐振器，所以能够提供小型的表面声波振荡器。[应用例12]在本应用例的表面声波模块装置中，其特征在于，该表面声波模块装置在电路基板上搭载有上述记载的表面声波谐振器。根据该结构，由于搭载有Q值提高且小型化的表面声波谐振器，所以能够提供小型的表面声波模块装置。
图1是示出第1实施方式的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图2是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图3是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图4是示出石英基板的切取角度以及表面声波传播方向的说明图。图5是说明线占有率的示意图。图6是示出第1实施方式的IDT中的线占有率与有效耦合系数之间的关系的曲线图。图7是示出第1实施方式的线占有率与Q值之间的关系的曲线图。图8是示出第1实施方式中的IDT的线占有率与频率变动量之间的关系的曲线图。图9是示出第1实施方式的ne/nc与Q值之间的关系的曲线图。
图10是示出第2实施方式中的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图11是示出第2实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图12是示出第2实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图13是示出第2实施方式的ne/nc与Q值之间的关系的曲线图。图14是示出第2实施方式的PTs/PTc与Q值之间的关系的曲线图。图15是示出第3实施方式中的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图16是示出第3实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图17是示出第3实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图18是示出第3实施方式的Nf/N与Q值之间的关系的曲线图。图19是示出第4实施方式的表面声波振荡器的概要剖视图。图20是第5实施方式的搭载了表面声波谐振器而构成接收机模块的电路框图。图21是示出现有的表面声波谐振器的概要的说明图。图22是说明线占有率的说明图。
具体实施例方式以下，根据附图来说明使本发明具体化的实施方式。此外，在用于以下说明的各个附图中，适当地变更了各个部件的尺寸比例，以使各个部件成为可识别的大小。(作为比较例的表面声波谐振器)首先，为了理解本发明并与实施方式进行比较，对作为比较例的表面声波谐振器进行说明。图21是示出普通的表面声波谐振器的概要的说明图。表面声波谐振器100在作为压电基板的石英基板101上具有由梳齿状电极构成的 IDT 102和1对反射器103，这1对反射器103形成为在表面声波传播的方向(箭头H方向)上从两侧夹着IDT 102。石英基板101是面内旋转ST切石英基板，当用欧拉角(φ、θ、ψ)表示切面以及表面声波传播方向时，欧拉角为(-1° +1°、121° 135°、士 49° ))。IDT 102是通过交替排列电极性不同的电极指102a、10 而形成的。将这2个电极指102a、102b称为1对电极指。另外，在IDT内，相邻的电极指10 与电极指102b的中心与中心之间的间隔、即电极指间隔PT形成为相同。在反射器103中排列有多个电极指103a，并形成为电中性。另外，在反射器103 内，相邻的电极指103a的中心与中心之间的间隔、即电极指间隔PTr形成为相同。这里，将IDT 102以及反射器103中的电极指在表面声波的传播方向上所占的比例称为线占有率η。在图22中详细地说明线占有率η。设电极指10h、102b的线宽为L、与相邻的电极指之间(没有形成电极指的间隙部分)的尺寸为S、与相邻的电极指之间的间隔的中心线与中心线之间的尺寸为电极指间隔 PT。另外，设与相邻的电极指之间的尺寸的中心线与中心线之间的尺寸为H。线占有率为 η =L/H = L/(L+1/2(S+S)) =L/(L+S)。此外，在这样等间距地排列相同线宽的电极指的情况下，电极指间隔PT = L+S = H。关于表面声波谐振器100的线占有率η，IDT 102、反射器103的线占有率均相同， 设定为n =0.5。此外，IDT 102和反射器103由金属材料铝(Al)形成，并被设定成规定的膜厚 (0. 06 λ :λ为表面声波的波长)。并且，将电极指的线宽设定为0.25 λ。另外，将IDT 102 中的电极指对数设定为136对，将反射器103分别设定为57对(总对数250对)。在以上这样的表面声波谐振器100中，在IDT 102中激励出瑞利波，作为特性实现了 Q 值 9000。(第1实施方式)接着，对本实施方式的表面声波谐振器进行说明。图1是示出本实施方式的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图2是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图3是示出本实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图4是示出石英基板的切取角度以及表面声波传播方向的说明图。图5是说明线占有率的示意图。如图1所示，表面声波谐振器1在作为压电基板的石英基板11上具有由梳齿状电极构成的IDT 12以及1对反射器13，这1对反射器13形成为在表面声波传播的方向(箭头H方向)上从两侧夹着IDT 12。石英基板11是这样的面内旋转ST切石英基板当用欧拉角(φ、θ、ψ)表示切面以及表面声波传播方向时，欧拉角为(-1° +1°、113° 135°、士 49° ))。如图4所示，石英的晶轴用X轴(电轴)、Y轴(机械轴)以及Z轴(光轴)来定义，欧拉角(0°、0°、0° )表示与Z轴垂直的石英Z板8。这里，欧拉角的φ (未图示)与石英Z板8的第1旋转相关，是将Z轴作为旋转轴、将从+X轴向+Y轴侧旋转的方向作为正旋转角度的第1旋转角度。欧拉角的θ与石英Z板8在第1旋转后进行的第2旋转相关， 是将第1旋转后的X轴作为旋转轴、将从第1旋转后的+Y轴向+Z轴侧旋转的方向作为正旋转角度的第2旋转角度。石英基板11的切面由第1旋转角度φ和第2旋转角度θ决定。 欧拉角的Ψ与石英Z板8在第2旋转后进行的第3旋转相关，是将第2旋转后的Z轴作为旋转轴、将从第2旋转后的+X轴向第2旋转后的+Y轴侧旋转的方向作为正旋转角度的第 3旋转角度。表面声波的传播方向用相对于第2旋转后的X轴的第3旋转角度Ψ来表示。 表面声波谐振器1采用了第1旋转角度φ为-1° +1°、第2旋转角度θ为113° 135° 的石英基板11。此外，IDT 12配置成使得表面声波的传播方向为Ψ = 士00° 49° ) 的范围。将该角度Ψ称为面内旋转角。关于该石英基板，频率相对于温度变化的变动较小， 频率温度特性良好。IDT 12是通过以电极性不同的方式交替排列电极指12a、12b而形成的。在本实施方式中，将该2个电极指12a、12b计为1对电极指，将IDT 12的对数设定为136对。这里，将相邻的电极指12a与电极指12b的中心与中心之间的间隔作为电极指间隔。如图2所示，IDT 12的电极指间隔为PTc，且是固定的。
接着，将IDT 12以及反射器13中的电极指在表面声波的传播方向上所占的比例称为线占有率Π。如图5所示，电极指以Ec^E1A2的方式相邻地排列。设电极指E1的线宽为L1、与该电极指的两侧相邻的电极指EpE2的线宽分别为Lc^Ly另外，设电极指&与电极指E1之间(没有形成电极指的间隙部分)的尺寸为SL、 电极指E1与电极指氏之间的尺寸为SR、电极指与电极指E1之间的电极指间隔为PTl、电极指E1与电极指E2之间的电极指间隔为ΡΤ2。另外，设相邻的电极指与E1之间的尺寸的中心线、和电极指E1与E2之间的尺寸的中心线之间的尺寸为H。此时，电极指E1 的线占有率 η 为 η = L1M = L1/ (L1+ (SL/2+SR/2))。电极指间隔为PTl = SL+(1^+1^)/2112 = SR+(L^L2)/2。此外，在本实施方式中， 电极指间隔是固定的，PTl = PT2。如图3所示，在设IDT 12中央部的线占有率η为η c、IDT 12端部的线占有率η 为η e时，IDT 12的线占有率η具有nc > ne的关系。另外，线占有率nc以从中央部向着IDT 12的两个端部依次减小到线占有率ne的方式变化。反射器13中排列有多个电极指13a，并形成为电中性。另外，反射器13可以接地， 也可以与电极指12a和12b中的一方连接。相邻的电极指13a的中心与中心之间的间隔、即电极指间隔为PTr，且是固定的。 另外，反射器13的线占有率被设定为与IDT 12中央部的线占有率相同。在反射器13中，将相邻的2个电极指13a计为1对电极指，在本实施方式中左右分别配置有57对电极指13a。此外，IDT 12与反射器13由金属材料铝(Al)形成，规定的膜厚被设定为 0.06 λ (λ为表面声波的波长)。电极指间隔为PTc = 7. 498 μ m、PTr = 7. 574 μ m。另外，线占有率被设定为nc = 0. 35、ne = 0. 21。在以上这样的表面声波谐振器1中，在IDT 12中激励出瑞利波，作为特性实现了 Q 值 24000。接着，对本发明的表面声波谐振器具有的特性进行详细说明。图6是示出IDT中的线占有率与有效耦合系数之间的关系的曲线图。在表面声波谐振器中，与Q值同样，CI值或等效电阻Rl也是重要的特性，可通过降低它们的值来将功耗抑制得较低。为了降低该CI值或等效电阻Rl，需要提高机电耦合系数K2。机电耦合系数K2可根据下式来求出。K2 = (2 (Vo-Vs) /Vo) XlOO [%)其中，Vo是使IDT的各电极指处于彼此在电气上开路的状态时表面声波的传播速度，Vs是使IDT的各电极指处于彼此在电气上短接的状态时表面声波的传播速度。关于线占有率η发生改变时的机电耦合系数，根据IDT开路时与短接时的标准化速度之差来求出，这里表示为有效耦合系数。如该图6所示，随着线占有率η从0. 1起增大，有效耦合系数上升，大约在0.4处有效耦合系数最大。此时的有效耦合系数大致为0.065%，CI值或等效电阻Rl最小。并且，当线占有率η从0.4进一步变大时，有效耦合系数降低。
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在线占有率η处于0.21≤η≤0.55的范围内时，有效耦合系数为0.0567%以
上，是实际应用的范围。在本实施方式中，对于IDT 12中央部的线占有率nc，选择了 0.3以上且0.5以下的范围，作为具有较大有效耦合系数的线占有率。图7是示出线占有率与Q值之间的关系的曲线图。随着线占有率η从0. 15变大，Q值上升，当线占有率η约为0. 2时，Q值最大。 此时的Q值大致是20000。并且，当线占有率η从0.2进一步变大时Q值降低。Q值与反射量具有相关关系，本申请发明人确认到，当Q值最大时反射量也基本达到最大。S卩，对于反射量，当线占有率η约为0.2时，表面声波的反射基本达到最大，此时， 谐振器中振动能量的封闭性良好，Q值最大。因此，在本实施方式中，对于IDT 12端部的线占有率ne，选择了 0. 15 < ne
<0. 3的范围，作为具有较大反射的线占有率。这样，根据图6、图7可知，在本实施方式的IDT中，使得机电耦合系数最大的线占有率与使得表面声波的Q值或反射最大的线占有率不同。并且，在本实施方式中利用线占有率进行了加权。在IDT 12的中央部中，设为有效耦合系数大的线占有率即0. 3以上且0. 5以下的范围，在IDT 12的两个端部，将线占有率设为0. 15以上且小于0. 3，使得反射变大。图8是示出IDT的线占有率与频率变动量之间的关系的曲线图。如图所示，随着线占有率η从0. 15变大，频率变动量变小，在线占有率η约为 0.4时，线占有率η变动时的频率变动量最小。在振动移位大的IDT 12的中央部，线占有率η变动时的频率变动的敏感度高，相对于线占有率Π的变动，频率大幅地变动。另一方面，在IDT 12的端部，振动移位较小，在这些部分中，即使线占有率η变动，对表面声波谐振器1的频率造成的影响也较小。因此，如果在IDT 12的中央部选择频率变动量小的线占有率η的范围，则能够减小线占有率n变动时的频率变动量。在本实施方式中，作为有效耦合系数较大的线占有率nc，选择0.3以上且0.5以
下，与频率变动量小的线占有率基本一致。因此，在本实施方式中，能够降低制造时的频率偏差，能够获得频率精度高的表面声波谐振器1。图9是示出将IDT端部的线占有率η e除以IDT中央部的线占有率η c所得的值 (ne/nc)与Q值之间的关系的曲线图。该曲线图中，设IDT中央部的线占有率nc = 0.35，并使IDT端部的线占有率ne 在0. 14 0. ；35 ( η e/ η c = 0. 4 1. 0)的范围内变化。根据该曲线图可知，随着ne/nc从0.3变大，Q值变大，当ne/nC = 0.6时Q值最大。并且，随着ne/nc从0.6变大，Q值变小。当lie/lie = 0. 6时nc = 0.35，所以当ne = 0.21时，在IDT的端部反射增高，Q值最大。并且，如果IDT中央部和端部的线占有率之比η e/η c处于0.34 < ne/nc
<1.0的范围，则能够获得9300以上的Q值，与不利用线占有率实施加权的情况(ne/nc=1.0)相比，Q值提高。另外，在0.46彡ne/nc彡0.8的范围内，能够获得Q值为14400以上的良好特性。如以上那样，关于在表面声波谐振器1中产生的表面声波的驻波，在IDT 12的中央部该驻波的振动移位大，在其两个外侧该驻波的振动移位小。在振动移位大的IDT 12的中央部，为了抑制CI值上升而选择使得机电耦合系数提高的线占有率，在振动移位小的两端部，为了提高振动能量在IDT 12内的封闭效果，选择使得表面声波的反射增大的线占有率。由此，能够实现CI值与Q值双方良好的表面声波谐振器1。根据另一观点，由于在振动移位大的IDT 12的中央部选择使得机电耦合系数提高的线占有率，因而导致IDT 12中央部的表面声波的反射变小，此外，由于在振动移位小的IDT 12两端部选择使得表面声波的反射增大的线占有率，因而导致IDT 12两端部的机电耦合系数降低。但是，本申请发明人新发现了如下的情况即使伴有IDT12中央部的表面声波的反射降低以及IDT 12两端部的机电耦合系数的降低，但由于在IDT 12的中央部相比于表面声波的反射更重视机电耦合系数、且在IDT 12的两端部相比于机电耦合系数更重视表面声波的反射，因而通过这样的构造，也能实现表面声波谐振器1的Q值提高及CI 值降低。因此，能够提供如下的表面声波谐振器1，其能够提高Q值而使表面声波谐振器1 小型化，且能够降低CI值而使功耗低。表1和表2主要示出了将石英基板的欧拉角改变成各种各样的值时表面声波谐振器的Q值，表1基于线占有率ne与nc相等且在整个IDT内线占有率均相同时的比较例， 表2基于第1实施方式。IDT 12与反射器13由金属材料铝(Al)形成，规定的膜厚被设定为0. 04 λ ( λ为表面声波的波长)。[表1]
权利要求
1.一种表面声波谐振器，该表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该 IDT具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述IDT的使得机电耦合系数最大的线占有率与使得上述表面声波的反射最大的线占有率不同，与上述IDT的端部相比，上述IDT的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率， 与上述IDT的中央部相比，上述IDT的端部具有使得上述表面声波的反射更大的线占有率。
2.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其特征在于， 上述线占有率从上述IDT的中央部向上述IDT的端部依次变化。
3.根据权利要求1或2所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述压电基板是欧拉角为(-1° +1°、113° 135°、士00° 49° ))的石英基板，上述IDT的中央部的线占有率nc为0.3≤nc≤0.5，并且， 上述IDT的端部的线占有率ne为0.15≤ne < 0. 3
4.根据权利要求3所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述IDT的端部的线占有率η e与上述IDT的中央部的线占有率nc之比ne/nc为 0. 34 < ile/ lie < 1. 0。
5.根据权利要求4所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述IDT的端部的线占有率η e与上述IDT的中央部的线占有率nc之比ne/nc为 OK η e/ He ≤ 0. 8。
6.根据权利要求1 5中任意一项所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述IDT中的相邻的上述电极指的中心与中心之间的间隔即电极指间隔从上述IDT的中央部向两侧的端部依次增大。
7.根据权利要求6所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述IDT中的端部的电极指间隔PTs与上述IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/ PT 为 1 < PTs/PT < 1. 0355。
8.根据权利要求7所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述IDT中的端部的电极指间隔PTs与上述IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/ PT 为 1. 004 ≤PTs/PT ≤ 1. 0315。
9.根据权利要求6 8中任意一项所述的表面声波谐振器，其特征在于， 在上述IDT中的中央部，具有电极指间隔相同的区域。
10.根据权利要求9所述的表面声波谐振器，其特征在于，上述IDT的中央部中的电极指间隔相同的区域的电极指的对数Nf与上述IDT的对数 N 之比 Nf/N 为 0 < Nf/N < 0. 36。
11.一种表面声波振荡器，其特征在于，该表面声波振荡器在封装内搭载有权利要求1 10中任意一项所述的表面声波谐振器和电路元件。
12. —种表面声波模块装置，其特征在于，该表面声波模块装置在电路基板上搭载有权利要求1 10中任意一项所述的表面声波谐振器。
全文摘要
本发明能够提高表面声波谐振器的Q值而使表面声波谐振器小型化。表面声波谐振器(1)在石英基板(11)上设置有IDT(12)，该IDT(12)具有激励出表面声波的电极指(12a、12b)，其中IDT(12)中的使得机电耦合系数最大的线占有率与使得表面声波的反射最大的线占有率不同，与IDT(12)的端部相比，IDT(12)的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与IDT(12)的中央部相比，IDT(12)的端部具有使得表面声波的反射更大的线占有率。
文档编号H03B5/30GK102197590SQ200980141820
公开日2011年9月21日 申请日期2009年10月22日 优先权日2008年10月24日
发明者山中国人 申请人:爱普生拓优科梦株式会社