专利名称：一种浪涌抑制电子开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子开关，尤其是涉及一浪涌抑制电子开关。
背景技术：
电子开关是电子线路以及电子设备中的常用部件，同时也是非常重要的部件，传 统的电子开关一般仅起到开关作用，但是随着电子技术的发展和电子设备的日益复杂，单 纯起开关作用的传统电子开关已经不能满足技术发展的需要，因为电子设备在开通瞬间往 往伴随有尖峰电流或其他高幅值脉冲，而尖峰信号对设备的负面影响是严重的，它经常导 致设备运行不稳定，严重时甚至使设备损毁，针对以上缺陷，有必要对传统电子开关做出改 进。
发明内容针对上述问题，本实用新型的目的在于提供一种浪涌抑制电子开关。本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是一种浪涌抑制电子开关，包括输入端、输出端和第一级开关控制电路，其特征在于: 还包括第二级开关控制电路以及RC缓冲电路，所述输入端通过第二级开关控制电路与输出 端相连，所述第一级开关控制电路通过RC缓冲电路连接第二开级关控制电路的控制端。进一步，所述RC缓冲电路包括电阻R2和电容Cl，所述电阻R2 —端连接第一级开 关控制电路，另一端分为两条支路，分别与电容Cl和第二级开关控制电路的控制端相连。进一步，所述第二级开关控制电路包括晶体管Ql和电阻R1，电阻Rl—端与晶体管 Ql源极并联后连接输入端，另一端与晶体管Ql栅极并联后连接所述电阻R2，晶体管Ql的 漏极与输出端相连。此外，所述晶体管Ql为P沟道增强型场效应晶体管。本实用新型的有益效果是本实用新型作为一种浪涌抑制电子开关，由于在输入 端、输出端和开关控制电路之间结合了由电阻R2和电容Cl组成的RC缓冲电路的设计，使 得后续电子设备的使用安全性和可靠性大为提高；另一方面，本实用新型加入了 RC缓冲电 路，对整个系统而言，由于损坏率下降，因此使用寿命延长；此外，本实用新型还具有体积 小、结构紧凑，方便实用等特点，因此，适合推广应用。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步说明
图1是本实用新型的方框结构示意图；图2是本实用新型的电路原理示意图。
具体实施方式
参照图1和图2，一种浪涌抑制电子开关，包括输入端1、输出端2和第一级开关控制电路3，还包括第二级开关控制电路4以及RC缓冲电路5，所述输入端1通过第二级开关 控制电路4与输出端2相连，所述第一级开关控制电路3通过RC缓冲电路5连接第二开级 关控制电路4的控制端。作为本实用新型的优选实施方式，所述RC缓冲电路5包括电阻R2和电容Cl，所述 电阻R2 —端连接第一级开关控制电路3，另一端分为两条支路，分别与电容Cl和第二级开 关控制电路4的控制端相连所述第二级开关控制电路4包括晶体管Ql和电阻R1，电阻Rl—端与晶体管Ql源 极并联后连接输入端1，另一端与晶体管Ql栅极并联后连接所述电阻R2，晶体管Ql的漏极 与输出端2相连。如图1和图2所示，本实用新型由输入端1、输出端2、第一级开关控制电路3、第二 级开关控制电路4和由电阻R2和电容Cl组成的RC缓冲电路5五部分组成，其具体工作原 理如下所述第一级开关控制电路3的输入端打开，即输入高电平后，三极管Q2导通，三极 管的集电极与发射极短接，集电极近似接地，集电极电压拉低，如果此时没有电阻R2和电 容C2，则晶体管Ql会立即导通，电路中随之而产生的尖峰电流便会经输出端径直流进电 子设备当中，损坏设备，本实用新型加入由电阻R2和电容Cl组成的RC缓冲电路5后，输入 端1、电容Cl、电阻R2以及三极管Q2会构成一回路，三极管Q2导通后，输入端1信号流会 对电容Cl充电，通过Cl的充放电作用会限制晶体管Ql栅极的电压拉低速度，待浪涌电流 被充放电电路消耗后，晶体管Ql才导通，这样便有效抑制了浪涌电流对后续设备的影响。此外，所述晶体管Ql为P沟道增强型场效应晶体管。以上对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，当然，本实用新型还可以采用与 上述实施方式不同的形式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下所作的等 同的变换或相应的改动，都应该属于本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种浪涌抑制电子开关，包括输入端(1)、输出端(2)和第一级开关控制电路(3)，其 特征在于还包括第二级开关控制电路(4)以及RC缓冲电路(5)，所述输入端(1)通过第二 级开关控制电路(4)与输出端(2)相连，所述第一级开关控制电路(3)通过RC缓冲电路(5) 连接第二开级关控制电路(4)的控制端。
2.根据权利要求1所述的一种浪涌抑制电子开关，其特征在于所述RC缓冲电路(5) 包括电阻R2和电容Cl，所述电阻R2 —端连接第一级开关控制电路(3)，另一端分为两条支 路，分别与电容Cl和第二级开关控制电路(4)的控制端相连。
3.根据权利要求1所述的一种浪涌抑制电子开关，其特征在于所述第二级开关控制 电路(4)包括晶体管Ql和电阻Rl，电阻Rl —端与晶体管Ql源极并联后连接输入端(1)，另 一端与晶体管Ql栅极并联后连接所述电阻R2，晶体管Ql的漏极与输出端(2)相连。
4.根据权利要求2所述的一种浪涌抑制电子开关，其特征在于所述晶体管Ql为P沟 道增强型场效应晶体管。
专利摘要本实用新型公开了一种浪涌抑制电子开关，包括输入端、输出端和第一级开关控制电路，还包括第二级开关控制电路以及RC缓冲电路，所述输入端通过第二级开关控制电路与输出端相连，所述第一级开关控制电路通过RC缓冲电路连接第二开级关控制电路的控制端。本实用新型作为一种浪涌抑制电子开关，由于在输入端、输出端和开关控制电路之间结合了由电阻R2和电容C1组成的RC缓冲电路的设计，使得后续电子设备的使用安全性和可靠性大为提高，设备使用寿命相应延长，此外，本实用新型还具有体积小、结构紧凑，方便实用等特点，因此具备很好的应用前景。
文档编号H03K17/08GK201860304SQ20102058372
公开日2011年6月8日 申请日期2010年10月30日 优先权日2010年10月30日
发明者岳国宾, 岳虎国, 张先全 申请人:珠海市鑫和电器有限公司