专利名称：用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座的制作方法
技术领域：
本实用新型属于晶体谐振器的应用领域，涉及一种用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座。
背景技术：
陶瓷基座作为温度补偿晶体谐振器集成电路的承载，可以直接将集成电路设于陶瓷基座内，通过陶瓷基座将集成电路的各个功能引脚引出连接外部端口。目前，市场上的SMD温度补偿晶体谐振器的陶瓷基座主要存在以下几种尺寸7. 0X5. 0mm、5. 0X3. 2mm,以及3. 2X2. 5mm,由于每个尺寸的陶瓷基座都有多种款式，其在外形尺寸、PAD数量、连接、底面PAD大小及位置等方面均由其配套使用的集成电路和其他一些要求所决定，因此，不同温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座在上述各个要素上均存在不同。针对相应的集成电路，需要为其设计一个相应的陶瓷基座，来满足温度补偿晶体振荡器的生产。
发明内容本实用新型要解决的技术问题，是提供一种能够适应于普通的5. 0X3. 2mm尺寸的SMD石英晶体谐振器的用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，该陶瓷基座底面PAD尺寸符合主要常见尺寸无需重新设计，同时能够满足小型化生产的需求。为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是一种用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，包括设有基座外部端口的底面层，在底面层上设有用于集成电路放置的放置层，在放置层上设有用于连接走线的连接层，在连接层上设有用于焊接石英晶体谐振器PAD的焊接层。作为对本实用新型的限定所述底面层为矩形结构，设有八个外部端口，其中底面层的第一端口、第二端口、第三端口、以及第四端口沿逆时针方向分别设置在底面层的四个顶角处；第五端口与第六端口设于第一端口与第二端口之间，且紧靠底面层的边缘设置；第七端口与第八端口设于第三端口与第四端口之间，且紧靠底面层的边缘设置。作为对本实用新型的进一步限定所述焊接层为底面层相同的矩形结构，其上设有四个焊接点，其中第一焊接点、第二焊接点、第三焊接点、第四焊接点沿逆时针方向分别设置于焊接层的四个顶角处。作为对本实用新型的再进一步限定所述连接层为矩形结构，其中部有集成电路放置空间为矩形结构，其上设有十个连接管脚，其中第一至第五管脚自右向左均匀地设于焊接层的顶端长边上，第六管脚至第十管脚自左向右均匀地设于焊接层的底端长边上。作为对本实用新型的更进一步限定所述连接层的第一管脚连接底面层的第三端口，连接层的第二管脚连接底面层的第七端口，连接层的第三管脚连接底面层的第五端口，连接层的第四管脚连接底面层的第八端口，连接层的第五管脚连接底面层的第四端口，连接层的第六管脚连接焊接层的第二焊接点，连接层的第七管脚连接底面层的第一端口，连接层的第八管脚连接焊接层的第四焊接点，连接层的第九管脚连接底面层的第六端口，连接层的第十管脚分别连接底面层的第二端口、焊接层的第一焊接点与第三焊接点、以及放置层中的集成电路放置平台。作为对本实用新型的另一种限定所述底面层、放置层、连接层、以及焊接层的整体厚度为O. 45mm。本实用新型还有一种限定所述底面层的尺寸为5. 08X3. 28mm。由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，所取得的技术进步在于(I)本实用新型包括底面层、放置层、连接层以及焊接层，可以将温度补偿的集成电路设置在放置层中，同时通过内部各个管脚、端口、以及焊接车辆安全带未系检测提醒系统点的连接将集成电路的功能引脚引出，方便晶体谐振器和外部设备的连接；(2)整体厚度只有O. 45mm,体积小，厚度薄，能够满足小型化生产的要求；(3)底面层PAD尺寸及位置为常见的尺寸和位置，无需重新设计，节省成本。综上可见，本实用新型结构简单，体积小，且便于批量化生产。本实用新型适用于普通5. 0X3. 2mm型号的石英晶体谐振器。本实用新型下面将结合说明书附图与具体实施例作进一步详细说明。
图1是本实用新型实施例的结构示意图；图2是本实用新型实施例的俯视剖视图。图中1 一底面 层，1_1 一第一端口，1_2—第_■端口，1-3—第二端口，1-4一第四端口，1~5一第五端口，1~6一第六端口，1~7一第七端口，1~8一第八端口，2一放置层，3—连接层，3-1—第一管脚，3-2—第二管脚，3-3—第三管脚，3-4—第四管脚，3_5—第五管脚，
3-6—第六管脚，3-7—第七管脚，3-8—第八管脚，3-9—第九管脚，3_10—第十管脚，4一焊接层，4-1 一第一焊接点，4-2—H 二焊接点，4-3—H三焊接点，4-4—H四焊接点。
具体实施方式
实施例一种用于5032晶体谐振器的陶瓷基座图1所示为本实施例的结构示意图，包括底面层1，用于设置与外部设备连接的端口 ；在底面层I上设有放置层2(D/A-集成电路放置平台)，主要用于放置集成电路；在放置层2上设有连接层3，设有与集成电路、及基座内部的连接走线；在连接层3上还设有焊接层4，设有与内部连接的焊接点。如图2所示为本实施例的俯视剖视图，所述底层面I为矩形结构其上设有八个与外部设备连接的端口，其中第一端口 1-1、第二端口 1-2、第三端口 1-3、以及第四端口 1-4沿逆时针方向分别设置在底面层I的四个顶角处；第五端口 1-5与第六端口 1-6设于第一端口 1-1与第二端口 1-2之间，且紧靠连接层的边缘设置；第七端口 1-7与第八端口 1-8设于第三端口 1-3与第四端口 1-4之间，且紧靠底面层I的边缘设置。所述焊接层4为底面层相同的矩形结构，其上设有四个焊接点，其中第一焊接点
4-1、第二焊接点4-2、第三焊接点4-3、第四焊接点4-4沿逆时针方向分别设置于焊接层4的四个顶角处。具体连接关系为所述连接层3的第一管脚3-1连接底面层I的第三端口 1-3，连接层3的第二管脚3-2连接底面层I的第七端头1-7，连接层3的第三管脚3-3连接底面层I的第五端口 1-5，连接层3的第四管脚3-4连接底面层I的第八端口 1-8，连接层3的第五管脚3-5连接底面层I的第四端口 1-4，连接层3的第六管脚3-6连接焊接层4的第二焊接点4-2，连接层3的第七管脚3-7连接底面层I的第一端口 1-1，连接层3的第八管脚3-8连接焊接层4的第四焊4-4接点，连接层3的第九管脚3-9连接底面层I的第六端口 1-6，连接层3的第十管脚3-10分别连接底面层I的第二端口 1-2、焊接层4的第一焊接点4-1与第三焊接点4-3、以及放置层2中的集成电路放置平台D/A。此外，本实施例中所述底面层1、放置层2、连接层3、以及焊接层4的整体厚度为
O.45mm，所述底面层的尺寸为5. 08X3. 28mm。本实施例结构简单，体积小，厚度薄，适用于工业的批量生产，同时能够适用于普通的5032晶体石英谐振器。
权利要求1.一种用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，其特征在于包括设有基座外部端口的底面层，在底面层上设有用于集成电路放置的放置层，在放置层上设有用于连接走线的连接层，在连接层上设有用于焊接石英晶体谐振器PAD的焊接层；所述底面层为矩形结构，设有八个外部端口，其中底面层的第一端口、第二端口、第三端口、以及第四端口沿顺时针方向分别设置在底面层的四个顶角处；第五端口与第六端口设于第一端口与第二端口之间，且紧靠底面层的边缘设置；第七端口与第八端口设于第三端口与第四端口之间，且紧靠底面层的边缘设置。
2.根据权利要求1所述的用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，其特征在于所述焊接层为底面层相同的矩形结构，其上设有四个焊接点，其中第一焊接点、第二焊接点、第三焊接点、第四焊接点沿逆时针方向分别设置于焊接层的四个顶角处。
3.根据权利要求2所述的用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，其特征在于所述连接层为矩形结构，其中部有集成电路放置空间为矩形结构，其上设有十个连接管脚，其中第一管脚至第五管脚自右向左均匀地设于连接层的顶端长边上，第六管脚至第十管脚自左向右均匀地设于连接层的底端长边上。
4.根据权利要求3所述的用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，其特征在于所述连接层的第一管脚连接底面层的第三端口，连接层的第二管脚连接底面层的第七端口，连接层的第三管脚连接底面层的第五端口，连接层的第四管脚连接底面层的第八端口，连接层的第五管脚连接底面层的第四端口，连接层的第六管脚连接焊接层的第二焊接点，连接层的第七管脚连接底面层的第一端口，连接层的第八管脚连接焊接层的第四焊接点，连接层的第九管脚连接底面层的第六端口，连接层的第十管脚分别连接底面层的第二端口、焊接层的第一焊接点与第三焊接点、以及放置层中的集成电路放置平台。
5.根据权利要求1一4中任意一项所述的用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，其特征在于所述底面层、放置层、连接层、以及焊接层的整体厚度为O. 45_。
6.根据权利要求1所述的用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，其特征在于所述底面层的尺寸为5. 08X3. 28mm。
专利摘要本实用新型公开了一种用于5032温度补偿晶体振荡器的陶瓷基座，包括设有基座外部端口的底面层，在底面层上设有用于集成电路放置的放置层，在放置层上设有用于连接走线的连接层，在连接层上设有用于焊接石英晶体谐振器PAD的焊接层。本实用新型结构简单，体积小，且便于批量化生产。本实用新型适用于普通5.0×3.2mm型号的石英晶体谐振器。
文档编号H03H9/02GK202906848SQ20122073393
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月28日 优先权日2012年12月28日
发明者白云峰, 丁素广, 武世聪, 刘刚 申请人:石家庄衍兴电子有限公司, 白云峰, 丁素广, 武世聪