一种晶体振荡器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种晶体振荡器，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述晶片上设有长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和副电极引出端位于所述晶片的周边，所述主电极引出端与主电极相连；所述长方形镀膜主电极的长度为2.2-2.3mm，宽度为1.6-1.7mm。本实用新型在保证电阻值小的同时，提高了晶体振荡器的温度特性，提升了良品率，降低了生产成本，满足顾客需求。
【专利说明】一种晶体振荡器
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及电子元件领域，具体说的是一种晶体振荡器。
【背景技术】
[0002] SMD晶体谐振器（以下称"晶振"）在使用中，最为重要的是频率精度，包括常温下 的精度和温度变化时频率变化量（称为温度特性，做成曲线是随温度变化的三次曲线，要 求是在曲线中没有跳变，一般要求在±20ppm内）。在车载、安防等应用中，为了保证在工作 温度下频率在要求范围内，对温度特性的要求也随之加严。
[0003] 晶振主要性能由其中的石英晶片决定，未加工的晶片由于其导电性能差，在晶体 谐振器制造中都要在晶片部分表面镀上一层银，作为晶片的电极（此电极的面积小于晶片 表面积）。其温度特性，是由石英晶片的自身特性和镀膜电极的尺寸设计决定的。特别在低 频晶振中，既要保证减低电阻值又要提高温度特性。
[0004] 目前，低频小尺寸晶体，以SMD5032-8MHZ产品为例，镀膜电极一般使用长X宽= 2. 2mmX1. 2mm(误差在±0. 05mm)的电极，电阻平均值偏大，约42. 71Q，且温度特性不能满 足要求，一般在±30ppm内，无法满足±20ppm的要求。
[0005] 因此，有必要提供一种能够满足±20ppm的温度特性要求，具有良好温度特性的 小电阻晶体振荡器。 实用新型内容
[0006] 本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种具有良好温度特性、小电阻的晶体 振荡器。
[0007] 为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
[0008] -种晶体振荡器，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述晶片上设有 长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和副电极引出 端位于所述晶片的周边，所述主电极引出端与主电极相连；
[0009] 所述长方形镀膜主电极的长度为2. 2-2. 3mm，宽度为1. 6-1. 7mm。
[0010] 进一步的，所述晶片上的长方形镀膜主电极具有两层镀膜，第一层镀膜为Cr，第二 层镀膜为银。
[0011] 进一步的，所述晶片为薄片状二氧化硅。
[0012] 进一步的，所述晶片以胶粘的方式固定在所述基座上。
[0013] 进一步的，所述晶片上的副电极引出端和主电极引出端通过依次粘接有导电面胶 和导电底胶与所述基座固定。
[0014] 本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的一种晶体振荡器，区别于现有 的晶体振荡器中晶片上的镀膜主电极长X宽=2. 2mmXL2mm，其电阻平均值偏大，温 度特性不能满足要求，影响晶体振荡器的工作性能的问题。本实用新型提供一种长度为 2. 2-2. 3_，宽度为1. 6-1. 7_范围的镀膜主电极晶片，晶片上镀膜主电极的面积设定能够 使所述晶体振荡器具有优良的温度特性，在保证电阻值小的同时又能很好的符合温度特性 的要求。本实用新型所述的晶体振荡器选取最佳的镀膜面积，降低生产成本，能够很好的提 升晶体振荡器的良品率，更好的适应电子市场的需求。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 图1为现有的晶体振荡器的结构示意图；
[0016] 图2为本实用新型一实施例一种晶体振荡器中晶片的结构示意图；
[0017] 图3为长方形镀膜主电极面积为2. 4*1. 5的晶体振荡器的温度特性曲线图；
[0018] 图4为长方形镀膜主电极面积为2. 2*1. 6的晶体振荡器的温度特性曲线图。
[0019] 标号说明
[0020] 1-基座；2-晶片；3-长方形镀膜主电极；4-副电极引出端；
[0021] 5-主电极引出端。
【具体实施方式】
[0022] 为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实 施方式并配合附图详予说明。
[0023] 本实用新型最关键的构思在于：晶体振荡器中晶片的镀膜主电极面积的长度为 2. 2-2. 3_，宽度为1. 6-1. 7_，最佳的镀膜面积使晶振具有优良的温度特性，且电阻值小， 良品率高，更好的适应市场需求。
[0024] 请参阅图1以及图2,本实用新型提供一种晶体振荡器，包括晶片2和基座，所述基 座上固设有所述晶片2 ;所述晶片2上设有长方形镀膜主电极3,以及主电极引出端5和副 电极引出端4;所述主电极引出端5和副电极引出端4位于所述晶片2的周边，所述主电极 引出端5与主电极相连；
[0025] 所述长方形镀膜主电极3的长度为2. 2-2. 3mm，宽度为1. 6-1. 7mm。
[0026] 从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供一种长度L为 2. 2-2. 3臟，宽度W为1. 6-1. 7mm范围的镀膜主电极晶片2,晶片2上镀膜主电极的面积设定 能够使所述晶体振荡器具有优良的温度特性，在保证电阻值小的同时又能很好的符合温度 特性的要求。同时，晶体振荡器选取最佳的镀膜面积，降低生产成本，能够很好的提升晶体 振荡器的良品率，更好的适应电子市场的需求。
[0027] 需要说明的是，晶体振荡器的温度特定主要决定与晶片2本身和晶片2上镀膜主 电极的尺寸两个方面，虽然增大镀膜主电极尺寸，可以一定程度的降低晶片2的电阻，但是 镀膜主电极长宽尺寸的变化又会带来晶体振荡器温度特性的改变，随意的增大尺寸，可能 会导致温度特性严重不达标，影响晶体振荡器的正常使用，本领域技术人员一直不断的钻 研以克服上述问题，但都不见很好的成果。现有技术中在低频产品中使用时是选用常规的 镀膜主电极面积为LXW= 2. 2_X1. 2_的晶体振荡器，该常规晶体振荡器的电阻超标，而 另一种现有的常规的镀膜主电极面积为LXW= 2. 4_X1. 5_的晶体振荡器虽然其电阻降 低至标准范围内，但是其温度特性却超标，可见现有技术中常规的晶体振荡器很难兼顾电 阻标准和温度特性标准。
[0028] 请参阅表格，为本实用新型实施例一种晶体振荡器的参数比较表格。
[0029] 取现有技术中常规的晶体振荡器和本实用新型所述的晶体振荡器分别做平均电 阻值测试和温度特性测试实验，具体的参数比较结果见表格。实验中，取在本实用新型所 述晶体振荡器镀膜主电极的长度L为2. 2_，宽度W为1. 6_。
【权利要求】
1. 一种晶体振荡器，其特征在于，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述 晶片上设有长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和 副电极引出端位于所述晶片的周边，所述主电极引出端与主电极相连； 所述长方形镀膜主电极的长度为2. 2-2. 3mm，宽度为I. 6-1. 7mm。
2. 根据权利要求1所述的一种晶体振荡器，其特征在于，所述晶片上的长方形镀膜主 电极具有两层镀膜，第一层镀膜为Cr,第二层镀膜为银。
3. 根据权利要求1所述的一种晶体振荡器，其特征在于，所述晶片为薄片状二氧化硅。
4. 根据权利要求1所述的一种晶体振荡器，其特征在于，所述晶片以胶粘的方式固定 在所述基座上。
5. 根据权利要求1或4所述的一种晶体振荡器，其特征在于，所述晶片上的副电极引出 端和主电极引出端通过依次粘接有导电面胶和导电底胶与所述基座固定。
【文档编号】H03H9/02GK204131475SQ201420397448
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年7月17日 优先权日:2014年7月17日
【发明者】苏伟, 吴亚华 申请人:深圳市福浪电子有限公司