1.一种BUCK型LED驱动芯片，包括输出MOS管和短路保护电路，所述短路保护电路包括短路保护比较器，其特征在于，所述BUCK型LED驱动芯片还包括启动预判模块，所述启动预判模块的输入信号为所述输出MOS管的栅极信号，所述启动预判模块的输出信号用于控制所述短路保护比较器的使能，所述启动预判模块用于控制当所述输出MOS管的栅极信号的频率低于预定频率时关断所述短路保护比较器，当所述输出MOS管的栅极信号的频率大于或等于所述预定频率时打开所述短路保护比较器。
2.如权利要求1所述的BUCK型LED驱动芯片，其特征在于，所述启动预判模块包括电平预处理模块、电平保持模块和电平比较模块；
所述电平预处理模块、所述电平保持模块和所述电平比较模块依次电连接，所述电平预处理模块的输入信号为所述输出MOS管的栅极信号，所述电平比较模块的输出信号用于控制所述短路保护比较器的使能；
所述电平预处理模块用于调整所述输出MOS管的栅极信号的电平；
所述电平保持模块用于根据所述电平预处理模块的输出信号的电平和频率控制输出至所述电平比较模块的信号的电平；
所述电平比较模块用于比较所述电平保持模块的输出电平与参考电平并输出比较结果。
3.如权利要求2所述的BUCK型LED驱动芯片，其特征在于，所述电平保持模块包括充放电控制模块和充放电模块，所述充放电控制模块与所述充放电模块电连接；
所述充放电控制模块用于根据所述电平预处理模块的输出信号的电平控制所述充放电模块充电或放电；
所述电平比较模块用于比较所述充放电模块的输出电平与参考电平并输出比较结果。
4.如权利要求3所述的BUCK型LED驱动芯片，其特征在于，所述充放电控制模块包括PMOS管和NMOS管，所述电平预处理模块输出至所述NMOS管的栅极和所述PMOS管的栅极，所述NMOS管的漏极和所述PMOS 管的漏极与所述充放电模块电连接，所述NMOS管用于控制所述充放电模块放电，所述PMOS管用于控制所述充放电模块充电。
5.如权利要求3所述的BUCK型LED驱动芯片，其特征在于，所述充放电模块包括电阻和电容，所述电阻的一端与所述充放电控制模块电连接，所述电阻的另一端与所述电容的一端电连接并输出至所述电平比较模块；所述电容的另一端接地。
6.如权利要求2至5中任一项所述的BUCK型LED驱动芯片，其特征在于，所述电平比较模块为施密特触发器。
7.如权利要求6所述的BUCK型LED驱动芯片，其特征在于，所述预定频率为10KHz。