1.一种GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，包括负压及时序产生电路、第一比较器、三输入与门、一分压回路、与GaN微波功率放大器漏极连接的GaN漏极调制电路、与GaN微波功率放大器栅极连接的运算放大器；
负压及时序产生电路的其中一个输出端为-5V端，其电压为设定值；另一输出端为POK端，与三输入与门其中一个输入端连接；
第一比较器的两个输入端分别连接至GaN微波功率器件的栅极、分压回路输出电压端，第一比较器的输出端连接至一二极管的阳极，二极管的阴极连接至三输入与门的其中一个输入端Pin；三输入与门的另一输入端连接至负压及时序产生电路的POK端，另一输入端连接雷达系统输入的漏极调制信号TTL；三输入与门的输出端Cin连接至GaN漏极调制电路，控制GaN漏极调制电路的开关截止；GaN漏极调制电路为设置在工作电压与GaN微波功率器件漏极之间的一个开关。
2.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，分压回路中包括一可变电阻器，分压回路输出电压连接至比较器的其中一个输入端的同时还与所述运算放大器的正向输入端连接，运算放大器输出端连接至GaN微波功率器件栅极的同时还反馈连接至其反向输入端，使GaN微波功率器件栅极电压可由可变电阻器进行调整。
3.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，负压及时序产生电路当-5V端输出在小于设定值7%内时，POK端输出高电平；否则POK端输出为低电平。
4.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，当栅极电压大于分压回路输出电压端的电压时，第一比较器输出低电平；当栅极电压小于分压回路输出电压端的电压时，第一比较器输出高电平。
5.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，当三输入与门的输出端Cin为高电平时，GaN漏极调制电路开关导通， GaN微波功率器件漏极获得工作电压；当三输入与门的输出端Cin为低电平时，GaN漏极调制电路开关截止，GaN微波功率器件漏极的工作电压为零。
6.根据权利要求1或2所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，所述运算放大器输出端还同时通过一射频电容接地。
7.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，GaN微波功率器件为GaN微波功率放大器。
8.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，所述负电压及时序产生电路包括充电泵、线性稳压电路和比较器；充电泵由电源供电，其输出与线性稳压电路的输入端连接；线性稳压电路的输出端为负电压及时序产生电路的其中一个输出端-5V端，同时线性稳压电路的输出端经分压后连接至第二比较器的反向输入端，第二比较器的正向输入端经参考电压接地，第二比较器的输出端为POK端。
9.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器保护电路，其特征是，所述GaN漏极调制电路包括NPN管和PMOS管；三输入与门的输出端Cin连接至NPN管的基极，NPN管发射极接地，NPN管集电极连接至PMOS管的栅极，PMOS管的源极接工作电压Vdd，PMOS管的漏极连接作为GaN微波功率器件的漏极电压Vds。