一种FPC柔性无线充电传输线圈模组制作工艺的制作方法

[技术领域]

本发明涉及无线充电传输线圈技术领域，尤其涉及一种可以有效提高线圈导体横截面积，减小阻值，提高充电功率的fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺。

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背景技术：
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目前无线充电传输线圈模组主要分：wpc密绕线圈、fpc线圈和mepqf扁平线圈三种，a:pcb/fpc方案更薄，尺寸较小，但功率较低，阻值较大(线圈主要采用pcb中黄光/曝光/显影/蚀刻等方式形成铜圈回路)，但缺点在于蚀刻的工艺不能对厚铜进行有效的蚀刻，造成只能选用薄型化的铜箔，同时线圈与线圈之间的“线距”无法做到细线路(50um以下)，导致压缩了整体导体的横截体积，阻值偏大，进而充电时的功率较低。牺牲充电效率。b:铜线产品尺寸有一定影响，但可以实现更高的功率，充电效率也更高。线圈厂商轻薄化产品较为成熟，采用更细的铜线，更多的圈数(相应都会增加内阻，也会增加电感值，也就意味着牺牲功率。

基于上述问题，怎样才能在铜箔的厚度较大的情况下，保证较小的线圈与线圈之间的线距，是本领域的技术人员经常考虑的问题，也进行了大量的实验和验证，并取得了较好的成绩。

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技术实现要素：
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为克服现有技术所存在的问题，本发明提供一种可以有效提高线圈导体横截面积，减小阻值，提高充电功率的fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺。

本发明解决技术问题的方案是提供一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺，包括以下步骤，

s1：预备用于进行加工处理的纯铜箔，并对铜箔加工面进行清洁处理；

s2:采用激光蚀刻在步骤s1准备好的铜箔表面刻蚀槽体，槽体可以为盲槽或者是100％贯穿的通槽通孔；

s3:蚀刻沟道；在步骤s2完成槽体加工处理后，即在铜箔加工面刻出沟道，沟道的宽度范围为10um-100um，沟道的深度范围为被刻铜箔厚度的10％--100％；

s4：对步骤s3加工处理完成后的铜箔进行前处理；前处理过程包括微蚀修整、水处理以及烘干三步处理流程；

s5：在铜箔表面压合基材；首先在铜箔表面粘贴胶体，再在胶体正面压合线路板基材；

s6：对步骤s5中压合完成的铜箔相对于基材的另一端面做进一步蚀刻处理，蚀刻后露出盲槽，且该露出的盲槽形成线圈的线距；

s7:对步骤s6中蚀刻完成的铜箔进行最后的清洗、烘干处理，得到线圈模组成品。

优选地，所述步骤s2中对铜箔进行激光蚀刻的激光为皮秒，纳秒，飞秒或准分子激光器，且激光光源为绿光，uv紫光或者co2激光光源。

优选地，所述步骤s2中对铜箔进行激光蚀刻的部分包含铜箔上任何印刷、粘贴的高分子、有机物、无机物金属物质涂层与膜类保护层。

优选地，所述步骤s5中铜箔表面粘贴的胶体为聚酯类胶粘剂、丙烯酸类胶粘剂、环氧或改性环氧类胶粘剂、聚酰亚胺类胶粘剂、酚醛－缩丁醛类胶粘剂，且压合的线路板基材为pi(聚酰亚胺薄膜(polyimidefilm)、lcp、fr4、lcp液晶聚合物(liquidcrystalpolymer)、氮化铝与氧化铝陶瓷或ptef特富龙线路板基材。

优选地，所述步骤s1中采用的金属导体箔为挠性覆铜板用的导体材料，可以是铜箔(普通电解铜箔、高延展性电解铜箔、压延铜箔)、铝箔或铜－铍合金箔。

优选地，所述步骤s1中采用的金属导体箔为铜箔，包括电解铜箔(ed)和压延铜箔(ra)。

优选地，所述步骤s5中完成压合线路板基材的处理之后，在压合线路板基材的反面，形成制作双面板时的铜箔导体层。

优选地，所述铜箔的厚度大于40微米，且线圈与线圈之间的线距小于40微米。

与现有技术相比，本发明一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺通过采用上述制作fpc柔性无线充电传输线圈模组的工艺流程，可以显著提高铜箔蚀刻时的纵横比，实现铜箔厚度>40um在蚀刻线圈时，线圈与线圈间的线距时<40um，从而提高线圈的线路本体宽度，提高线圈导体横截面积，减小阻值，提高充电功率，线圈与线圈间被蚀刻液去除掉，露出下面的绝缘层空白区域为：线距蚀刻去除不用的金属导体，留下需要的金属线圈导体(深色线路)：线圈线路导体，本发明工艺流程简洁，易实现，且最终的产品效果好，适合广泛推广使用。

[附图说明]

图1是本发明一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺的流程示意图。

图2是本发明一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺的图框式流程示意图。

[具体实施方式]

为使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定此发明。

请参阅图1和图2，本发明一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺，包括以下步骤，

s1：预备用于进行加工处理的纯铜箔，并对铜箔加工面进行清洁处理；

s2:采用激光蚀刻在步骤s1准备好的铜箔表面刻蚀槽体，槽体可以为盲槽或者是100％贯穿的通槽通孔；

s3:蚀刻沟道；在步骤s2完成槽体加工处理后，即在铜箔加工面刻出沟道，沟道的宽度范围为10um-100um，沟道的深度范围为被刻铜箔厚度的10％--100％；

s4：对步骤s3加工处理完成后的铜箔进行前处理；前处理过程包括微蚀修整、水处理以及烘干三步处理流程；

s5：在铜箔表面压合基材；首先在铜箔表面粘贴胶体，再在胶体正面压合线路板基材；

s6：对步骤s5中压合完成的铜箔相对于基材的另一端面做进一步蚀刻处理，蚀刻后露出盲槽，且该露出的盲槽形成线圈的线距；

s7:对步骤s6中蚀刻完成的铜箔进行最后的清洗、烘干处理，得到线圈模组成品。

本申请通过采用上述制作fpc柔性无线充电传输线圈模组的工艺流程，可以显著提高铜箔蚀刻时的纵横比，实现铜箔厚度>40um在蚀刻线圈时，线圈与线圈间的线距时<40um，从而提高线圈的线路本体宽度，提高线圈导体横截面积，减小阻值，提高充电功率，线圈与线圈间被蚀刻液去除掉，露出下面的绝缘层空白区域为：线距蚀刻去除不用的金属导体，留下需要的金属线圈导体(深色线路)：线圈线路导体，本发明工艺流程简洁，易实现，且最终的产品效果好，适合广泛推广使用。

优选地，所述步骤s2中对铜箔进行激光蚀刻的激光为皮秒，纳秒，飞秒或准分子激光器，且激光光源为绿光，uv紫光或者co2激光光源。

优选地，所述步骤s2中对铜箔进行激光蚀刻的部分包含铜箔上任何印刷、粘贴的高分子、有机物、无机物金属物质涂层与膜类保护层。

优选地，所述步骤s5中铜箔表面粘贴的胶体为聚酯类胶粘剂、丙烯酸类胶粘剂、环氧或改性环氧类胶粘剂、聚酰亚胺类胶粘剂、酚醛－缩丁醛类胶粘剂，且压合的线路板基材为pi(聚酰亚胺薄膜(polyimidefilm)、lcp、fr4、lcp液晶聚合物(liquidcrystalpolymer)、氮化铝与氧化铝陶瓷或ptef特富龙线路板基材。

优选地，所述步骤s1中采用的金属导体箔为挠性覆铜板用的导体材料，可以是铜箔(普通电解铜箔、高延展性电解铜箔、压延铜箔)、铝箔或铜－铍合金箔。

优选地，所述步骤s1中采用的金属导体箔为铜箔，包括电解铜箔(ed)和压延铜箔(ra)。

优选地，所述步骤s5中完成压合线路板基材的处理之后，在压合线路板基材的反面，形成制作双面板时的铜箔导体层。此制层也适用于多层fpc与双面fpc，以及多层pcb与双面pcb后续流程与fpc/pcb制作流程一致。

优选地，所述铜箔的厚度大于40微米，且线圈与线圈之间的线距小于40微米。

a:激光刻蚀槽体：采用激光(包含，皮秒，纳秒，飞秒，准分子等激光器，光源的的选择可以用绿光，uv紫光，采用以及co2等)在已纯铜箔刻出沟道，沟道的宽度在10um-100um之间，沟道的深度满足被刻铜箔厚度的10％--100％之间，沟道可以是没有100％割穿的盲槽，也可以在沟道内局部割穿，或者在沟道内钻出通透的孔径，以便于后期压合基材时的排气作用，以防止气泡，与压合不实，不均匀。

b：压合的基材可以选择包括pi(聚酰亚胺薄膜(polyimidefilm),fr4,ptef特富龙，lcp液晶聚合物(liquidcrystalpolymer)，氮化铝与氧化铝陶瓷等现有pcb制造绝缘材料。

c:蚀刻减薄基材反面的铜箔面时，减薄到露出激光切割的盲槽即可，减薄的厚度不限。

与现有技术相比，本发明一种fpc柔性无线充电传输线圈模组制作工艺通过采用上述制作fpc柔性无线充电传输线圈模组的工艺流程，可以显著提高铜箔蚀刻时的纵横比，实现铜箔厚度>40um在蚀刻线圈时，线圈与线圈间的线距时<40um，从而提高线圈的线路本体宽度，提高线圈导体横截面积，减小阻值，提高充电功率，线圈与线圈间被蚀刻液去除掉，露出下面的绝缘层空白区域为：线距蚀刻去除不用的金属导体，留下需要的金属线圈导体(深色线路)：线圈线路导体，本发明工艺流程简洁，易实现，且最终的产品效果好，适合广泛推广使用。

以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。