一种微波功率放大模块的制作方法

本实用新型属于微波功率领域，具体涉及一种微波功率放大模块。

背景技术：

自1974年，美国的Plessey公司用GaAs FET作为有源器件，GaAs半绝缘衬底作为载体，研制成功世界上第一块MMIC放大器以来，在军事应用(包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面)的推动下，MMIC的发展十分迅速。80年代，随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术(MOCVD)和深亚微米加工技术的发展和进步，MMIC发展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管(HEMT)，在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT(PHEMT)，使HEMT向更调频率更低噪声方向发展。继HEMT之后，1984年用GaAlAs/GaAs异质结取代硅双极晶体管中的P-N结，研制成功了频率特性和速度特性更优异的异质结双极晶体管(HBT)和HBTMMIC。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基更为优越，近年来随着InP单晶的制备取得进展，InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。

目前，无线接入射频电路应用在小型设备或便携式电子产品中，主要目的是实现设备间的无线连接和信息交换。微波功率放大器在射频电路中非常重要，并已广泛应用于宇宙通信、雷达、电子对抗、遥测遥控、射电天文、大地测绘、微波通信、电视以及各种高精度的微博测量系统中的前端功率放大器，以完成对微弱信号的放大作用。因此，对微博功率放大器的基本要求是：足够的功率增益、工作未定可靠、足够的带宽和交大的动态范围等，此外，在不同的应用情况下，可能对其体积、重量、耗电量等提出限制性要求、微波晶体管放大器还在向更高工作频率、低噪声、宽频带、集成化和标准化发展。现有技术中的微波放大电路并不能很好的满足更高工作频率、低噪声、宽频带、集成化和标准化的要发展求。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于：针对上述现有技术中的微波放大电路并不能很好的满足更高工作频率、低噪声、宽频带、集成化和标准化的要发展求的问题，本实用新型提供一种微波功率放大模块。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种微波功率放大模块，包括前极放大器、衰减网络、末级放大器和输出隔离器，所述前级放大器与输入端、衰减网络和末级放大器连接，所述末级放大器与衰减网络、前级放大器和输出隔离器连接，所述输出隔离器与输出端连接。

进一步的，所述前级放大器中，输入端与电容C3一端连接，电容C3另一端与放大器U1接口1连接，放大器U1接口2.4接地，放大器U1接口3与电感L1一端和电容C4一端连接；电感L1另一端与电子R1一端连接，电阻R1另一端与电容C1一端、电容C2一端和电源连接，电容C1另一端接地，电容C2另一端接地；电容C4另一端与放大器U2接口1连接，放大器U2接口2.4接地，放大器U2接口3与电感L2一端和电容C5一端连接，电感L2另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端接电源。

进一步的，所述衰减网络中，电容C5另一端与电阻R3一端和电阻R4一端连接，电阻R3另一端与电阻R5一端和电容C6一端连接，电阻R4另一端和电阻R5另一端接地；电容6另一端与输入匹配电路接口1连接，输入匹配电路接口2与电阻R6一端和可变电阻R7一端连接，电阻R6另一端与单片机U5接口3连接，电容C10一端和电容C11一端与单片机U5接口3连接，可变电阻R7另一端、电容C10另一端和电容C11另一端接地；单片机U5接口1和接口2接地，单片机U5的接口4接电源，单片机U5的接口5与电容C12一端连接，单片机U5接口6与电容C12另一端连接，单片机U7与电容C13一端、电容C14和地线连接，单片机U5接口8与电容C13另一端、电容C14另一端和电源连接。

进一步的，所述末级放大器中，输入匹配电路接口3与场效应管Q1栅极连接，场效应管Q1源极接地，场效应管Q1漏极与输出匹配电路接口1连接。

进一步的，输出隔离器中，输出匹配电路接口2与电感L3一端连接，电感L3另一端与电容C7一端、电容C8一端和电源连接，电容C7另一端和电容C8另一端接地；输出匹配电路接口3与电容C9一端连接，电容C9另一端接输出端。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

能提供更高的工作频率、低噪声，并具有合适的增益效果，能满足现有射频通信发展的要求。

附图说明

图1是本实用新型整体电路图；

图2是前级放大器电路图；

图3是衰弱网络电路图；

图4是末级放大器电路图；

图5是输出隔离器电路图。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

下面结合图1、图2、图3、图4、图5对本实用新型作详细说明。

本实用新型提供了一种微波功率放大模块，包括前极放大器、衰减网络、末级放大器和输出隔离器，所述前级放大器与输入端、衰减网络和末级放大器连接，所述末级放大器与衰减网络、前级放大器和输出隔离器连接，所述输出隔离器与输出端连接。具体如图1所示。

如图2所示，在前级放大器中，输入端与电容C3一端连接，电容C3另一端与放大器U1接口1连接，放大器U1接口2.4接地，放大器U1接口3与电感L1一端和电容C4一端连接；电感L1另一端与电子R1一端连接，电阻R1另一端与电容C1一端、电容C2一端和电源连接，电容C1另一端接地，电容C2另一端接地；电容C4另一端与放大器U2接口1连接，放大器U2接口2.4接地，放大器U2接口3与电感L2一端和电容C5一端连接，电感L2另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端接电源。

如图3所示，在衰减网络中，电容C5另一端与电阻R3一端和电阻R4一端连接，电阻R3另一端与电阻R5一端和电容C6一端连接，电阻R4另一端和电阻R5另一端接地；电容6另一端与输入匹配电路接口1连接，输入匹配电路接口2与电阻R6一端和可变电阻R7一端连接，电阻R6另一端与单片机U5接口3连接，电容C10一端和电容C11一端与单片机U5接口3连接，可变电阻R7另一端、电容C10另一端和电容C11另一端接地；单片机U5接口1和接口2接地，单片机U5的接口4接电源，单片机U5的接口5与电容C12一端连接，单片机U5接口6与电容C12另一端连接，单片机U7与电容C13一端、电容C14和地线连接，单片机U5接口8与电容C13另一端、电容C14另一端和电源连接。

如图4所示，在末级放大器中，输入匹配电路接口3与场效应管Q1栅极连接，场效应管Q1源极接地，场效应管Q1漏极与输出匹配电路接口1连接。

如图5所示，在输出隔离器中，输出匹配电路接口2与电感L3一端连接，电感L3另一端与电容C7一端、电容C8一端和电源连接，电容C7另一端和电容C8另一端接地；输出匹配电路接口3与电容C9一端连接，电容C9另一端接输出端。