本实用新型涉及一种LED驱动电路，属于驱动电路技术领域。
背景技术：
在遇到如雷电、大用电设备启动等时会电压瞬间变大，产生突变电流，而现有技术中的LED驱动电路往往不能有效的对突变电流进行释放，从而对LED和其他晶体管造成影响甚至破坏，造成损失；通常LED驱动电路中若干LED进行串联，串联后若其中一个LED损坏断路，很麻烦才能找出其中坏的LED，而且现有技术中的LED电路较复杂，费用也比较高。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种LED驱动电路。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种LED驱动电路，其特征是，包括降压限流电路、整流电路、滤波电路、LED阵列以及用于保护LED不被瞬间高压击穿的压敏电阻RV；
所述降压限流电路包括电阻R1和电容C1，所述整流电路包括整流二极管VD1、VD2、VD3以及VD4，所述滤波电路包括电容C2和C3，所述LED阵列包括若干个LED和若干个开关K；
所述R1和C1并联组成降压限流电路，所述降压限流电路一端连接电源正极，另一端分别连接VD1正极和VD2负极， VD1负极分别连接VD3负极、C2一端、C3一端、压敏电阻RV一端以及LED阵列输入端，VD2正极分别连接VD4正极、C2另一端、C3另一端、压敏电阻RV另一端以及LED阵列输出端，VD4负极和VD3正极分别连接电源负极；
所述LED阵列中的每个LED并联一个开关K后相互串联，串联后连接一个保护电阻R2的一端，R2的另一端作为LED阵列输出端连接VD2正极。
进一步的，所述整流二极管采用1N4007系列的整流二极管。
进一步的，所述电容C2、C3的耐压依据负载电压而定。
进一步的，所述电容C2、C3容量依据负载电流的大小而定。
进一步的，所述耐压为负载电压1.2倍。
进一步的，所述开关K在LED正常工作状态呈打开状态。
进一步的，所述LED阵列中串联的LED数量视其正向导通电压而定。
本实用新型所达到的有益效果：
本实用新型的LED驱动电路结构简单，具有降压、限流、整流、滤波作用，而且在电路中加入压敏电阻能够很好的解决电路中电压突然增大而造成影响或者损坏元器件的问题，在LED上并联开关，能够快速的发现损坏的LED。
附图说明
图1是本实用新型的电路连接图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示，一种LED驱动电路，其特征是，包括降压限流电路、整流电路、滤波电路、LED阵列以及用于保护LED不被瞬间高压击穿的压敏电阻RV；
所述降压限流电路包括电阻R1和电容C1，所述整流电路包括整流二极管VD1、VD2、VD3以及VD4，所述滤波电路包括电容C2和C3，所述LED阵列包括若干个LED和若干个开关K；
所述R1和C1并联组成降压限流电路，所述降压限流电路一端连接电源正极，另一端分别连接VD1正极和VD2负极， VD1负极分别连接VD3负极、C2一端、C3一端、压敏电阻RV一端以及LED阵列输入端，VD2正极分别连接VD4正极、C2另一端、C3另一端、压敏电阻RV另一端以及LED阵列输出端，VD4负极和VD3正极分别连接电源负极；
所述LED阵列中的每个LED并联一个开关K后相互串联，串联后连接一个保护电阻R2的一端，R2的另一端作为LED阵列输出端连接VD2正极。
开光K在驱动电路正常工作状态时都处于打开状态，相当于所有LED串联运行，当其中有LED损坏断路时，会造成LED全部不亮，通过对各个开关的闭合或者打开控制，就能发现损坏断路的LED（比如某个LED断路，通过闭合与它并联的开关，相当于使该LED短路，而其他LED亮就能证明该LED是坏的）
该电路与目前大部分应用电路的不同之处在于连接有压敏电阻，压敏电阻能在电压突变的瞬间(如雷电、大用电设各启动等)有效地将突变电流泄放，从而保护LED和其 他晶体管，瞬变电压抑制器的响应时间一般为纳秒级。
在图中，电容C1的作用是降压和限流;VD1～VD4的作用是整流，用于将交流电整VD1～VD4可选择1N4007系列的整流二极管。C2、C3的作用为滤 波，用于将整流后的脉动直流电压滤波成平稳的直流电压。C2、C3的耐压应根据负载电压而定，一般为负载电压1.2倍，其电容容量视负载电流的大小而定。压敏电阻Rv的作用是将输入电源中瞬间的脉冲高压对地泄放掉，从而保护LED不被瞬间高压击穿。
LED串联的数量视其正向导通电压(VF)而定，在220V交流电路中最多可以达到80个左右。电容的耐压一般要求大于输入电源电压的峰值，在220V/50Hz的交流电路中，可以选择耐压为400V以上的涤纶电容或纸介质电容。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。