驱动电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种驱动电路，包括第一被驱动单元、第一开关单元、升压单元和第一稳压单元，其中：第一被驱动单元和第一开关单元串联形成第一支路；升压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第一支路的第一端相连，第三端和第一支路的第二端相连并接地；第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第一支路的第一端相连。采用本发明提供的驱动电路，能够解决现有技术中的快速驱动电路需要两路电源输入的问题。
【专利说明】驱动电路【技术领域】
[0001]本发明涉及电子【技术领域】，尤其涉及一种驱动电路。
【背景技术】
[0002]在目前的驱动电路中，为了缩短驱动对象在上电后的响应时间，往往采用瞬时高压上电的方法，即在驱动对象上电瞬间给驱动对象输入一个高于额定驱动电压的电压，以达到快速驱动的目的。现有技术中的快速驱动电路多采用两路电源供电，由一路高压电源实现驱动对象上电瞬间的高压输入，由一路额定驱动电源为驱动对象提供稳态时的额定驱动电压输入。以接触器的快速驱动电路为例对现有技术中的快速驱动电路进行说明，如图1所示，额定驱动电源Vcc和高压电源Vh通过两个二极管Dl、D2并联，在MOS管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,电力场效应晶体管)Q关断时，高压电源Vh通过二极管D3、电阻R给电容C充电，在MOS管Q导通瞬间，接触器RLY线圈上电，电容C为接触器RLY提供瞬时高压，电容C电压迅速下降到接触器RLY的额定驱动电压后，由额定驱动电源Vcc为接触器RLY提供稳态时的额定驱动电压。
[0003]然而，该快速驱动电路中存在高压电源和额定驱动电源两路电源输入，高低压电源必须共地，因此该快速驱动电路将会导致系统耦合性较高，不能应用在要求高低压电源隔离的系统中。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种驱动电路，用以解决现有技术中的快速驱动电路需要两路电源输入的问题。
[0005]本发明实施例提供一种驱动电路，包括第一被驱动单元、第一开关单元、升压单元和第一稳压单元，其中:
[0006]所述第一被驱动单元和所述第一开关单元串联形成第一支路；
[0007]所述升压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端相连，第三端和所述第一支路的第二端相连并接地；在所述第一开关单元断开时，所述升压单元升高自身的第二端和第三端间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述升压单元的第二端和第三端间电压的极性和所述额定驱动电源电压的极性相同；
[0008]所述第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端相连；在所述第一开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第一稳压单元为所述第一被驱动单元提供额定驱动电压。
[0009]本发明实施例提供一种驱动电路，包括第二被驱动单元、第二开关单元、调压单元、隔离单元和第二稳压单元，其中:
[0010]所述第二被驱动单元和所述第二开关单元串联形成第二支路；
[0011]所述调压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第二端相连，第三端和所述隔离单元的第一端相连并接地，所述隔离单元的第二端和所述第二支路的第一端相连；在所述第二开关单元断开时，所述调压单元升高自身的第二端和第三端间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述调压单元的第二端和第三端间电压的极性和所述额定驱动电源电压的极性相反；所述隔离单元对所述调压单元的第二端和第三端间电压和所述额定驱动电源电压进行隔离；
[0012]所述第二稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第一端相连；在所述第二开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第二稳压单元为所述第二被驱动单元提供额定驱动电压。
[0013]本发明实施例提供一种驱动电路，包括第三被驱动单元、第三开关单元和降压单元，其中:
[0014]所述第三被驱动单元和所述第三开关单元串联形成第三支路；
[0015]所述降压单元的第一端为高压电源接线端，第二端和所述第三支路的一端相连，第三端和所述第三支路的另一端相连并接地；在所述第三开关单元断开时，所述降压单元保持自身的第二端和第三端间电压值等于所述高压电源电压值，在所述第三开关单元闭合后，所述降压单元降低自身的第二端和第三端间电压值等于所述第三被驱动单元的额定驱动电压值。
[0016]本发明实施例提供的驱动电路，在第一开关单元闭合前，升压单元升高自身的第二端和第三端间电压大于额定驱动电压，在第一开关单元闭合瞬间，升压单元能够为驱动对象提供瞬时高压，升压单元的第二端和第三端间电压迅速减小至额定驱动电压后，由额定驱动电源为驱动对象提供额定驱动电压，可见，该驱动电路在实现快速驱动的基础上仅需要一路电源输入，避免了驱动电路采用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题，可应用在要求高低压电源隔离的系统中。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0018]图1为现有技术中的驱动电路的结构图；
[0019]图2为本发明实施例提供的驱动电路的结构图之一；
[0020]图3为本发明实施例1提供的驱动电路的详细结构图；
[0021]图4为本发明实施例1提供的驱动电路中驱动电压波形示意图；
[0022]图5为本发明实施例2提供的驱动电路的详细结构图；
[0023]图6为本发明实施例提供的驱动电路的结构图之二 ；
[0024]图7为本发明实施例3提供的驱动电路的详细结构图；
[0025]图8为本发明实施例3提供的驱动电路中驱动电压波形示意图；
[0026]图9为本发明实施例提供的驱动电路的结构图之三；
[0027]图10为本发明实施例4提供的驱动电路的详细结构图；
[0028]图11为本发明实施例4提供的驱动电路中驱动电压波形示意图。
【具体实施方式】
[0029]为了给出单路电源输入的驱动电路的实现方案，本发明实施例提供了一种驱动电路，以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]本发明实施例提供了一种驱动电路，如图2所示，包括第一被驱动单元21、第一开关单元22、升压单元23和第一稳压单元24，其中:
[0031]第一被驱动单元21和第一开关单元22串联形成第一支路；
[0032]升压单元23的第一端231为额定驱动电源Vcc接线端，第二端232和第一支路的第一端相连，第三端233和第一支路的第二端相连并接地GND ;在第一开关单元22断开时，升压单元23升高自身的第二端232和第三端233间电压值大于额定驱动电源Vcc电压值，升压单元23的第二端232和第三端233间电压的极性和额定驱动电源Vcc电压的极性相同；
[0033]第一稳压单元24的第一端241为额定驱动电源Vcc接线端，第二端242和第一支路的第一端相连；在第一开关单元22闭合后，额定驱动电源Vcc通过第一稳压单元24为第一被驱动单元21提供额定驱动电压。
[0034]其中，第一开关单元22具体可以为晶体管，由晶体管的第一端作为第一开关单元22的第一端221，由晶体管的第二端作为第一开关单元22的第二端222。
[0035]其中，升压单元23有多种实现电路，具体可以采用如下电路实现，包括晶体管、二极管、电感和电容，电感的一端作为升压单元23的第一端231 ;电感的另一端和晶体管的第一端、二极管的阳极相连；二极管的阴极和电容的一端相连，作为升压单元23的第二端232 ;晶体管的第二端和电容的另一端相连，作为升压单元23的第三端233。
[0036]升压单元23也可以采用如下电路实现，具体包括晶体管、二极管、变压器和电容，变压器初级的一端作为升压单元23的第一端231 ;变压器次级的一端和二极管的阳极相连；二极管的阴极和电容的一端相连，作为升压单元23的第二端232 ;变压器初级的另一端和晶体管的第一端相连；晶体管的第二端和变压器次级的另一端、电容的另一端相连，作为升压单元23的第三端233。
[0037]上述第一开关单元22和升压单元23中的晶体管具体可以为MOS管，由MOS管的漏极作为晶体管的第一端，由MOS管的源极作为晶体管的第二端。
[0038]该晶体管具体也可以为三极管、绝缘栅双极晶体管等。
[0039]下面针对升压单元的不同实现方式，以接触器的驱动电路为例，用具体实施例对上述驱动电路进行详细说明。
[0040]实施例1:
[0041]本发明实施例1提供了一种驱动电路，包括第一被驱动单元21、第一开关单元22、升压单元23和第一稳压单元24，其中:
[0042]第一被驱动单元21和第一开关单元22串联形成第一支路；升压单元23的第一端231为额定驱动电源Vcc接线端，第二端232和第一支路的第一端相连，第三端233和第一支路的第二端相连并接地GND ;第一稳压单元24的第一端241为额定驱动电源Vcc接线端，第二端242和第一支路的第一端相连。
[0043]本发明实施例1提供的驱动电路的详细结构如图3所示。
[0044]第一被驱动单元21具体为接触器RLY ；[0045]第一开关单元22具体为第一 MOS管Ql，第一 MOS管Ql的漏极作为第一开关单元22的第一端221，第一 MOS管Ql的源极作为第一开关单元22的第二端222 ；
[0046]升压单元23具体包括第二 MOS管Q2、第一二极管Dl、电感L和电容C，其中，电感L的一端作为升压单元23的第一端231 ;电感L的另一端和第二 MOS管Q2的漏极、第一二极管Dl的阳极相连；第一二极管Dl的阴极和电容C的一端相连，作为升压单元23的第二端232 ;第二 MOS管Q2的源极和电容C的另一端相连，作为升压单元23的第三端233 ；
[0047]第一稳压单元24具体为第二二极管D2，第二二极管D2的阳极作为第一稳压单元24的第一端241，第二二极管D2的阴极作为第一稳压单元24的第二端242。
[0048]为了进一步说明本发明实施例1提供的驱动电路，下面对其工作原理进行详细阐述。
[0049]该驱动电路待机时，第一 MOS管Ql栅极输入低电平,第一 MOS管Ql关断，同时,第二 MOS管Q2栅极输入PWM波电压，第二 MOS管Q2反复导通关断，使得电容C两端电压大于额定驱动电源Vcc电压，该电容C两端电压和额定驱动电源Vcc电压极性相同，此时可以根据实际情况，通过调整第二 MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整电感L来实现电容C两端电压达到驱动接触器RLY所需的瞬时高压。
[0050]该驱动电路工作时，第一 MOS管Ql栅极输入高电平，第一 MOS管Ql导通，电容C为接触器RLY提供瞬时高压；同时，第二 MOS管Q2栅极输入低电平，第二 MOS管Q2关断，电容C两端电压迅速减小至额定驱动电源Vcc电压后，由额定驱动电源Vcc通过第二二极管D2为接触器RLY提供额定驱动电压。
[0051]采用本发明实施例1提供的驱动电路得到的接触器RLY驱动电压Vd波形如图4所不,Vgl为第一 MOS管Ql栅极输入电压，Vg2为第二 MOS管Q2栅极输入电压。可见,米用本发明实施例1提供的驱动电路，实现了对接触器RLY的快速驱动，并且该驱动电路仅需要一路电源输入，可应用在要求高低压电源隔离的系统中，避免了现有技术中的驱动电路采用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题。
[0052]较佳的，为达到更好的驱动效果还可以增加稳压二极管和第一 MOS管Ql并联，以抑制尖峰。
[0053]实施例2:
[0054]本发明实施例2提供了一种驱动电路，包括第一被驱动单元21、第一开关单元22、升压单元23和第一稳压单元24，其中:
[0055]第一被驱动单元21和第一开关单元22串联形成第一支路；升压单元23的第一端231为额定驱动电源Vcc接线端，第二端232和第一支路的第一端相连，第三端233和第一支路的第二端相连并接地GND ;第一稳压单元24的第一端241为额定驱动电源Vcc接线端，第二端242和第一支路的第一端相连。
[0056]本发明实施例2提供的驱动电路的详细结构如图5所示。
[0057]第一被驱动单元21具体为接触器RLY ；
[0058]第一开关单元22具体为第一 MOS管Ql，第一 MOS管Ql的漏极作为第一开关单元22的第一端221，第一 MOS管Ql的源极作为第一开关单元22的第二端222 ；
[0059]升压单元23具体包括第二 MOS管Q2、第一二极管Dl、变压器T和电容C，其中变压器T初级的一端作为升压单元23的第一端231 ;变压器T次级的一端和第一二极管Dl的阳极相连；第一二极管Dl的阴极和电容C的一端相连，作为升压单元23的第二端232 ;变压器T初级的另一端和第二 MOS管Q2的漏极相连；第二 MOS管Q2的源极和变压器T次级的另一端、电容C的另一端相连，作为升压单元23的第三端232 ；
[0060]第一稳压单元24具体为第二二极管D2，第二二极管D2的阳极作为第一稳压单元24的第一端241，第二二极管D2的阴极作为第一稳压单元24的第二端242。
[0061]本发明实施例2提供的驱动电路的工作原理与上实施例1类似，区别在于在该驱动电路待机时，通过变压器T使电容C两端电压大于额定驱动电源Vcc电压，此时，可以根据实际情况，通过调整第二 MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整变压器T的变比来实现电容C两端电压达到驱动接触器RLY所需的瞬时高压。
[0062]本发明上述实施例1和实施例2提供的驱动电路，得到的被驱动对象的驱动电压的极性和额定驱动电源电压的极性相同，相应的，本发明实施例还提供了 一种驱动电路，通过该驱动电路得到的被驱动对象的驱动电压的极性和额定驱动电源电压的极性相反，该驱动电路如图6所示，包括第二被驱动单元61、第二开关单元62、调压单元63、隔离单元64和第二稳压单元65，其中:
[0063]第二被驱动单元61和第二开关单元62串联形成第二支路；
[0064]调压单元63的第一端631为额定驱动电源Vcc接线端，第二端632和第二支路的第二端相连，第三端633和隔离单元64的第一端641相连并接地GND，隔离单元64的第二端642和第二支路的第一端相连；在第二开关单元62断开时，调压单元63升高自身的第二端632和第三端633间电压值大于额定驱动电源Vcc电压值，调压单元63的第二端632和第三端633间电压的极性和额定驱动电源Vcc电压的极性相反；隔离单元64对调压单元63的第二端632和第三端633间电压和额定驱动电源Vcc电压进行隔离；
[0065]第二稳压单元65的第一端651为额定驱动电源Vcc接线端，第二端652和第二支路的第一端相连；在第二开关单元62闭合后，额定驱动电源Vcc通过第二稳压单元65为第二被驱动单元61提供额定驱动电压。
[0066]其中，第二开关单元62具体为晶体管，晶体管的第一端作为第二开关单元62的第一端，晶体管的第二端作为第二开关单元62的第二端。
[0067]其中，调压单元63具体可采用如下电路实现，包括晶体管、二极管、电感和电容，晶体管的第一端作为调压单元63的第一端631 ;晶体管的第二端和电感的一端、二极管的阴极相连，二极管的阳极和电容的一端相连，作为调压单元63的第二端632 ;电容的另一端和电感的另一端相连，作为调压单元63的第三端633。
[0068]上述第二开关单元62和调压单元63中的晶体管具体可以为MOS管，MOS管的漏极作为晶体管的第一端，MOS管的源极作为晶体管的第二端。
[0069]该晶体管具体也可以为三极管、绝缘栅双极晶体管等。
[0070]下面以接触器的驱动电路为例，用具体实施例对上述驱动电路进行详细说明。
[0071]实施例3:
[0072]本发明实施例3提供了一种驱动电路，包括第二被驱动单元61、第二开关单元62、调压单元63、隔离单元64和第二稳压单元65，其中:
[0073]第二被驱动单元61和第二开关单元62串联形成第二支路；调压单元63的第一端631为额定驱动电源Vcc接线端，第二端632和第二支路的第二端相连，第三端633和隔离单元64的第一端641相连并接地GND，隔离单元64的第二端642和第二支路的第一端相连；第二稳压单元65的第一端651为额定驱动电源Vcc接线端，第二端652和第二支路的
第一端相连。
[0074]本发明实施例3提供的驱动电路的详细结构如图7所示。
[0075]第二被驱动单元61具体为接触器RLY ；
[0076]第二开关单元62具体为第一 MOS管Ql，第一 MOS管Ql的漏极作为第二开关单元62的第一端621，第一 MOS管Ql的源极作为第二开关单元62的第二端622 ；
[0077]调压单元63具体包括第二 MOS管Q2、第一二极管D1、电感L和电容C，其中，第二MOS管Q2的漏极作为调压单元63的第一端631 ;第二 MOS管Q2的源极和电感L的一端、第一二极管Dl的阴极相连，第一二极管Dl的阳极和电容C的一端相连，作为调压单元63的第二端632 ；电容C的另一端和电感L的另一端相连，作为调压单元63的第三端633 ；
[0078]第二稳压单元64具体为第二二极管D2，第二二极管D2的阳极作为第二稳压单元64的第一端641，第二二极管D2的阴极作为第二稳压单元64的第二端642 ；
[0079]隔离单元65具体为第三二极管D3，第三二极管D3的阳极作为隔离单元65的第一端651，第三二极管D3的阴极作为隔离单元65的第二端652。
[0080]为了进一步说明本发明实施例3提供的驱动电路，下面对其工作原理进行详细阐述。
[0081]该驱动电路待机时，第一 MOS管Ql栅极输入低电平,第一 MOS管Ql关断，同时,第二 MOS管Q2栅极输入PWM波电压，第二 MOS管Q2反复导通关断，使得电容C两端电压大于额定驱动电源Vcc电压，该电容C两端电压和额定驱动电源Vcc电压极性相反，此时可以根据实际情况，通过调整第二 MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整电感L来实现电容C两端电压达到驱动接触器RLY所需的瞬时高压。
[0082]该驱动电路工作时，第一 MOS管Ql栅极输入高电平，第一 MOS管Ql导通，电容C为接触器RLY提供瞬时高压；同时，第二 MOS管Q2栅极输入低电平，第二 MOS管Q2关断，电容C两端电压迅速减小至额定驱动电源Vcc电压后，由额定驱动电源Vcc通过第二二极管D2为接触器RLY提供额定驱动电压。
[0083]采用本发明实施例3提供的驱动电路得到的接触器RLY驱动电压Vd波形如图8所不,Vgl为第一 MOS管Ql栅极输入电压，Vg2为第二 MOS管Q2栅极输入电压。可见,米用本发明实施例3提供的驱动电路，实现了对接触器RLY的快速驱动，并且该驱动电路仅需要一路电源输入，可应用在要求高低压电源隔离的系统中，避免了现有技术中的驱动电路采用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题。
[0084]本发明上述实施例1-3提供的驱动电路均输入额定驱动电源，对额定驱动电源进行升压得到被驱动对象上电时的瞬时高压，相应的，本发明实施例还提供了一种驱动电路，输入高压电源，对高压电源进行降压得到被驱动对象上电后的额定驱动电压，该驱动电路如图9所示，包括第三被驱动单元91、第三开关单元92和降压单元93，其中:
[0085]第三被驱动单元91和第三开关单元92串联形成第三支路；
[0086]降压单元93的第一端931为高压电源Vh接线端，第二端932和第三支路的一端相连，第三端933和第三支路的另一端相连并接地GND ;在第三开关单元92断开时，降压单元93保持自身的第二端932和第三端933间电压值等于高压电源Vh电压值，在第三开关单元92闭合后，降压单元93降低自身的第二端932和第三端933间电压值等于第三被驱动单元91的额定驱动电压值。
[0087]其中，第三开关单元92具体可以为晶体管，晶体管的第一端作为第三开关单元92的第一端921，晶体管的第二端作为第三开关单元92的第二端922。
[0088]其中，降压单元93具体可采用如下电路实现，包括晶体管、二极管、电感和电容，晶体管的第一端作为降压单元93的第一端931 ;晶体管的第二端和二极管的阴极、电感的一端相连；电感的另一端和电容的一端相连，作为降压单兀93的第二端932 ;电容的另一端和二极管的阳极相连，作为降压单元93的第三端933。
[0089]上述晶体管具体可以为MOS管，由MOS管的漏极作为晶体管的第一端，由MOS管的源极作为晶体管的第二端。
[0090]该晶体管具体也可以为三极管、绝缘栅双极晶体管等。
[0091 ] 下面以接触器的驱动电路为例，用具体实施例对上述驱动电路进行详细说明。
[0092]实施例4:
[0093]本发明实施例4提供了一种驱动电路，包括第三被驱动单元91、第三开关单元92和降压单元93，其中:
[0094]第三被驱动单元91和第三开关单元92串联形成第三支路；降压单元93的第一端931为高压电源Vh接线端，第二端932和第三支路的一端相连，第三端933和第三支路的另一端相连并接地GND。
[0095]本发明实施例4提供的驱动电路的详细结构如图10所示。
[0096]第三被驱动单元91具体为接触器RLY ；
[0097]第三开关单元92具体为第一 MOS管Ql，第一 MOS管Ql的漏极作为第三开关单元92的第一端921，第一 MOS管Ql的源极作为第三开关单元92的第二端922 ；
[0098]降压单元93具体包括第二 MOS管Q2、二极管D、电感L和电容C，第二 MOS管Q2的漏极作为降压单元93的第一端931 ;第二 MOS管Q2的源极和二极管D的阴极、电感L的一端相连；电感L的另一端和电容C的一端相连，作为降压单元93的第二端932 ；电容C的另一端和二极管D的阳极相连，作为降压单元93的第三端933。
[0099]为了进一步说明本发明实施例4提供的驱动电路，下面对其工作原理进行详细阐述。
[0100]该驱动电路待机时，第一 MOS管Ql栅极输入低电平,第一 MOS管Ql关断，同时,第二 MOS管Q2栅极输入高电平，第二 MOS管Q2导通，高压电源V h通过电感L给电容C充电，直至电容C两端电压和高压电源Vh电压相等。
[0101]该驱动电路工作时，第一 MOS管Ql栅极输入高电平，第一 MOS管Ql导通，电容C为接触器RLY提供瞬时高压；同时，第二 MOS管Q2栅极输入PWM波电压，第二 MOS管Q2反复导通关断，使得电容C两端电压低于高压电源Vh电压，此时可以根据实际情况，通过调整第二 MOS管Q2栅极输入的PWM波电压的占空比或者调整电感L来实现电容C两端电压等于接触器RLY的额定驱动电压。
[0102]采用本发明实施例4提供的驱动电路的到的接触器RLY驱动电压Vd波形如图11所不，Vgl为第一 MOS管Ql栅极输入电压，Vg2为第二 MOS管Q2栅极输入电压。可见,米用本发明实施例4提供的驱动电路，在第一 MOS管Ql导通时，电容C两端电压从高压电源Vh电压迅速减小至额定驱动电压，实现了对接触器RLY的快速驱动，并且该驱动电路仅需要一路电源输入，可应用在要求高低压电源隔离的系统中，避免了现有技术中的驱动电路采用两路电源输入时导致的系统耦合性较高的问题。
[0103]综上所述，本发明实施例提供的驱动电路，包括第一被驱动单元、第一开关单元、升压单元和第一稳压单元，其中:第一被驱动单元和第一开关单元串联形成第一支路；升压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第一支路的第一端相连，第三端和第一支路的第二端相连并接地；在第一开关单元断开时，升压单元升高自身的第二端和第三端间电压值大于额定驱动电源电压值，升压单元的第二端和第三端间电压的极性和额定驱动电源电压的极性相同；第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和第一支路的第一端相连；在第一开关单元闭合后，额定驱动电源通过第一稳压单元为第一被驱动单元提供额定驱动电压。采用本发明实施例提供的驱动电路，能够解决现有技术中的快速驱动电路需要两路电源输入的问题。
[0104]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种驱动电路，其特征在于，包括第一被驱动单元、第一开关单元、升压单元和第一稳压单元，其中: 所述第一被驱动单元和所述第一开关单元串联形成第一支路； 所述升压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端相连，第三端和所述第一支路的第二端相连并接地；在所述第一开关单元断开时，所述升压单元升高自身的第二端和第三端间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述升压单元的第二端和第三端间电压的极性和所述额定驱动电源电压的极性相同； 所述第一稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第一支路的第一端相连；在所述第一开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第一稳压单元为所述第一被驱动单元提供额定驱动电压。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述升压单元，具体包括晶体管、二极管、电感和电容，其中: 所述电感的一端作为所述升压单元的第一端； 所述电感的另一端和所述晶体管的第一端、所述二极管的阳极相连；所述二极管的阴极和所述电容的一端相连，作为所述升压单元的第二端； 所述晶体管的第二端和所述电容的另一端相连，作为所述升压单元的第三端。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述升压单元，具体包括晶体管、二极管、变压器和电容，其中: 所述变压器初级的一端作为所述升压单元的第一端； 所述变压器次级的一端和所述二极管的阳极相连；所述二极管的阴极和所述电容的一端相连，作为所述升压单元的第二端； 所述变压器初级的另一端和所述晶体管的第一端相连；所述晶体管的第二端和所述变压器次级的另一端、所述电容的另一端相连，作为所述升压单元的第三端。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关单元具体为晶体管，所述晶体管的第一端作为所述第一开关单元的第一端，所述晶体管的第二端作为所述第一开关单元的第二端。
5.如权利要求2-4任一所述的电路，其特征在于，所述晶体管具体为电力场效应晶体管，所述电力场效应晶体管的漏极作为所述晶体管的第一端，所述电力场效应晶体管的源极作为所述晶体管的第二端。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一稳压单元具体为二极管，所述二极管的阳极作为所述第一稳压单元的第一端，所述二极管的阴极作为所述第一稳压单元的第二端。
7.—种驱动电路，其特征在于，包括第二被驱动单元、第二开关单元、调压单元、隔离单元和第二稳压单元，其中: 所述第二被驱动单元和所述第二开关单元串联形成第二支路； 所述调压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第二端相连，第三端和所述隔离单元的第一端相连并接地，所述隔离单元的第二端和所述第二支路的第一端相连；在所述 第二开关单元断开时，所述调压单元升高自身的第二端和第三端间电压值大于所述额定驱动电源电压值，所述调压单元的第二端和第三端间电压的极性和所述额定驱动电源电压的极性相反；所述隔离单元对所述调压单元的第二端和第三端间电压和所述额定驱动电源电压进行隔离； 所述第二稳压单元的第一端为额定驱动电源接线端，第二端和所述第二支路的第一端相连；在所述第二开关单元闭合后，所述额定驱动电源通过所述第二稳压单元为所述第二被驱动单元提供额定驱动电压。
8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述调压单元，具体包括晶体管、二极管、电感和电容，其中: 所述晶体管的第一端作为所述调压单元的第一端； 所述晶体管的第二端和所述电感的一端、所述二极管的阴极相连，所述二极管的阳极和所述电容的一端相连，作为所述调压单元的第二端； 所述电容的另一端和所述电感的另一端相连，作为所述调压单元的第三端。
9.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第二开关单元具体为晶体管，所述晶体管的第一端作为所述第二开关单元的第一端，所述晶体管的第二端作为所述第二开关单元的第二端。
10.如权利要求8或9所述的电路，其特征在于，所述晶体管具体为电力场效应晶体管，所述电力场效应晶体管的漏极作为所述晶体管的第一端，所述电力场效应晶体管的源极作为所述晶体管的第二端。
11.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第二稳压单元具体为二极管，所述二极管的阳极作为所述第二稳压单元的第一端，所述二极管的阴极作为所述第二稳压单元的A-Ap ~.上山弟一觸。
12.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述隔离单元具体为二极管，所述二极管的阳极作为所述隔离单元的第一端，所述二极管的阴极作为所述隔离单元的第二端。
13.—种驱动电路，其特征在于，包括第三被驱动单元、第三开关单元和降压单元，其中: 所述第三被驱动单元和所述第三开关单元串联形成第三支路； 所述降压单元的第一端为高压电源接线端，第二端和所述第三支路的一端相连，第三端和所述第三支路的另一端相连并接地；在所述第三开关单元断开时，所述降压单元保持自身的第二端和第三端间电压值等于所述高压电源电压值，在所述第三开关单元闭合后，所述降压单元降低自身的第二端和第三端间电压值等于所述第三被驱动单元的额定驱动电压值。
14.如权利要求13所述的电路，其特征在于，所述降压单元，具体包括晶体管、二极管、电感和电容，其中: 所述晶体管的第一端作为所述降压单元的第一端； 所述晶体管的第二端和所述二极管的阴极、所述电感的一端相连；所述电感的另一端和所述电容的一端相连，作为所述降压单元的第二端； 所述电容的另一端和所述二极管的阳极相连，作为所述降压单元的第三端。
15.如权利要求13所述的电路，其特征在于，所述第三开关单元具体为晶体管，所述晶体管的第一端作为所述第三开关单元的第一端，所述晶体管的第二端作为所述第三开关单元的第二端。
16.如权利要求14或15所述的电路，其特征在于，所述晶体管具体为电力场效应晶体管，所述电力场效应晶体管的漏极作为所述晶体管的第一端，所述电力场效应晶体管的源极作为所述晶体 管的第二端。
【文档编号】H02M1/08GK104022626SQ201310063143
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2013年2月28日 优先权日:2013年2月28日
【发明者】卢军 申请人:力博特公司