一种任意层互连的高阶HDI板的制作方法

本实用新型涉及高阶HDI线路板技术领域，特别涉及一种任意层互连的高阶HDI板。

背景技术：

在电子产品趋于多功能复杂化的前提下，积体电路元件的接点距离随之缩小，信号传送的速度则相对提高，随之而来的是接线数量的提高、点间配线的长度局部性缩短，这些就需要应用高密度线路配置及微孔技术来达成目标。配线与跨接基本上对单双面板而言有其达成的困难，因而电路板会走向多层化，又由于讯号线不断的增加，更多的电源层与接地层就为设计的必须手段，这些都促使从层印刷电路板(Multilayer Printed Circuit Board)更加普遍。

对于高速化讯号的电性要求，电路板必须提供具有交流电特性的阻抗控制、高频传输能力、降低不必要的辐射(EMI)等。采用Stripline、Microstrip的结构，多层化就成为必要的设计。为减低讯号传送的品质问题，会采用低介电质系数、低衰减率的绝缘材料，为配合电子元件构装的小型化及阵列化，电路板也不断的提高密度以因应需求。BGA(Ball Grid Array)、 CSP(Chip Scale Package)、DCA(Direct Chip Attachment)等组零件组装方式的出现，更促印刷电路板推向前所未有的高密度境界。

任意层高密度连接板(Anylayer HDI)属于一类高端HDI板制造工艺，与一般HDI板的差别在于，一般HDI是由钻孔工艺中的机钻直接贯穿PCB层与层之间的板层，而任意层HDI 是以雷射钻孔打通层与层之间作连通，中间的基材可省略铜箔基板，从而令到产品更轻薄。

目前，任意层高密度连接板在制程中普遍存在压合缺胶、介厚值较大、涨缩异常、板厚、板翘等异常现象阻碍了HDI板向更多层更薄的方向发展。

技术实现要素：

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提出了一种任意层互连的高阶HDI板，解决半固片层容易板翘、涨缩异常等问题。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种任意层互连的高阶HDI板，包括多个依次相连的基础单元层及基板，多个所述基础单元层中的位于底部的所述基础单元层通过粘结剂与基础单元层的上侧面相粘接，还包括用于锁紧HDI板的上卡板和下卡板，所述上卡板和所述下卡板分别设置在所述高阶HDI板两侧，所述上卡板的下端设有卡扣，所述下卡板上端设有卡槽，所述卡扣与所述卡槽相卡接；所述上卡板的上端设置有第一卡勾，所述第一卡勾与保护层的上端面的一端相卡接，所述下卡板的下端设置有第二卡勾，所述第二卡勾与所述保护层的下端面的一端相卡接。

作为本技术方案的进一步改进，所述所述基础单元层包括半固片层、线路层、及屏蔽层，所述线路层，位于所述半固片层与所述屏蔽层之间，所述半固片层的下侧面通过粘结剂与所述线路层的上侧面粘接，所述线路层的下侧面通过粘结剂与所述屏蔽层的上侧面粘接。

作为本技术方案的更进一步的改进，所述的保护层设有卡槽，所述上卡板、所述卡扣、所述第一卡勾所述第二卡勾和所述卡槽的材料为聚四氟乙烯材料。

作为本技术方案的进一步改进，所述的每个基础单元层的线路层为铜箔线路层，所述的铜箔线路层厚度为0.05～0.2mm。

作为本技术方案的进一步改进，所述的每个基础单元层的半固片层为PP薄膜层，所述的 PP薄膜层厚度为0.02～0.05mm。

作为本技术方案的进一步改进，所述的每个基础单元层的屏蔽层为导电橡胶层，所述的导电橡胶层厚度为0.01～0.03mm。

作为本技术方案的进一步改进，所述的保护层为PET薄膜层。

作为本技术方案的进一步改进，所述基板为PP薄膜层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提出的一种任意层互连得高阶HDI板，通过在每个基础单元层设置屏蔽层，可以防止不同半程间的信号干扰，同时，通过在HDI板两侧设置卡板层，并通过在表面添加保护层，既可以减少对HDI板的穿孔损害，又成功解决了高阶HDI制程中常见的板翘以及涨缩异常等问题。

附图说明

图1为本实用新型实施例中的主视图。

图2为基础单元层的结构示意图。

图中：1-基础单元层，2-盲孔，3-上卡板，4-下卡板，5-卡扣，6-卡槽，7-导电介质，8- 保护层，9-基板，11-半固片层，12-线路层，13-屏蔽层，31-第一卡勾，42-第二卡勾

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

如图1和图2所示，一种任意层互连的高阶HDI板，包括多个依次相连的基础单元层1 及基板9，多个基础单元层1中的位于底部的基础单元层1通过粘结剂与基础单元层1的上侧面相粘接，还包括用于锁紧HDI板的上卡板3和下卡板4，上卡板3和下卡板4分别设置在高阶HDI板两侧，上卡板3的下端设有卡扣5，下卡板4上端设有卡槽6，卡扣5与卡槽6 相卡接；上卡板3的上端设置有第一卡勾31，第一卡勾31与保护层8的上端面的一端相卡接，下卡板4的下端设置有第二卡勾42，第二卡勾42与保护层8的下端面的一端相卡接。本实例通过在每个基础单元层设置屏蔽层，可以防止不同半程间的信号干扰，同时，通过在 HDI板两侧设置卡板层，并通过在表面添加保护层，既可以减少对HDI板的穿孔损害，又成功解决了高阶HDI制程中常见的板翘以及涨缩异常等问题。

图2实例性地示出了本实用新型提供的基础单元层结构示意图。进一步地，基础单元层 1包括半固片层11、线路层12、及屏蔽层13，线路层12位于半固片层11与屏蔽层13之间，半固片层11的下侧面通过粘结剂与线路层12的上侧面粘接，线路层12的下侧面通过粘结剂与屏蔽层13的上侧面粘接。

进一步地，上卡板3、卡扣5、第一卡勾31第二卡勾42和卡槽6的材料为聚四氟乙烯材料，聚四氟乙烯具有抗酸抗碱，耐高温等特点，几乎不溶于所有溶剂，适合不同的使用环境。

进一步地，每个基础单元层1的线路层12为铜箔线路层，每个基础单元层1的屏蔽层13为导电橡胶层，保护层8为PET薄膜层，基板9为PP薄膜层，优选地，铜箔线路层层厚度为0.05～0.2mm，导电橡胶层厚度为0.01～0.03mm。

以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内。