1.一种体声波谐振器，包括：
基底，具有第一表面与第二表面以及贯穿基底的通孔；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置；
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和
散热结构，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，底电极、压电层和顶电极设置在基底的第一表面上；
所述散热结构包括散热部、热引出部以及将散热部与热引出部热连接的热连接部，所述热引出部位于所述有效区域之外，所述热引出部与所述有效区域的边缘区域热接触；
所述散热部包括设置在基底的第二表面所在的一侧的第二散热部；
所述热连接部在基底的厚度方向上穿过所述基底的通孔以将来自所述热引出部的热量传导到所述第二散热部。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
所述散热部还包括第一散热部，所述第一散热部设置在第一表面所在的一侧且与所述热引出部直接热连接。
3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述体声波谐振器还包括导热的第一导热绝缘介质层；
所述热引出部设置在所述基底的第一表面的一侧，所述第一导热绝缘介质层设置在底电极与所述热引出部之间，且所述底电极位于所述第一导热绝缘介质层上方、与第一导热绝缘介质层保持接触而与热引出部间隔开。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
所述第一导热绝缘介质层由氮化铝、氧化铍或者硅脂制成。
5.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部为绝缘部；
所述热引出部设置在所述基底的第一表面的一侧，所述底电极位于热引出部上方且与热引出部保持接触。
6.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部延伸到压电层上表面且与所述压电层保持接触而与顶电极间隔开。
7.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述体声波谐振器还包括导热的第二导热绝缘介质层；
所述热引出部沿所述压电层上表面延伸到所述第二导热绝缘介质层下方而与所述第二导热绝缘介质层保持接触；
所述顶电极位于所述第二导热绝缘介质层上方、与第二导热绝缘介质层保持接触而与热引出部间隔开。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中：
所述第二导热绝缘介质层由氮化铝、氧化铍或者硅脂制成。
9.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部为绝缘部；
所述热引出部沿所述压电层上表面延伸到顶电极的下方，所述顶电极位于热引出部上方且与热引出部保持接触。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部至少部分围绕所述有效区域设置。
11.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括与空气接触以与空气交换热量的部分和/或设置在基底中与基底接触而与基底交换热量的部分。
12.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
通孔圆形通孔，直径范围1-30μm。
13.根据权利要求12所述的体声波谐振器，其中：
所述通孔的直径为5-20μm。
14.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
通孔为矩形通孔，矩形通孔的横截面中，矩形的长度范围为20-80μm，宽度范围为2-20μm。
15.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中：
矩形通孔的横截面中，矩形的长度范围为40-60μm，宽度范围为5-10μm。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括多个带状凸起。
17.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中：
所述带状凸起等间距分布，每个带状凸起的宽度相同，宽度范围为0.5-4μm；相邻两个带状凸起的间距范围为0.5-6μm；带状凸起的高度范围为0.5-20μm。
18.根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括多个柱状凸起。
19.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中：
所述柱状凸起为正六棱柱凸起；
所述柱状凸起等间距分布，每个正六棱柱结构的边长相同，边长范围为0.5-4μm；正六棱柱结构等间距分布，相邻两个正六棱柱的间距为0.5-6μm；正六棱柱凸起的高度范围为0.5-20μm。
20.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中：
所述多个柱状凸起形成热传递的耗散结构。
21.根据权利要求20所述的体声波谐振器，其中：
所述柱状凸起为圆柱状凸起，所述多个柱状凸起呈同心圆状分布；
所述柱状凸起的半径在径向向外的方向上逐渐变小，且柱状凸起构成的每一个圆圈中柱状凸起的数量逐渐变大；相邻两圆圈的柱状凸起的半径满足等比规律且内圆圈的柱状凸起的半径比外圆圈的柱状凸起的半径的比值为α1；相邻两圆圈的柱状凸起数量满足等比规律，且外圆圈柱状凸起的数量比内圆圈的柱状凸起的数量的比值为α2，且α2/α1大于1，
其中：柱状凸起的半径的最大值范围为4-30μm，一个圆圈中柱状凸起的数量的最小值范围为8-16个。
22.根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括同心圆结构的多个环状凸起。
23.根据权利要求22所述的体声波谐振器，其中：
所述多个环状凸起形成热传递的耗散结构。
24.根据权利要求23所述的体声波谐振器，其中：
环状凸起的宽度和相邻环状凸起的间距满足：
(1)沿环状凸起的半径向外逐渐变窄；
(2)相邻两环状凸起的间距满足等比规律，且外部环状凸起比内部环状凸起的宽度比值大于0小于1；或者，相邻两环状凸起的间距满足等差规律，且外部环状凸起和内部环状凸起的宽度差异为b，b的范围为0.1-0.5μm，
其中：环状凸起的宽度的最大值范围为2-20μm，环状凸起的间距的最大值范围为4-40μm。
25.根据权利要求1-24中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部与有效区域之间在横向上的距离不小于10个声波波长。
26.根据权利要求1-25中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第二散热部覆盖所述基底的第二表面；
所有热连接部均连接到所述第二散热部。
27.一种半导体器件的散热结构，所述半导体器件具有基底，基底具有第一表面与第二表面，基底具有在厚度方向上贯穿其的通孔，基底的第一表面设置有功能部件，其中：
所述散热结构包括散热部、热引出部和热连接部，所述热引出部设置在第一表面所在的一侧，所述散热部包括设置在基底的第二表面所在一侧的第二散热部，所述热连接部经由所述通孔穿过所述基底；且
所述热引出部适于经由所述热连接部向所述第二散热部传导来自功能部件的热量。
28.根据权利要求27所述的散热结构，其中：
所述散热部还包括第一散热部，所述第一散热部设置在第一表面所在的一侧且与所述热引出部直接热连接。
29.根据权利要求27或28所述的散热结构，其中：
通孔圆形通孔，直径范围1-30μm。
30.根据权利要求29所述的散热结构，其中：
所述通孔的直径为5-20μm。
31.根据权利要求27或28所述的散热结构，其中：
通孔为矩形通孔，矩形通孔的横截面中，矩形的长度范围为20-80μm，宽度范围为2-20μm。
32.根据权利要求31所述的散热结构，其中：
矩形通孔的横截面中，矩形的长度范围为40-60μm，宽度范围为5-10μm。
33.根据权利要求27-32中任一项所述的散热结构，其中：
所述半导体器件为体声波谐振器，所述热引出部适于传导来自所述谐振器的有效声学区域的热量。
34.根据权利要求27-33中任一项所述的散热结构，其中：
所述散热部形成热传递的耗散结构。
35.一种滤波器，包括根据权利要求1-26中任一项所述的体声波谐振器或者根据权利要求27-34中任一项所述的散热结构。
36.根据权利要求35所述的滤波器，其中：
所述滤波器包括多个根据权利要求1-26中任一项所述的体声波谐振器；
至少部分相邻谐振器之间的空隙处设置有所述热连接部，或者至少部分相邻谐振器共用热连接部。
37.一种电子设备，包括根据权利要求35或36所述的滤波器。