一种提高蚀刻因子的柔性线路板的制作方法与流程

本发明涉及一种提高蚀刻因子的柔性线路板的制作方法及其产品。

背景技术：

随着电子产品的微型化，对柔性线路板的高密度布线要求越来越高，更细的线宽线距成为目前市场的发展趋势。国内的柔性线路板产业大多采用蚀刻法制作线路，目前蚀刻法可以通过采用高解析度干膜、高精度玻璃底片和二流体蚀刻设备制作出线宽/线距25微米/25微米及以下的精细线路，但是存在蚀刻因子较低的问题，低蚀刻因子的精细线路易出现线路底部铜残留并且导致产品良率下降，蚀刻因子计算公式为：蚀刻因子＝基材铜箔的厚度/线路上下线宽差值的一半，可以看出线路上下宽的差距越大的话蚀刻因子越低，现有的精细线路的蚀刻因子为2.5左右。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种提高蚀刻因子的柔性线路板的制作方法，能有效提高精细线路的蚀刻因子，从而有利于提升精细线路的良率。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种提高蚀刻因子的柔性线路板的制作方法，包括以下步骤：

(1)化学镀镍：在聚酰亚胺中间层的上表面设置上铜箔层，在聚酰亚胺中间层的下表面设置下铜箔层后制成基材，在上铜箔层的上表面化学镀上均匀沉积的上化学镍层，在下铜箔层的下表面化学镀上均匀沉积的下化学镍层；

(2)干膜压合：在上化学镍层的上表面压合形成上干膜，在下化学镍层的下表面压合形成下干膜；

(3)干膜紫外线曝光：使用紫外线对上、下干膜分别进行部分照射，上、下干膜上被紫外线照射过的部分发生聚合交联形成上、下干膜曝光部分，上、下干膜上剩下的部分为上、下干膜未曝光部分，上、下干膜曝光部分和上、下干膜未曝光部分均有多个且在x方向一一间隔；

(4)干膜显影：将上、下干膜未曝光部分去除并露出部分上、下化学镍层；

(5)铜蚀刻：对经过步骤(5)后露出的部分上化学镍层及其下方的上铜箔层、下化学镍层及其上方的下铜箔层进行蚀刻，直至露出聚酰亚胺中间层；

(6)干膜剥离：将所有上、下干膜曝光部分去除；

(7)化学镍层去除：将经过步骤(6)处理后的基材上剩下的上、下化学镍层去除。

进一步地，所述步骤(1)中，上铜箔层和下铜箔层的厚度均为0.1-100微米。

进一步地，所述步骤(1)中，上化学镍层和下化学镍层的厚度均为0.01-10微米。

进一步地，所述步骤(2)中，压合的方式为热辊压合，上干膜和下干膜的厚度均为10-25微米。

进一步地，所述步骤(3)为：将上、下玻璃底片分别覆盖于上、下干膜上，上、下玻璃底片分别包括x方向上一一间隔的上、下透明区域和上、下黑色区域，每个上、下透明区域的x向尺寸均为20-200微米，每个上、下黑色区域的x向尺寸均为10-25微米，使用紫外线对覆盖有上、下玻璃底片的上、下干膜进行照射曝光后去除上、下玻璃底片，上、下干膜上被上、下透明区域覆盖的部分为上、下干膜曝光部分，上、下干膜上被上、下黑色区域覆盖的部分为上、下干膜未曝光部分。

进一步地，所述步骤(3)中，上、下透明区域的数量为3，上、下黑色区域的数量为2。

进一步地，所述步骤(5)中，蚀刻时使用的蚀刻液为氯化铜/盐酸体系蚀刻液。

本发明还提供所述制作方法得到的产品。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明在基材的铜箔层上通过化学镀沉积一层化学镍层，在蚀刻的初期是化学镍层被蚀刻，直至露出铜箔层，然后化学镍层和铜箔层一起被蚀刻，由于化学镍层的蚀刻速率低于铜箔层，所以铜箔层上靠近化学镍层的部分的蚀刻速率会被拉低，从而缩小了蚀刻后留下的铜箔层即线路的上下线宽的差距，进而提高了精细线路的蚀刻因子，有利于提升精细线路的良率；以12微米厚度的基材为例，显影后干膜间距为15微米左右，以现有的方法蚀刻后的线路间距为20微米左右，蚀刻因子为2.5左右，而采用本发明的方法显影后干膜间距和蚀刻后线路间距同以上现有方法，但蚀刻因子可以提高至4以上。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的不当限定，在附图中：

图1为本发明所述基材的结构示意图；

图2为本发明步骤(1)的结构示意图；

图3为本发明步骤(4)的结构示意图；

图4为本发明步骤(5)的结构示意图；

图5为本发明步骤(6)的结构示意图；

图6为本发明步骤(7)的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体实施例来详细说明本发明，在此本发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

实施例1

提高蚀刻因子的柔性线路板，由以下步骤制作而成：

(1)化学镀镍：在聚酰亚胺中间层1的上表面设置上铜箔层2，在聚酰亚胺中间层1的下表面设置下铜箔层5后制成基材，在上铜箔层1的上表面化学镀上均匀沉积的上化学镍层3，在下铜箔层5的下表面化学镀上均匀沉积的下化学镍层6，上铜箔层2和下铜箔层5的厚度均为12微米，上化学镍层3和下化学镍层6的厚度均为0.7微米；

(2)干膜压合：在上化学镍层3的上表面热辊压合形成上干膜4，在下化学镍层6的下表面热辊压合形成下干膜7，上干膜4和下干膜7的厚度均为15微米；

(3)干膜紫外线曝光：将上、下玻璃底片分别覆盖于上干膜4、下干膜7上，上、下玻璃底片分别包括x方向上一一间隔的上、下透明区域和上、下黑色区域，每个上、下透明区域的x向尺寸均为25微米，每个上、下黑色区域的x向尺寸均为15微米，使用紫外线对覆盖有上、下玻璃底片的上干膜4、下干膜7进行照射曝光后去除上、下玻璃底片，上干膜4、下干膜7上被上、下透明区域覆盖的部分为上、下干膜曝光部分，上干膜4、下干膜7上被上、下黑色区域覆盖的部分为上、下干膜未曝光部分；

(4)干膜显影：将上、下干膜未曝光部分去除并露出部分上化学镍层3、下化学镍层6；

(5)铜蚀刻：对经过步骤(5)后露出的部分上化学镍层3及其下方的上铜箔层2、下化学镍层6及其上方的下铜箔层5进行蚀刻，直至露出聚酰亚胺中间层1；

(6)干膜剥离：将所有上、下干膜曝光部分去除；

(7)化学镍层去除：将经过步骤(6)处理后的基材上剩下的上化学镍层3、下化学镍层6去除。

所述步骤(3)中，上、下透明区域的数量为3，上、下黑色区域的数量为2；所述步骤(5)中，蚀刻时使用的蚀刻液为氯化铜/盐酸体系蚀刻液

实施例2

与实施例1不同的是：步骤(1)中，上铜箔层2和下铜箔层5的厚度为6微米，上化学镍层3和下化学镍层6的厚度均为0.5微米；步骤(2)中，上干膜4和下干膜7的厚度均为10微米；步骤(3)中，每个上、下透明区域和上、下干膜曝光部分4的x向尺寸均为20微米，每个上、下黑色区域和上、下干膜未曝光部分的x向尺寸均为10微米。

实施例3

与实施例1不同的是：步骤(1)中，上铜箔层2和下铜箔层5的厚度为100微米，上化学镍层3和下化学镍层6的厚度均为1微米；步骤(2)中，上干膜4和下干膜7的厚度均为25微米；步骤(3)中，每个上、下透明区域和上、下干膜曝光部分4的x向尺寸均为200微米，每个上、下黑色区域和上、下干膜未曝光部分的x向尺寸均为25微米。

实施例4

与实施例1不同的是：步骤(1)中，上铜箔层2和下铜箔层5的厚度为50微米，上化学镍层3和下化学镍层6的厚度均为0.7微米；步骤(2)中，上干膜4和下干膜7的厚度均为20微米；步骤(3)中，每个上、下透明区域和上、下干膜曝光部分4的x向尺寸均为100微米，每个上、下黑色区域和上、下干膜未曝光部分的x向尺寸均为20微米。

实施例5

与实施例1不同的是：步骤(1)中，上铜箔层2和下铜箔层5的厚度为0.1微米，上化学镍层3和下化学镍层6的厚度均为0.01微米。

实施例6

与实施例1不同的是：步骤(1)中，上铜箔层2和下铜箔层5的厚度为100微米，上化学镍层3和下化学镍层6的厚度均为10微米。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理以及功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。