一种基于MOS管的开关电路的制作方法

文档序号:14443520阅读:来源:国知局
一种基于MOS管的开关电路的制作方法

技术特征:

1.一种基于MOS管的开关电路,其特征在于,包括电阻R1、电阻R2、电容C1、MOS管Q1和MOS管Q2;

所述电阻R1的一端与单片机控制端相接,所述单片机控制端与MOS管Q1的栅极相接,电阻R1的另一端与MOS管Q1的源极相接,MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的栅极与电阻R2的一端相接,电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏极相接,MOS管Q2的漏极与一电压端相接,MOS管Q1的源极通过电容C1与MOS管Q2的源极相接,所述MOS管Q2的源极受控模块电源端相接,所述MOS管Q1的源极接地。

2.如权利要求1所述的基于MOS管的开关电路,其特征在于,还包括电阻R3和电容C2,所述MOS管Q1的漏极通过电阻R3与MOS管Q2的栅极相接,所述MOS管Q2的栅极通过电容C2接地。

3.如权利要求2所述的基于MOS管的开关电路,其特征在于,所述电阻R3的阻值为10KΩ,所述电容C2的电容量为0.1uF。

4.如权利要求3所述的基于MOS管的开关电路,其特征在于,所述MOS管Q1为NMOS管,所述MOS管Q2为PMOS管。

5.如权利要求4所述的基于MOS管的开关电路,其特征在于,所述电压端的电压为3.3V。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的基于MOS管的开关电路,其特征在于,所述电阻R1的阻值为10KΩ,所述电阻R2的阻值为470Ω,所述电容C1的电容量为220uF。

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